室温红外探测薄膜电阻温度系数测试技术

薄膜电阻温度系数的准确测定对红外探测薄膜材料的研究有着十分重要的意义.研究了薄膜电阻温度系数实时测试技术,重点考虑微弱信号放大和噪声有效抑制,实现了微小间隔下对温度和电阻同时采集,以及数据的精确处理.采用该测试系统准确地测试出几种常用红外探测薄膜材料的电阻温度系数.     

射频磁控溅射制备HfMoNbZrNx薄膜的组织和性能

利用射频磁控溅射技术分别在单面抛光Si(001),Al₂O₃(0001)和硬质合金(WC-8 wt.%Co)基底表面沉积HfMoNbZrN_x薄膜,研究不同氮气流量R_N对HfMoNbZrN_x薄膜的组织和性能影响。结果表明,HfMoNbZr薄膜倾向于形成非晶态,随着R_N的增加,HfMoNbZrN高熵合金氮化薄膜转变为面心立方(FCC)结构并且沉积速率下降;当R_N=10%时,薄膜硬度和弹性模量最大,分别为21.8GPa±0.88GPa和293.5GPa±9.56GPa;所有薄膜均发生磨粒磨损,相较于多元合金薄膜,氮化物薄膜的磨损率下降了一个数量级,薄膜耐磨性显著提高。     

ARM系统中DMA方式在数据采集中的应用

讨论了ARM系统中DMA通道的工作原理,并利用DMA技术设计了基于S3C2410和FPGA的CCD相机采集系统,给出了数据采集接口设计方案,以及Linux操作系统下接口的设备驱动程序.测试结果表明系统工作稳定,数据采集速率可以达到4 MHz.     

探究以应用项目为基础的机械制图课程改革

教育的发展对于我国综合国力的提高有着非常重要的影响。培养出适应社会发展的专业型人才是教育改革的重点问题。究其根本,是对传统的课程的改革。就机械制图课程而言,传统的教学过程中存在着很多的不足之处。机械制图课程是需要理论和实践相结合的一门课程,为了培养出新一批机械制图型人才,在项目课程的基础上对机械制图的课程进行改革势在必行。本文从机械制图的概念、现状以及课程改革等几个方面,通过对教学内容、方式、手段、学生制图的探究和对教学内容、模式、方式、实践的课程改革的讨论有效地改善教学方法,提高学生的专业技能。     

溅射沉积Mg2(Sn,Si)薄膜组织结构与导电性能

采用Mg-Sn-Si-Bi合金和高纯Mg双靶,通过转动基材并调节Mg靶溅射时间,在单晶Si(111)衬底上顺序沉积并获得了Mg含量变化的Mg-Sn-Si-Bi薄膜。结果表明,保持合金靶溅射时间不变,薄膜中Mg的含量随Mg靶溅射时间的延长明显增大,同时薄膜中Sn、Si的含量呈减小趋势。薄膜中Mg含量的变化导致其相结构和导电性能发生改变。当Mg含量(原子分数)由71.437%变化到64.497%,薄膜具有单一的立方Mg2(Sn, Si)固溶体相结构;当Mg含量减小到59.813%及以下时,薄膜中Mg2(Sn, Si)固溶体相消失而出现立方Mg2Sn和立方Mg2Si两相;随Mg含量进一步减小到54.006%,薄膜中除Mg2Sn相外还出现了金属Sn相,并且该金属相含量随Mg含量的减少而增大,相应的立方Mg2Sn相含量减少,但Mg2Si相含量几乎没有变化。单一固溶体立方相结构的薄膜具有较大的载流子浓度和迁移率,因此电导率较大。然而,薄膜中金属Sn相的出现导致载流子迁移率显著下降,薄膜导电率也明显降低。     

同频邻频干扰下1.8GHz频段CBTC工作频段和布站间隔优化

现行基于通信的列车自动控制系统(CBTC)部署于2.4 GHz免执照频段,易受手持Wi-Fi热点干扰,已造成深圳和北京多起地铁紧急制动事故.在1785～1805 MHz频段同频邻频先用通信系统的干扰下,为CBTC系统选择合适的部署频段、工作带宽和布站间隔,提高其系统吞吐量并降低紧急制动概率十分必要.针对该问题,首先通过分析确定干扰研究场景,并基于确定性计算的方法得到干扰方和CBTC列车端之间的安全隔离,随后通过系统级仿真比较不同条件下CBTC系统下行链路的吞吐量和CBTC系统紧急制动概率,得到适合CBTC部署的工作频段、带宽和布站间隔.     

溅射沉积掺Ag的SnSe薄膜的微结构和热电性能

使用粉末烧结SnSe合金靶高真空磁控溅射制备掺杂Ag的SnSe热电薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等手段分析薄膜的相组成、表面形貌、截面形貌、微区元素含量和元素分布,利用塞贝克系数/电阻分析系统LSR-3测量沉积薄膜的电阻率和Seebeck系数,研究了不同Ag含量SnSe薄膜的热电性能。结果表明,采用溅射技术可制备出正交晶系Pnma结构的SnSe相薄膜,掺杂的Ag在薄膜中生成了纳米Ag₃Sn。与未掺杂Ag相比,掺杂Ag的SnSe薄膜其电阻率和Seebeck系数(绝对值,下同)明显减小。并且在一定掺杂范围内,掺杂Ag越多的薄膜电阻率和Seebeck系数越小。未掺杂Ag的SnSe薄膜样品,其Seebeck系数较大但是电阻率也大,因此功率因子较小。Ag掺杂量(原子分数)为7.97%的样品,因其Seebeck系数绝对值较大而电阻率适当,280℃时的功率因子最大(约为0.93 mW·m^-1·K^-2),比未掺杂Ag的样品(PF=0.61 mW·m^-1·K^-2)高52%。掺杂适量的Ag能提高溅射沉积的SnSe薄膜的热电性能(功率因子)。     

超薄Ti膜吸收率的尺寸效应

研究了超薄Ｔi膜吸收率和直流电导率与薄膜厚度的关系,结果表明,超薄Ｔi膜的吸收率具有尺寸效应,并具有极大值,其结构特征变化是导致吸收率尺寸效应的重要原因。     

ZnO:Al薄膜的组织结构与性能

用直流磁控反应溅射合金制备了ＺｎＯ薄膜,研究了衬底温度和退火温度对薄膜的结构及电学和光学性能的影响。衬底温度升高能改善薄膜的电学特性,其原因是薄膜晶粒尺寸的增大。温度升高导致薄膜基本光学吸收边向短波移动,但对高透射区（４５０～８５０ｎｍ）的透射率影响不大。