一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型

本文提出一个非均匀掺杂、短沟道MOSFET阈电压的准二维解析模型。用此模型对各种不同条件下的微米、亚微米MOSFET的阈电压进行了计算,其结果与二维数值分析程序得到的结果相符甚好。本模型可用于电路分析程序,工艺容错分析及器件的优化设计。     

块状菱镁矿烧结初期方镁石颗粒致密化行为

采用高温电炉对块状菱镁矿进行煅烧,研究了块状菱镁矿烧结初期(1000~1300℃)方镁石颗粒致密化行为。结果表明:在烧结初期,方镁石颗粒致密化过程主要分为4个阶段:阶段一、颗粒表面正负离子极化,引力增加,颗粒间距减小;阶段二、颗粒间点接触,形成团聚;阶段三、颗粒间面接触,导致间隙减小;阶段四、形成烧结颈,团聚致密化程度增加。母盐假相颗粒对烧结致密化行为有重要影响,当温度在1150~1200℃区间时,假相颗粒的体积收缩,导致其比表面积和颗粒配位数降低,烧结致密化受到阻碍,出现缓滞现象,这与粉状菱镁矿烧结有显著区别。在匀速升温烧结过程中,不同的温度区间,烧结激活能不同,温度为1000~1110℃时,Q=412.368 k J/mol;温度为1110~1230℃时,Q=473.990 k J/mol;温度为1230~1300℃时,Q=385.266 k J/mol。块状菱镁矿烧结初期,随着温度的升高,方镁石颗粒烧结致密化速率先增加后减小。     

碳化钨对放电等离子烧结氮化硅陶瓷的致密化及力学性能的影响

用氧化铝-氧化钇作为烧结助剂,采用特制的碳化钨球磨罐与球磨子,通过机械球磨的方法向氮化硅陶瓷中引入碳化钨(WC),采用放电等离子烧结技术(SPS)进行快速烧结,制备出了高力学性能的β相氮化硅陶瓷。分析了碳化钨对氮化硅陶瓷致密化及力学性能的影响,结果表明:碳化钨的引入有效地降低了β相沉淀析出并继续生长的激活能,促进了氮化硅陶瓷α相→β相转变,实现烧结试样的致密化;随着碳化钨引入量的增加,烧结试样的抗弯强度从729 MPa急剧增加至1090 MPa,提高了49.5%。     

用菱镁矿碎矿生产烧结镁砂的试验研究

为了提高菱镁矿资源的有效利用率,将块度小于20 mm的废弃菱镁矿碎矿分别破碎成粒度5~3、3~1和≤1 mm的颗粒和≤0.088 mm的细粉,分别与5%(w)的轻烧镁粉(≤0.088mm)和4%(w,外加)的结合剂混合,经压球、高温(1 800℃)煅烧等工序制成烧结镁砂,通过研究菱镁矿碎矿粒度配比、结合剂种类(分别为MgCl2溶液、纸浆废液和水)和成型压力(分别为45、135、225、250和300 MPa)对煅烧或烘干后试样致密度的影响。结果表明:将菱镁矿碎矿破碎成≤0.088 mm的细粉,与轻烧镁粉按95 5的质量比配料,采用MgCl2溶液与纸浆废液按3 1质量比混合的复合结合剂,按250 MPa成型压力压球后,在1 800℃保温5 h煅烧制备的烧结镁砂,理化指标达到了国标中MS96牌号烧结镁砂的要求。     

环氧胶泥在三峡二期工程导流底孔缺陷修补中的应用

工程技术人员历来对高流速水工泄水建筑物缺陷的修补极为重视,环氧类材料因其固有的优势而在水利工程中得到广泛应用。对三峡二期工程导流底孔施工缺陷的修补,环氧胶泥这一新型环氧材料在大面积缺陷修补中的成功应用,以及对修补工程所用材料的选择、配方的优化、施工工艺等多方面进行了阐述,以资同行借鉴。     

拓市场 风华高科片式电阻器再攀新高

为了抓住当前元器件市场的良好机遇，加快片式电阻器技改扩产项目的建设与发展，以开拓快速增长的移动通信、数码影像设备制造商客户，实现产品优化升级，在重新洗牌的市场中求发展。近年来风华高科不断加大对片式电阻器的投资力度，从而使片式电阻器的年生产能力突破600亿只，位居国内同行之首。     

多层Ge量子点的生长及其光学特性

用超高真空化学气相淀积系统在Si(100)衬底上生长了多层Ge量子点.分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响.观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移(87meV),Ge量子点的PL谱线的半高宽度(FWHM)为46meV,说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用.     

采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性

通过局域注氧工艺 ,在同一管芯上制作了 DSOI、体硅和 SOI三种结构的器件 .通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性 .模拟和测量的结果证明 DSOI器件与 SOI器件相比 ,具有衬底热阻较低的优点 ,因而 DSOI器件在保持 SOI器件电学特性优势的同时消除了 SOI器件严重的自热效应 .DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近 ,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势 .     

硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的Sol-gel新方法

介绍了一种改进的制备压电厚膜的sol-gel新方法,通过添加聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone,PVP)来抑制厚膜中裂纹的产生.文中讨论了最大无裂纹膜厚与PVP摩尔比及热处理的关系,并给出了BST的SEM显微照片.     

“保险”保险吗?

生命只有一次,所以人们珍惜她。 想想,如果失去的东西可以复得,你会像珍惜生命一样珍惜它吗?