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采用陶瓷先驱体转化法连接Cf/SiC复合材料。针对Cf/SiC复合材料的不同连接界面特性,采用不同的连接配方和工艺。结果表明:对于第一类以SiC相为主的连接界面,采用单一的聚硅氮烷即可实现Cf/SiC复合材料的连接,当连接温度为1300℃,经两次浸渍/裂解增强处理的连接件接头抗剪强度达最大值29.6MPa;连接层厚度为2~3μm,其结构较为均匀致密,由无定型SiNC陶瓷组成;对于第二类以C纤维端面为主的连接界面,采用聚硅氮烷并加入活性填料纳米Al粉来实现其连接:当连接温度为1150℃,经两次浸渍/裂解增强处理的连接件抗剪强度达最大值22.5MPa;连接层厚度约为30μm,连接层中含有SiC、Si3N4和AlN等相。 相似文献
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为了研究铸造Ti60的高温氧化形貌,采用熔铸法制备了Ti60合金铸锭,并利用金相显微镜、电子天平、SEM研究了铸态Ti60的金相组织,在不同加热温度保温5 h的氧化增重和表面形貌.结果表明,铸态Ti60的金相组织为针状(α+β)+少量富钕颗粒;在700℃-1 100℃,随着加热温度的升高,铸造Ti60氧化加重,形成氧化钛膜;700℃-900℃,试样增重只有0.110%-0.609%;1 100℃氧化增重严重,达到9.137%;钛的氧化增重为吸氧.铸态Ti60试样表面形貌,700℃氧化钛膜很薄较致密;900℃试样表面有较多的白色颗粒和少量腐蚀坑,表面不致密;1 000℃形成片状和块状TiO2;1 100℃氧化层为厚大块状的TiO2.氧化过程为高温时,氧化膜粗大变得疏松多孔,氧通过氧化膜扩散进基体. 相似文献
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多晶铁纤维吸收剂微波复磁导率和复介电常数的理论计算 总被引:18,自引:1,他引:17
由麦克斯韦方程出发,导出了多晶铁纤维吸收剂微波复磁导率和复介电常数的理论计算公式;通过对5GHz频率点多晶铁纤维吸收剂的数值计算,分析了多晶铁纤维的直径、长径比及电导率等对其电磁参数的影响。 相似文献
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结构型RAM对斜入射电磁波的反射和透射 总被引:4,自引:0,他引:4
从电磁场理论出发导出了电磁波斜入射时结构型RAM的反射因数和透射公式;讨论了本文公式与其它公式的关系;通过算例说明了公式的应用,并得到了关于结构型RAM斜入射特性的一些重要结论。 相似文献
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通过固定N层和Ti N层的沉积时间,改变Ti层沉积时间,在AZ31镁合金表面采用直流磁控溅射技术制备N-Ti-Ti N镀膜,研究镀钛时间对N-Ti-Ti N镀膜的形貌、腐蚀性能的影响。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪等手段分析镀膜的表面形貌和成分,通过动电位极化试验,研究镀膜的耐蚀性。结果表明:改变不同镀钛时间获得的N-Ti-Ti N镀膜的厚度在1~1.4μm之间,镀膜分布均匀,随着镀钛膜沉积时间的增加镀膜的厚度增加,膜间结合性好;与镁合金基体相比,不同镀钛时间的N-Ti-Ti N镀膜均能提高材料的耐蚀性,镀钛时间为20 min的N-Ti-Ti N镀膜的耐蚀性更为优异。 相似文献