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研究了两种提纯全氟化合物的程序:采用浓碱分解杂质和用过渡金属的氟化物催化元素氟的补充氟化。介绍了若干类型已提纯产物(全氟烷烃、醚和叔胺)的特性。讨论了某些类型全氟化合物——烷烃、醚、叔胺、环状类似物基于它们的物理化学性能而进行分类的问题。建立了全氟化合物沸点变化与碳原子数目之间的联系,提出了相应的经验公式。讨论了若干类型全氟有机化合物的相互替代问题,供介电材料的应用。考察了混杂副产物对于全氟化合物介电性能的影响。 相似文献
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掺纳米Al2O3的纳米ZrO2(4Y)固体电解质的电性能 总被引:8,自引:1,他引:8
以纳米ZrO2(4Y)粉和纳米Al2O3粉为原料, 单轴成型, 1 200, 1 300 ℃无压烧结. 对掺不同质量分数(0.0~5.0%)Al2O3的ZrO2(4Y)烧结体, 用XRD, SEM和TEM研究了相组成和微观结构. 在不同温度下(300~1 000 ℃)测试了交流阻抗谱, 发现掺很少量的纳米Al2O3可降低ZrO2(4Y)的晶粒电阻. 但随着Al2O3掺入量的增加, 晶界电阻增大, 晶粒电阻也有所回升. 晶粒和晶界电导活化能则随Al2O3掺入量的变化不大. 对1 200 ℃,2 h烧结样品, 在1 000 ℃时, 掺0.5% Al2O3的ZrO2(4Y)样品有最大电导率, 为3.8×10-2Ω-1·cm-1. 相似文献
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锰掺杂对PNW-PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
采用传统陶瓷工艺制备了Pb(Ni1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Ti,Zr)O3-xMnO2压电陶瓷,分析了经1150℃烧结2h制备的陶瓷样品的相结构组成。实验结果表明:所有陶瓷样品均为钙钛矿相,未发现其它晶相。随着锰掺杂量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大。研究了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷介电和压电性能的影响。结果表明:随着锰掺杂量的增加,材料逐渐变“硬”,当MnO2掺杂量少于0.2%(按质量计,下同)时,相对介电常数εr、压电常数d33和机械品质因数Qm逐渐增加,介电损耗tanδ减小;当MnO2掺杂量多于0.2%时,εr、d33和Qm逐渐降低,tanδ增加。随着锰掺杂量的增加,机电耦合系数kp和Curie温度θc逐渐减小。MnO2掺杂量为0.2%的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其压电性能为:εr=2138,tanδ=0.0058,kp=0.613,Qm=1275,d33=380pC/N和θc=205℃。 相似文献
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48.
聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜的制备与介电性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶法制备了BTDA-ODA聚酰亚胺/SiO2杂化膜,利用红外分光光度计(FTIR)、热重分析仪(TGA)和透射电镜(TEM)研究了杂化膜的微观结构和热性能,并对杂化膜的介电常数(e)和介电损耗(tand)随SiO2粒子含量和电场频率的变化进行了分析和讨论。结果表明:杂化膜的介电常数和介电损耗随SiO2粒子含量的增加而增大,随电场频率的升高而逐渐降低,用考虑到粒子的形状因素和两相间相互作用的EMT模型可以预测聚酰亚胺/SiO2杂化膜的介电常数。 相似文献
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研究了Li_2O–B_2O_3–SiO_2玻璃(LBS)对MgTiO_3–CaTiO_3(MCT)介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响,分析了MCT陶瓷与银电极的共烧行为。结果表明通过液相烧结,LBS能有效降低MCT烧结温度至890℃。X射线衍射结果显示有Li_2MgTi_3O_8、硼钛镁石以及Li_2TiSiO_5等新相生成。随着LBS添加量的增大,陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低,介电常数εr、品质因数与谐振频率乘积Q×f也呈现下降趋势,频率温度系数τf向负值方向移动。添加质量分数为20%的LBS的0.97MgTiO3–0.03CaTiO3陶瓷在890℃烧结4h,获得最佳性能εr=16.4,Q×f=11640GHz,τf=–1.5×10–6/℃。陶瓷与银电极共烧界面结合状况良好,无明显扩散。该材料可用于制造片式多层微波器件。 相似文献
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