硅衬底上射频无源低通滤波器的设计及版图实现

文章系统地研究了微波无源低通滤波器的设计原理及其设计方法。根据网络综合法，设计出了一个—3dB截止频率为1．2GHz的2阶低通无源滤波器，其器件参数C1、L1、C2分别为2．56pF、13．252nH和2．56pF。采用自行设计的算法，编制了相应的Matlab程序，计算出滤波嚣的版图结构参数。最后，用ADS软件对该滤波器进行了版图级的模拟验证。结果表明，该微波无源滤波器的散射参数曲线与理想元件所组成的滤波器的散射曲线相吻合，且性能好，能够满足实际应用的需要。     

悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

介绍了一种制作在低阻硅(3～8Ω·cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/ Au CPW共面波导上,金/Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于“关断”态,其隔离度小于- 35 d B(2 0～4 0 GHz) ;阈值电压为13V ;开关处于“开通”态,插入损耗为4～7d B(1～10 GHz) ,反射损耗为- 15 d B.另外,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系,并应用ANSYS软件对开关进行了电学、力学及耦合特性的计算机模拟     

同时反演两个三维密度界面的拟神经网络BP算法

两个界面或多界面重力异常的显著特点是异常的不可分离性，即不能简单地根据异常的幅值和水平宽度等数理特点将两个界面或多个界面的异常区分开来，直接用两个三维密度界面的叠加重力异常同时反演两个界面埋深和起伏形态是本文的特色之一，借助于快速正演算法，对界面进行详细的单元划分，使反演结果更为精细，由于采用带输出反馈抑制策略和拟神经网络ＢＰ算法，使本反方法收敛性好，收敛速度快，拟ＢＰ算法借用了神经网络的并行，自     

超临界流体萃取开发中的若干问题

评述了超临界流体萃取的发展概况和研究动态,详细讨论了超临界流体的性质,萃取剂的选择、超临界流体萃取中的相平衡关系、传递属性,应用实例以及过程开发中存在的若干问题。     

酶的双水相体系萃取分离技术

双水相体系萃取技术巳被广泛应用于酶的分离纯化。文中介绍了该技术的萃取原理、特点、分配影响因素,以及在酶分离过程中的应用,并指出当前研究工作存在的问题和今后研究的重点。     

多孔硅新的表面处理技术

对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌，破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题．阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面，满足SI分子化合价的需要,消除悬空键,促使多孔硅表面性能稳定，避免结构重组产生分子间的不均匀内应力，从而获得性能稳定、可靠、在空气中可以长期干燥保存的多孔硅．     

光学图象准相干光滤波系统的分析

用球形超高压汞灯作光源组成准相干的傅立叶光学系统,对遥感图象、刑事指纹照片进行分析处理,可获得干涉增强、滤波增强和假彩色编码的供目视解译的图象。     

基于多孔硅的共平面波导制备及传输特性研究

多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。文章利用多孔硅作衬底，制备了微型微波共平面波导，采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数；提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。实验测试结果表明，在20μm多孔硅上的波导，其插入损耗在1-30GHz范围内为1—40dB/cm；而在70μm多孔硅上制备的波导，其插入损耗在整个测试频段内不超过7dB/cm。通过有效介电常数的计算，推算出实验制备的70μm多孔硅材料的多孔度约为65％。