InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA)，将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构，避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品3在80～125mA电流范围内，获得了偏振灵敏度≤0．6dB．最小可达0．1dB；较大的电流范围内FWHM值为40nm。     

量子计算机进展

对近几年量子计算机从实验室走向实用化的重要进展作了一个简要综述。概述了量子计算机的优点，给出了不需要量子交缠的量子计算方法以及量子计算机的程序——量子幺正操作的特性，介绍在克服退相干所带来的困难方面所取得的进展以及大尺度和实用化方面的进展，最后给出概要的评述。     

洪茂椿院士主持的光功能纳米陶瓷材料研究达国际先进水平

中国科学院福建物构所洪茂椿院士主持的国家科技攻关计划“光功能纳米陶瓷材料研究”项目目前通过成果鉴定。该项目整体达到了国际先进水平，部分材料的发光量子效率和发光寿命等性能指标达到国际领先水平。     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

NREL利用硅纳米结晶确认MEG现象

美国国家可再生能源实验室（NREL）在美国Innovalight公司的协助下，证实“通过硅纳米结晶（量子点，Quantuin Dot）可以高效生成多重激子（Multiple Exciton Generation，MEG）”。MEG可将元，2006年产值应在1．12亿美元，预计到2010年将达到5亿美元。同时，我国铁硅铝磁粉芯的产业规模还很小，2006年的产值大约不到500万元人民币!     

短周期超晶格AlP／GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。     

在应用程序中处理DOS的BREAK异常事件

该文分析了DOS的BREAK异常事件处理过程,给出了用C~( )实现在应用程序中消除DOS缺省的BREAK异常事件处理程序所产生的^C对屏幕的影响,并给出了一个自己的BREAK异常事件处理例程。     

小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器

通过采用经过优化的新型大光腔结构,脊形波导980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角.结果表明波导中的光功率密度可以降低,获得了大于400mW、斜率效率0.89W/A的输出光功率,垂直方向远场发散角也降低到23°.     

自发参量下转换制备双光子纠缠态在量子信息学中的应用

叙述了自发参量下转换制备双光子纠缠态技术的发展历程、技术原理以及在量子信息学中的应用，并介绍了国内这一领域的进展。