排序方式: 共有38条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。 相似文献
12.
Based on the principles of metal-semiconductor-metal Schottky barrier photodetectors(MSM-PD), using the carrier rate equations,the circuit simulation model of a GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector is constructed through an appropriately equivalent process.By using the Pspice analytical function of Cadence soft on the model,the relationship between the photocurrent and the terminal voltage under different UV light powers is analyzed.The result shows that under the given UV power,the photocurrent increases and tends to become saturated gradually as the terminal voltage of the device increases,and that under different UV powers,the photocurrent increases with increasing incident power.Then the analysis of the relationship between the photocurrent and the terminal voltage under the different ratios of interdigital electrode space and width is carried out when the UV power is given.The results show that when the ratio of interdigital electrode space and width(L/W) equals 1,the photocurrent tends to be at a maximum. 相似文献
13.
电泳淀积图形化碳纳米管场发射阴极及其场发射特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于电泳和半导体工艺,制备了图形化的碳纳米管场发射阴极。用较高的电场激活碳纳米管薄膜,使得碳纳米管的场发射特性有了很大的改善,讨论了这一激活过程的物理机制。研究表明,这一激活过程可能的物理机制一方面是由于碳纳米管薄膜表面形貌发生了变化,增大了碳纳米管的场增强因子;另一方面是由于碳纳米管表面吸附的气体脱附,降低了碳纳米管的表面功函数。电场激活处理后,碳纳米管薄膜的开启电场为2.1 V/μm,应用电场为6 V/μm时,电流密度达到1.19mA/cm2。该图形化的碳纳米管场发射阴极可以应用到高分辨率场发射显示器。 相似文献
14.
颗粒物质在自然界比比皆是,而且他们与人类的生产(如工业、农业、建筑业等)和生活息息相关.在受到振动激励时,颗粒物质会呈现类似流体的行为,例如波动、对流、隆起、及分层等.自上世纪九十年代,对这类现象的研究逐渐成为热门课题.对这些基本现象的深入研究,对人类认识自然、改造自然均具有极其重要的理论与现实意义,并有重要的应用前景. 相似文献
15.
"‘红星’闪闪放光彩,‘红星’闪闪暖胸怀……"事后回忆起来,我的耳边、不,整个会场里始终回旋着这支曲子。尽管是不同年代的"红星",尽管是不同意义的"红星",但是,对红星农场消防队的队友们来说,此时此刻,谁都不会觉得这支以童声演唱的歌曲有什么不合时宜,相反,每个人都因为红星有了一种被召唤的感觉,每个人都因为红星有了一种再闪烁的感觉。转眼间,四十年。于是,就有了这个"红星农场消防队四十周年联谊会";于是,就有了这副对子:上联是"忆当年,红门兄弟共战火场",下联是"看今朝,白发朋友同叙衷肠",而创作这副对子的陈伟铭又特地在现场加了一个横批:"精彩人生";于是,就有了"红星"闪闪亮,照我去回想—— 相似文献
16.
17.
热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性 总被引:1,自引:1,他引:0
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10 μm碳纳米管线阵列以及2 μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3 V/μm、2.1 V/μm和1.7 V/μm;而当电场强度达3.67 V/μm时,相应的电流密度分别为2.57 mA/cm2、4.65 mA/cm2和7.87 mA/cm2. 实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善.对改善的原因进行了分析和讨论. 相似文献
18.
MOVPE生长GaN过渡层的AFM分析 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了原子力显微镜对MOVPE生长GaN材料过渡层表面结构的观察,重点分析了氯化、退火前后过渡层结构变化的原因及其对外延生长晶体质量的影响,探讨了不同条件下GaN成核模式的变化,对GaN材料的生长初期成核机理有了进一步的了解,通过优化生长条件,最终获得了X射线双晶衍射半峰宽为5arcmin,表面明亮的高质量GaN外延层。 相似文献
19.
20.