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采用有限元分析方法,研究了一种n型压电半导体纳米线(氧化锌)的电热耦合性能,分析了外部温度对氧化锌纳米线内部机械场、电场及电流场分布的影响,并讨论了本构方程线性化对电学参数的影响。研究结果表明,温度对氧化锌纳米线的电场、载流子浓度和电流密度影响很大,采用线性本构和非线性本构求得的电场、电子浓度和电流密度最大相差分别为24%,32%和68%,基于非线性本构分析压电半导体的电学性能会引起很大误差。该研究结果可为压电半导体器件利用温度调控电场、电流提供理论依据。 相似文献
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随着科技在不断进步,人类应用材料也在不断更新,智能高分子材料的问世是社会发展趋势,也给人民群众带来极大的利益。在建筑工程中智高分子的应用极其广泛,不仅提高了建筑外形的美观度,而且降低建筑工程中存在的安全隐患。本文针对智能高分子材料进行深入研究,并结合相关专业知识阐述智能高分子材料在建筑工程中的应用。 相似文献
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针对深井富水区域施工中遭遇的诸多出水问题,通过详细的水文地质资料调查,分析确定出构造裂隙承压水、帮壁区域性淋水、地质钻孔涌水等不同的出水类型。根据不同的出水特征进行研究比较,选取高效的注浆方法,涉及包括布孔方式、注浆材料、注孔顺序、注浆压力在内的诸多内容。对比现场施工反馈情况,注浆效果良好,完全满足井下施工需求,可供其他类似矿山借鉴。 相似文献
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长期以来,半导体硅材料对信息产业发展起到了决定性的作用。当前纳米集成电路发展起来,使用硅基材料,器件功耗有所降低,运行速度提升,各种负面影响减少。文章着重于探讨纳米集成电路用大直径硅与硅基材料的研究进展。 相似文献
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研究了一种聚乙烯醇(PVA)和胶原(COL)复合支架材料的制备方法。采用氨基硅烷对PVA海绵表面进行了氨基化修饰后,通过戊二醛溶液交联牛Ⅰ型胶原(COL),最后通过赖氨酸溶液封闭,获得一种PVA/COL复合支架材料。采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、傅里叶红外光谱(FT-IR)等手段对支架材料的理化性能进行表征,并通过细胞实验对支架材料的生物学性能进行评价。结果表明,经过COL修饰的PVA孔隙率为21.33%,平均孔径为168.68 ?m且均匀分布,支架材料接触角为20.03°。对支架材料的生物学评价结果表明C3A细胞在复合材料上黏附良好,优于PVA组;CCK-8增殖检测结果表明细胞在复合材料上呈增殖生长趋势,与对照组PVA相比差异显著(P?0.01)。将PVA和COL复合制备得到的支架材料具有良好的理化及生物学特性,具有广阔的应用前景。 相似文献
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以改进Hummer法制备的薄片状氧化石墨烯(GO)为载体和模板负载钴离子,然后采用原位还原法制得纳米金属Co/石墨烯磁性复合吸附材料(Co/rGO),并将其应用于对Cu2+的吸附和脱除,以期为高效可复用的铜离子脱除剂的合成与应用提供指导。实验结果证实,Co/rGO复合材料具有超顺磁性,能够很方便的使用磁铁进行分离并在无磁场情况下振荡分散。Co/rGO复合材料对Cu2+具有稳定的吸附/脱附性能,实验条件下对Cu2+的最大吸附容量达到117.5 mg/g且5 min内实现吸附平衡,远优于其原料GO的60 min吸附容量27.6 mg/g。本工作系统考察了NaOH加入量、络合剂种类、溶剂种类等关键因素对Co粒子在rGO载体上形貌和分布特性的影响,比较了不同合成条件下的复合材料对Cu2+吸附效果的影响,并对优选条件下制备的Co/rGO复合材料进行了FT-IR, XRD, SEM表征。研究结果表明,纳米Co/rGO磁性材料对Cu2+的吸附过程更符合Freundlich模型,属于多层吸附。室温下吸附焓ΔH=17.81 kJ/mol,吸附反应平衡常数Kθ=3.65。当初始Cu2+浓度为39.22 mg/L时,对Cu2+的吸附率为93.47%,五次吸附/脱附循环后吸附容量仍保持在初始值的94%,每次吸附后溶液中残余Cu2+浓度均满足钴电解液对杂质铜离子的浓度去除要求(5 mg/L)或GB 8978-1996污水综合排放标准3级(2 mg/L),有望在相关领域发挥作用。 相似文献