微型压阻式压力传感器的研制

用微机械加工技术开发出一种微型方杯压阻式压力传感器。文中介绍了微型压力传感器的设计思想和研制工艺中的关键技术，并给出了该传感器的参数。测试结果表明该传感器的主要性能已达到国内先进水平。     

一种新颖连杆机构在包装机械中的应用

本连杆机构用于自动包装生产线的自动接料机的接送料部分，用这一机构控制接料板的开合和升降。该连杆机构的结构新颖，在实际生产中显示出了结构简单，运行可靠，占用空间小等优点。对该机构作了初步分析探讨。     

非"均衡布线"对VLSI可靠性的影响

在VLSI的制造过程中,常常由于设计中布线的不均衡,导致芯片性能不稳定或者失效.文章根据一些工艺生产线上的实践,提出了“均衡布线“的概念,并且在集成电路设计、工艺等方面,提出了在非“均衡布线“时影响电路可靠性的一些主要因素(负载效应、应力迁移、电迁移、串扰等)及相应的解决措施.     

一种稳定的RLC互连Π模型构建及其应用

基于RLC互连树节点导纳的低阶矩构建了一种稳定的互连π模型，并讨论了它在互连树延时和逻辑门延时估计中的应用．结果表明，该模型与已有方法相比精度有一定程度的提高．     

碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究

SiC MOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料，然而，制作反型沟道迁移率较高的SiC MOSFET工艺尚未取得满意结果。通过在N0中高温退火可以显著地提高4H—SiC MOSFET的有效沟道迁移率；采用H2中退火制作的4H—SiC MOSFET阈值电压为3．1V，反型沟道迁移率高于100cm^2／Vs的栅压的安全工作区较宽。N20退火技术由于其的安全性而发展迅速并将取代N0。     

硅基PZT压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究

对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细的实验研究,最后成功地制备出硅基PZT压电薄膜微传感器样品.这对集成化芯片系统的进一步发展打下了良好的实验基础.     

基于"有效电容"的RLC互连树延时分析

在VLSI设计中，互连延时估计一直是很受关注的问题之一．提出了一种基于“有效电容”的RLC互连树延时分析的方法．把这种新方法与等效Elmore延时分析的方法做了仿真比较．结果显示，基于有效电容的RLC互连树延时分析方法误差要小于等效Elmore延时分析的方法．     

32位RISC微处理器内部时钟电路的设计

本文介绍了一种用于32位超标量RISC微处理器(SM603e)内部时钟产生器的锁相环电路。该锁相环的锁定时间低于15us，功耗小于10mW。文中主要讨论了鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器以及压控振荡器的电路实现方案并且给出了部分仿真波形。锁相环支持内外时钟频率比是：1、1．5、2、2．5、3、3．5、4，而且支持多种静态功耗管理下的掉电功能。