一种高精度低输出电压的带隙基准

分析了电流模式带隙基准的基本结构及其缺陷,提出了一种高阶温度补偿的改进型电流模式带隙基准。在此基础上,进一步给出了一种高低温分段二次补偿结构。分析了影响电源抑制比的因素,列出了一种高增益运放的结构和仿真结果。针对电流模式带隙基准中的线性补偿电阻,设计了熔丝调节结构。将该带隙基准应用在基于CSMC 0.18 μm CMOS工艺的16位高精度数模转换器中。测试结果表明,该带隙基准的输出电压为900 mV。在-40 ℃~125 ℃温度范围内,温度系数低至3×10-6/℃。低频时,电源抑制比达-109 dB。     

单片机开发系统综述

简单介绍了单片机开发系统的概念、功能及分类 ;然后具体介绍单片机开发系统的构成 ,包括开发工具和开发过程以及单片机开发系统的选择。     

0.9μmASIC正向设计中DDB的产生及验证

讨论了 0 9μm标准单元正向设计流程中 ,后道工具所需的中间数据格式—DDB的产生方法及步骤 ,同时给出了DDB的验证方法。     

基于4位嵌入式MCU的计算器电路综述

对基于 4位嵌入式微控制器的计算器电路进行了综述 ,包括功能框图与工作原理、指令系统、内核硬件结构以及系统与外界接口等。     

超低功耗逐次逼近寄存器型模数转换器的设计

采用逐次逼近方式设计了一个12 bit的超低功耗模数转换器(ADC).为减小整个ADC的芯片面积、功耗和误差,提高有效位数(ENOB),在整个ADC的设计过程中采用了一种改进的分段电容数模转换器(DAC)阵列结构.重点考虑了同步时序产生电路结构,对以上两个模块的版图设计进行了精细的布局.采用0.18 μm CMOS工艺,该ADC的信噪比(SNR)为72 dB,有效位数(ENOB)为11.7 bit,该ADC的芯片面积只有0.36 mm2,典型的功耗仅为40 μW,微分非线性误差小到0.6 LSB、积分非线性误差只有0.63 LSB.整个ADC性能达到设计要求.     

亚微米ASIC正向设计中的电源及地考虑

介绍了ＡＳＩＣ设计过程中电源，地压点个数的选择原则；列出了芯片内部电源、地布线宽度的计算方法；讨论了电源，地线在芯片上的走向；最后给出了设计实例。     

一种采用RISC构架的4位微控制器

首先介绍了我们所设计的基于RISC构架的4位MCU的功能框图和硬件资源，然后从硬件的角度分析了微控制器的内核部分的结构，并对其中的一些比较重要的模块作了简单介绍，最后从软件的角度给出了指令系统。     

基于4位嵌入式MCU的计算器电路综述

对基于４位嵌入式微控制器的计算器电路进行了综述，包括功能框图与工作原理、指令系统、内核硬件结构以及系统与外界接口等。     

ASIC设计中测试矢量产生与验证

介绍了ASIC设计过程中测试矢量的产生与验证步骤，包括激励编写规划、波形检查、测试矢量的获得以及测试矢量的验证。