掺铒光纤放大器泵浦源用980nm量子阱激光器

我们利用分子束外延（ＭＢＥ）方法研制出了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到１４０Ａ／ｃｍ２，激发波长在９８０ｕｒｎ左右．通过脊型波导结构的制备，获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的９８０ｕｒｎ量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为１５ｍＡ和０．８ｍＷ／ｍＡ，基横模的输出功率大于８０ｍＷ，器件在５０℃，８０ｍｗ的恒功率老化实验表明，器件具有较好的可靠性．通过与掺铒光纤的耦合，其组合件出纤功率可达６０ｍＷ以上．     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱掩埋条形激光器

利用ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相外延二次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体激光器．经腔面镀膜后，器件已稳定工作４５００多小时．     

Two-Dimensional Quantum Well Wire Semiconductor Laser Arrays

ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ合金型异质结价带偏移的研究中，采用以平均键能为参考能级的ΔＥｖ理论计算方法，得到ΔＥｖ（ｘ）＝０．５３１ｘ＋０．００１ｘ２的理论计算结果．该计算结果与目前的一些实验结果符合较好．     

半导体四层漏光波导的分析

直接从四层平板漏光波导解麦克斯韦尔方程,推导了它的本征方程.用传播常数微扰技术推导了一个比W.Streifer等人的结果更精确的近似公式,并对计算结果出现的△n的符号问题进行了讨论,得到判别出现正负值的条件.介绍了对GaAs-AlGaAs材料的一些计算结果,并与w.Streifer等人的近似作了比较.     

在脊形波导级联双区量子进激光器中皮秒光脉冲的产生

本文讨论脊形波导级联双区增益（或Q）开关MBE生长量子阱皮秒激光器的工作原理和实验，测得的脉冲半峰宽FWHM＜60ps，与理论值符合很好。     

量子阱半导体激光泵浦Nd:YLF连续激光器

本文报导了用国产多量子阱激光二极管列阵(MQW-LOA)泵浦外腔式Nd:YLF获得连续1.047μm的激光输出。阈值功率为11mW,斜率效率为24％。理论模拟和实验结果基本一致。     

GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计

本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法.     

GaAs激光器几个物理量的测量

GaAs激光器是在很大的电流密度下工作的,因此器件的串联电阻(体电阻和接触电阻)对器件的性能有很大影响。为了得到尽可能小的串联电阻,首先必须判定GaAs和金属电极之间的接触是否是欧姆接触,并测出器件串联电阻的数值。     

GaAs—Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH结构中的界面复合

一、界面复合速度的测量: 1) 原理: 图1是GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH结构的示意图。注入到p-GaAs层内的少数载流子(电子)的寿命由体内复合和界面复合决定。令两组样品的p-GaAs层厚度为d_1和d_2,则可测出     

建筑物基础最终沉降的灰色预测

以工程数学理论为基础,运用灰色预测的方法,对建筑物基础的最终沉降变形进行预测。通过建立数学模型进行最终沉降量计算,并与实际观测值相比较,具有较高的精度和使用价值。