数字电路中电源电压瞬间下降的成因及改进

通过分析数字集成芯片多输出中电源电压瞬间下降的原因,对常规驱动电路结构进行改进。改进后单输出电路的峰值电流降为原来的2/3,再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压下降,使芯片正常稳定地工作。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

电压源逆变器供电感应电机系统的直接转矩控制综述

本文回顾了近年来在电压源逆变器供电的感应电机系统中采用的直接转矩控制（DTC）技术。阐述了以下几种控制方案，基于开关矢量的DTC（ST-DTC），转矩直接自控制（DSC），恒开关频率空间矢量调制DTC（DTC-SVM）。同时，本文也介绍了基于神经模糊逻辑控制器的这种最新技术的DTC-SVM。文中给出了一些波形图来说胆这些控制特性。     

ADI公司电源时序控制器

美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc．）宣布，PICkit2开发编程器现可对特定PIC单片机产品进行在线调试。据称这将有助于工程师、学生及任何有兴趣的人以非常低的初始投资，对PIC单片机产品进行开发和评估。     

NI PXI／SCXI RF：多路复用开关模块

NI推出NIPXI和SCXI RF多路复用开关模块，可在电信、军事／航空航天和自动化测试应用中，帮助用户发送精确的无线电信号。所有的开关模块均提供了电压驻波比（voltage standing wave ratio，VSWR）、隔离和连接损耗规格，以保证在整个频率范围内的信号完整性。该模块具有内置式的继电器计数跟踪，以便对模块进行可预测的维护。     

一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源

文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路，该电路采用工作在亚阈值区的电路结构，并采用高增益反馈回路，使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。     

白石窑水电厂4号机定子线圈端部击穿事故原因分析及处理方法

对白石窑水电厂4号机定子线圈端部击穿事故原因进行分析，并提出具体的处理方法，为4号机组在丰水期尽快恢复运行多发电，赢得了时间，可作为同类型事故预防及处理的借鉴、参考。