忠诚铸红门 全国公安机关爱民模范集体、上海浦东消防支队周渡中队记

引子红门,究竟以什么铸成?是铁,还是钢?在上海浦东消防支队周渡中队,你听到的只有一个坚定的回答:忠诚。中队长钮志华写过一篇论文:《浅论部队管理中的"抓大放小"与"小中见大"》。他认为,"抓大放小"就是一种对宏观的把握,对方向的掌控,而"小中见大"则是细节的落实,本质的体现。     

垂直激励下颗粒物质的质心动力学特性

颗粒物质是一种中微观的物质存在方式,这种存在方式非常普遍,与工农业生产,人们生活都有着密切的关系.长期以来人们对这种媒质的特性研究一直都有着浓厚的兴趣.但由于颗粒物质具有的非常独特的非线性、耗散以及非平衡的特殊性质,对于这种媒质到目前为止还没有一个系统的理论来描述.颗粒物质本身由固体组成,有些情况下则会出现类似液体的流动、对流和表面波动,在较大的激发下还可能会表现得类似于气体[1].     

Structure optimization of high indium content InGaAs/InP heterostructure for the growth of In0.82Ga0.18As buffer layer

Microstructure and misfit dislocation behavior in InxGa1-xAs/InP heteroepitaxial materials grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) were analyzed by high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM), Raman spectroscopy and Hall effect measurements. To optimize the structure of In0.82Ga0.18As/InP heterostructure, the InxGa1-xAs buffer layer was grown. The residual strain of the In0.82Ga0.18As epitaxial layer was calculated. Further, the periodic growth pattern of the misfit dislocation at the interface was discovered and verified. Then the effects of misfit dislocation on the surface morphology and microstructure of the material were studied. It is found that the misfit dislocation of high indium (In) content In0.82Ga0.82As epitaxial layer has significant influence on the carrier concentration.     

APMOCVD生长条件对GaN晶体和光学性质的影响

报道了用国产ＡＰＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ材料。研究了ＧａＮ过渡层生长温度、氮化时间、Ⅴ／Ⅲ比对ＧａＮ外延层晶体质量、光学性质的影响。发现低温生长ＧａＮ过渡层和氮化处理有利于提高ＧａＮ外延层晶体质量，高Ⅴ／Ⅲ比可以抑制ＧａＮ外延层中５５０左右的发光。     

振动下颗粒物质系统中纽结孤立波的实验观察

实验表明,垂直振动下条件的颗粒物质可以呈现出诸如隆起、对流、分层及表面波动等现象[1].其中表面波动的现象,在三维和二维系统中都已有报导[2][3][4].在我们关于二维系统所作的工作中,除了已知的f/2和f/4波动外(f为激励频率)[3],我们还观察到了扭结孤立波及其他的扭结现象.本文将主要介绍我们在这方面的工作.     

低压MOCVD设备设计

采用了一种新的设计原理，即以流量计为基准，将气体入口端和出口端压力双重分别统一控制，进行了低压ＭＯＣＶＤ设计。本设备引入模拟反应室，减少了在ＶＥＮＴ－ＲＵＮ转换时反应室内的压力波动，为确保材料生长的生均匀性提供了有利条件。     

碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性

采用电泳法将碳纳米管组装到电化学淀积的银台阵列上作为场发射阴极并研究了它的场发射特性.场发射特性测试结果表明:该阴极具有优异的场发射特性,开启电场为2.8V/μm,在应用电场为5.5V/μm时,发射电流密度达到1.7mA/cm2.具有优异的发射性能的原因可以归结到银台的边缘和银台类山状的表面增强了碳纳米管的场致电子发射.该阴极制备工艺简单、发射特性优异,且容易实现大面积制备,可以应用到大面积场发射显示器件中.     

共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟

设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GalnAsSb／GaSb光电探测器结构。在这种结构中，上反射镜是由9．5～15．5个周期的InAs／GaSb QWS组成，下反射镜由3个周期的SiO2/Si QWS组成。器件上表面镀有一层高透射率的抗反射层。计算表明，在设计的工作波长2．4μm，器件可以获得大约(91～88)％的量子效率。在2～2．9μm波长范围器件的量子效率有两个峰，这使得器件可以作为双色探测器来工作。