静电感应器件栅源击穿特性的改善

对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究,结果表明,当使用高阻单晶材料作为芯片的衬底和沟道,沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂深度较高时,器件的击民ｇｓ０基本上局限在１０Ｖ以下,与外延层的厚度没有明显关系,作者指出静电感应器件栅 源击穿的特点是由于沟道宽度较窄和源区道区掺杂浓度差异较大两方面的因素共同的。在这种情况下,栅源击穿电压ＢＶｇｚ０与半导体的击穿电场Ｅｂ和沟道宽度Ｗ的关系可表     

用正电子湮没寿命技术研究塑性变形纯Ni的回复过程

本文用正电子湮没寿命方法研究了塑性变形镍(含0.01％杂质)的回复过程的特点及杂质在缺陷回复过程的作用和影响,计算了形变为10％的试样中的位错密度及形成空位团的有效空位浓度。     

氧化锌纳米棒有序阵列的制备及表征

氧化锌是一种重要的化合物半导体,其低维结构在微电子器件领域具有潜在的应用前景.在温和的条件下利用软化学方法在沉积了单层ZnO颗粒膜的玻璃衬底上制备了直径为70～300nm,长约1μm的氧化锌纳米棒有序阵列,讨论了颗粒膜对阵列生长的作用以及水浴温度对晶体结构和形貌的影响.结果表明,产物为纤锌矿结构;ZnO颗粒膜为阵列的生长提供了分布均匀且固定的形核中心,对阵列的有序生长起诱导作用;随着反应温度的升高,阵列直径变小且排列更加有序,但过高的温度会抑制ZnO晶体内部的c轴择优取向作用.研究了ZnO阵列的光致发光特性,初步讨论了其发光机理.     

类金刚石薄膜的辐照及其发展

类金刚石薄膜（以下简称ＤＬＣＦ）是一种极有发展前途的材料,其用途非常广泛。介绍ＤＬＣＦ辐照的现状,指出ＤＬＣＦ辐照效应的研究对其在空间、核聚变反应等辐照环境下应用的必要性和重要性,预测了其发展方向和应用前景。     

某500kV主变压器失灵保护拒动原因分析

某500kV变电站在调试传动过程中,发现500kV主变压器高压侧断路器失灵保护动作后联跳、主变压器三侧功能不能实现。对该回路故障进行了分析,指出图纸设计错误是造成主变压器失灵保护拒动的主要原因,提出了解决方案,从而有效避免了某500kV主变电站失灵保护的拒动和误动。     

静电自组装制备低维纳米结构的最新进展

静电自组装技术是一种能够方便地实现低维纳米结构组装的新工艺.由于其具有工艺简单、所得体系热力学稳定性好等优点而受到众多研究小组的重视.详细介绍了静电自组装成膜驱动力的研究结果和近10年来取得的重要进展,并对静电自组装工艺的优缺点进行了评述.     

射频磁控溅射制备TiO2-xNx薄膜及其光催化特性研究

利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了透明TiO2 和 TiO2-x Nx 薄膜样品,通过 X 射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及 UV Vis分光光度计等测试手段表征了样品的结构、形貌和光催化性能。结果表明制备的薄膜为锐钛矿相结构。随着 N2/Ar气流比的增大薄膜样品出现新的物相,吸收光谱向可见光方向展宽,在N2/Ar流量比为 3∶100 时,制备的薄膜在可见光区具有很好的光催化性能。     

化学气相沉积(CVD)炭/碳复合材料(C/C)研究现状

主要介绍了炭／炭复合材料（C／C）的化学气相沉积（CVD0制备方法及其影响因素，以及热解炭的组织与沉积机理。概括了VCD的基本方法，如等温法、压差法、热梯度法等。分析了温度、气流速率、气体浓度、预制体及孔隙的形状大小状况等对CVD过程的影响。列举了热解炭的组织，包括光滑层、粗糙层、各向同性体碳以及它们的变体，并对其生长特征及性能进行了较详细的描述。综述了热解炭的沉积机理，典型的有分子沉积、固态沉积、液滴沉积机理等。     

正电子湮没技术在聚合物中的应用

介绍正电子湮没技术的实验方法、谱图解析方法，概述近几年该技术在聚合物领域的应用和研究进展。实验结果证明，正电子湮没技术是一种先进的材料微观结构—自由体积的探测和表征技术。同时，提出该技术在聚合物研究中使用测量参数o—ps强度I3计算自由体积分数所存在的问题。     

TiAl中空位团的稳定构形及其对附近空位迁移行为的影响

用分子动力学方法,采用Finnis-Sinclair类型的多体势,对TiAl中小尺寸空位团（N0=2,3,4）的各种可能构形进行了模拟计算,计算了空位团的形成能、结合能,分析讨论了容位团最稳定的构形,在此基础上,研究了空位团对单空位迁移的影响。计算结果表明：在TiAl合金中,组成空位团的每个空位都尽可能地与其它空位保持最近邻关系,空位团附近有反位原子。当空位团较大时,空位团周围的原子会向空位中心埸陷,类似于空位团中包含有间隙原子。已有的空位团可作为空位的凝聚中心具有捕获或吸收附近空位的能力。