一种改进的ZCT全桥DC/DC变流器

提出了一种改进的零电流转换（Zero Current Transition，简称ZCT）全桥DC／DC变流器。它不仅实现了主开关管和辅助开关管在整个负载范围内的零电流开关（ZCS），而且实现了输出整流二极管的软换流。本文重点分析了变流器的辅助电路，通过增加一个箝位二极管，改善了电路性能。仿真和实验结果均验证了理论分析。改进的变流器满载时变换效率可达95％左右。     

黄陵建庄矿业公司"三违"管理对策探析

遏制“三违”行为,是杜绝安全生产事故的主要手段。为探究“三违”管理对策,从领导及职工安全意识、安全培训、现场安全管理等方面分析了“三违”的产生原因。结合建庄矿业公司安全管理实际情况,以及历年来的安全管理经验,详述了建庄矿业公司对“三违”管理采取的“积分预警”、安全教育闭环、“三违”指标化等方式方法,规范了井下现场职工的操作行为。实践表明,该措施有效提升了职工的安全意识,推进了安全生产长效机制的建立,矿井安全管理能力进一步增强,为奋斗企业安全稳定高质量发展奠定了坚实的基础。     

镁质稳流器的开发应用

本文介绍了为连铸中间包研制振动成型镁质稳流器的过程及应用。所研制的镁质稳流器显著的减轻了钢水对中间包浇钢区的冲涮,使中间包寿命提高30％以上。     

共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究

共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中,影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅(SiC)MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程,共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣,然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC MOSFET的开关损耗,最后搭建了一台输出功率1kW、输出电压800V的全碳化硅Boost样机,从100kHz到500kHz进行实验验证。实验结果表明,当不含共源极电感时SiC MOSFET的开通损耗、关断损耗均有所减小。     

碳化硅电力电子器件在电力系统的应用展望

碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率半导体器件的最新发展进行回顾,包括碳化硅功率二极管、MOSFET、IGBT和晶闸管,对其在电力系统的应用现状与前景进行展望。高压大容量碳化硅功率半导体器件的迅速发展,将对电力系统的发展带来深远的影响。     

基于ADAMS的立轴冲击式破碎机转子载荷

在分析立轴冲击式破碎机结构和工作原理的基础上,进行了转子的Solid Works三维建模.通过将模型导入ADAMS中进行动力学仿真,模拟破碎机在运转中物料的抛出过程,得到了转子所受最大冲击力和平均冲击力随转速的不同变化,说明降低最大冲击力的值和频率既需要考虑转子结构及相关参数的优化,还要分析进料粒度均匀性的影响.仿真结果表明,转速是影响立轴冲击破碎机破碎质量和效率的重要因素,破碎效果不总是随着转速的提高而提高;1 450~1 750 r/min是转子受力均衡,能获得平稳运转的转速区间;降低最大冲击力的值和频率既要考虑转子结构及相关参数的优化,还要分析进料粒度均匀性的影响.     

一种新型快速瞬态响应VRM拓扑

微处理器的迅速发展,使其对功率管理的要求越来越高。作为CPU电源的电压调节模块(VRM),其瞬态响应已成为目前研究的热点问题。提出了一种新型快速瞬态响应VRM拓扑,分析了该拓扑的结构、工作原理和控制策略。通过一台1.8 V/15 A的样机实验,证明了该拓扑在提高瞬态响应方面的有效性。     

首犯不罚 温情服务 精细管理：新野走出和谐城管新路

随着一个个城建重点工程的完工，河南省新野县的市民们在享受着由此带来的实惠和便利的同时，也在感受着一些悄然发生的变化。细心的市民们发现，自己生活的这座城市一天天变得干净多了，变得秩序井然了。去年以来，新野县城建监察大队坚持以人为本，重管轻罚，精细化管理，走出和谐城管新路。     

溴化锂制冷机的水质管理措施

结合生产实际，介绍了溴化锂制冷机水质管理的一些具体措施，以提高制冷机的制冷效率，延长其使用寿命。     

DCM模式APFC电路寄生参数对THD的影响

有源功率因数校正(APFC)技术广泛应用于提高电网适应能力及减小谐波污染的场合,其性能与工作模式及参数设计密切相关.提出基于Boost电感电流数学模型,其分析方法弥补了传统周期平均电流模型不精确、分析范围小的不足,并利用该数学模型系统分析了在断续导通模式(DCM)下Boost PFC电路主要元器件寄生参数对输入电流畸变(THD)的影响.实验验证了理论分析的正确性.