Bi_2Cu_(0.1)V_(0.9)O_(5.35-δ)固态电解质化学溶液法的合成与性能

用化学溶液法合成了Bi2Cu0.1V0.9O5.35-δ(BICUVOX.10)材料,研究了材料的物相、表面形貌和电学特性.BICUVOX.10薄膜具有室温稳定的高电导γ相.在LaNiO3/Si衬底上,BICUVOX.10薄膜具有(001)择优取向,平均晶粒大小约为200nm.低频范围的介电损耗来源于氧空位的短程扩散,BICUVOX.10薄膜主要表现为晶粒电导特性.BICUVOX.10薄膜中氧离子电导激活能约为0.3 eV,氧离子电导率约为5×10-2S.cm-1.     

0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3薄膜中自极化效应诱导的稳定热释电系数

采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3,并研究了其铁电和热释电性质.X射线衍射结果表明薄膜具有高度的(111)择优取向.结果显示,在没有任何极化处理情况下,薄膜具有稳定的热释电系数,达到1.58×10~(-8) Ccm~(-2)K~(-1).当极化电场高于3倍薄膜的矫顽电场时,薄膜的热释电系数几乎保持不变.撤掉极化电场后,薄膜的热释电系数在10天后仅仅衰减4%左右,远比PZT薄膜稳定.研究发现不同方向极化处理,薄膜的热释电电流具有非对称性,即正向极化时热释电电流随电场增加而增大,负方向极化处理时,热释电电流随电场增加而减小.这些结果显示0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3表现出的优异热释电特性起源于薄膜中的自极化效应.     

波长扫描法测量光纤偏振模色散研究

利用基于波长扫描法而改进的测试装置对一段很短长度(2m)保偏光纤进行了测量,采用极值密度法计算光纤的偏振模色散.在计算过程中采用了一种有效的信号提取方法,大大降低了噪声的影响,提高了测量的准确度.     

窄禁带半导体的光电跃迁效应

光电跃迁效应是窄禁带半导体红外探测器的基本物理过程。本文主要论述窄禁带半导体碲镉汞的带间光吸收跃迁的理论和实验。文中阐述了带间光吸收效应的基本规律的发现及其科学意义,介绍了这些规律在碲镉汞红外探测器材料器件设计中的应用,以及它在解释近年来发现的HgCdTe光电二极管电致负荧光现象方面的应用。     

铁电半花菁染料Langmuir-Blodgett膜

通过静态电荷积分法测量出66层半花菁Z型LB膜在室温下的热释电系数为12μCm-2K-1,其品质因数FD=35μCm-2K-1.再由其所观测到的电滞回线现象可证实它还具有铁电性,进而表明其热释电效应较强.     

AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

通过低温强磁场下的磁输运实验，研究了AlxGa1-xN／GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质。1．4K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5．4T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象。用Dingle作图法得到本样品rq的大小为0．17ps。结果表明，本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g‘‘。用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g‘‘增强效应。在磁阻测量中改变磁场方向，自旋分裂现象表现出各向异性。用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性。     

多功能半导体光电性质测试电路的设计

设计了一个多功能半导体光电性质测试电路。配合红外光谱仪,该电路能完成相应波段的光电流谱测试。设计还加入了交流信号发生器功能,可用于半导体弱电场调制反射光谱测试,具有很高的应用价值。该电路在为半导体样品提供低噪声、高稳定性的电学测试环境的同时,也具备友好的人机交互接口,可实时地对测试条件进行控制和监视。文章分析介绍了电路系统中各个模块的硬件结构,并对设计中应用的两个主要芯片及其与单片机的接口电路进行了详细描述.     

用室温红外透射谱研究Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜的组份分布

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布，并与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）测量结果进行了比较     

Hg_(1-x)Cd_xTe探测器表面积累层的磁输运特性

利用WKB近似对Hg1-xCdTe探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算，获得了不同表面电子浓度下，各子带的电子浓度、能级位置和有效质量．考虑了能带的非抛物性，由SdH振荡获得的结果与理论符合的很好．     

高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系

在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判断器件均匀性和性能的有效方法