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41.
Si基β-SiC薄膜外延生长技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在P型Si(100)衬底上进行了β-SiC薄膜异质外延生长。利用俄歇电子能谱、SEM及X射线衍射能谱进行了生长薄膜微结构分析。提出并讨论了外延生长β-SiC薄膜的最佳工艺条件及其生长机理。  相似文献   
42.
李跃进 《广东电力》1999,12(1):46-47
高压电动机定子线圈断股或接触不良引起的损坏在电动机事故中占很大比例。介绍了一种快速寻找该类故障的方法,并提出相应的防范措施。  相似文献   
43.
一、明确主体地位,“费用”袋子收好口 随着教育规模的不断扩大,政府对学校的教室、寝室、食堂、运动场地等投入明显不足,“校长们”想尽一切办法“收费”。学校是政府的学校,政府是投入主体,学校是消费主体,政府要想方设法弥补学校“差钱”缺口。只有这样,教育“乱收费”才会得到根本杜绝。为了调动学校办学的积极性,政府可在学校管理、教育、教学等领域里设置“抓手”,根本上突出政府在收费问题的主导地位。  相似文献   
44.
正Based on thermionic emission theory,a model of a 6H-SiC metal-semiconductor-metal(MSM) ultraviolet photodetector is established with the simulation package ISE-TCAD.A device with 3μm electrode width(W) and 3μm electrode spacing(L) is simulated.The findings show that the MSM photodetector has quite a low dark current of 15 pA at 10V bias and the photocurrent is two orders of magnitude higher than the dark current.The influences of different structures on dark and illuminated current-voltage characteristics of the MSM photodetector are investigated to optimize the device parameters.Simulation results indicate that the maximum photocurrent and the highest ratio of photocurrent to dark current at 15 V bias are 5.3 nA and 327 with device parameters of W=6μm,L=3μm and W =3μm,L=6μm,respectively.  相似文献   
45.
因山区地形复杂,凹凸不平,致使0.618三极法中电流、电压极位置对测量结果影响很大。利用卫星定位导航仪(GPS45C)测距较准确,能保证测试数据的真实、可靠。  相似文献   
46.
研究了1000~1200℃温度下干氧和湿氧中6H-SiC材料的氧化特性,讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系,实验结果表明,在相同的生长条件下,6H-SiC材料的氧化层厚度远小于Si的氧化层厚度,且遵循相同的生长规律。  相似文献   
47.
在复合材料上成孔的机械式微孔装置的工作原理,主要技术性能参数、设计中应注重的环节以及在实际应用反映出的问题以及夏合材料徽孔技术的发展趋势。  相似文献   
48.
基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,结果表明随着掺杂浓度的增加能带间隙呈现减小的趋势.  相似文献   
49.
一种中频数字化接收机的硬件实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍了一种基于软件无线电的中频数字化接收机的硬件设计,给出了总体设计方案,说明了系统功能,主要芯片的功能特性及关键部分的硬件连接。  相似文献   
50.
PowerPC 603e是一款高性能、低成本、低功耗的32位超标量RISC微处理器。本文简要介绍了PowerPC 603e结构,详细介绍了PowerPC 603e动态功耗管理、静态功耗管理设计技术及一些低功耗技术。最后给出了PowerPC的发展现状.  相似文献   
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