玄武岩纤维增强聚乳酸力学性能及耐老化性能

通过拉伸实验和老化实验，研究了玄武岩纤维含量对BF/PLA拉伸性能、抗冲击性能及耐老化性能的影响规律，通过DSC实验得到BF/PLA复合材料的结晶度，分析其耐老化原因。随着质量分数增加，其拉伸强度增加可达到141 MPa，弹性模量达到5 GPa，达到峰值后又减小。质量分数达到30%时，缺口冲击强度和非缺口冲击强度分别达到6.7 kJ/m²和20.76 kJ/m²。DSC实验结果表明，随着玄武岩纤维含量的增加，聚乳酸复合材料的结晶度由34.6%增加到54.6%，而结晶度的增加可以减缓聚乳酸的降解速度。当质量分数达到60%时，老化实验后的弹性模量可以保持降解前的77%，延缓降解速度较为明显。经分析，拉伸强度与玄武岩纤维质量分数呈二次多项式关系，而弹性模量与玄武岩纤维质量分数之间呈线性关系。这种函数关系不受材料力学性能下降的影响。     

织物刺痒感产生机理探讨

对织物刺痒感产生的一般原因和理论进行了探讨 ,对改善刺痒感的处理方法做了介绍 ,提出了对织物刺痒感成因和消除机理研究的必要性     

压缩天然气汽车手动可调怠速阀的研制

研究了外置怠速阀汽车油改气后怠速不稳等问题,分析了出现问题的原因,研制了手动可调怠速阀,提出了解决问题的办法。     

油田采油机械用润滑油的应用状况

石油开采是我国工业的组成部分，而采油机械是采油的主要工具和手段，对采油机械的合理利用和维护是一项重要工作。本文就我国采油机械用油的特点和应用状况进行相关描述，指出其存在的问题并提出相应改善建议。     

全位置焊接气瓶接头焊缝异常缺陷原因分析

增压气瓶是运载火箭箱体增压系统的重要组成部分,其与增压管系的焊接采用全位置焊接技术,采用带内衬O型环的焊接接头结构。在产品焊接过程中,气瓶接头与管系接头的全位置焊接焊缝中出现了焊接气孔超标的现象。对焊接气孔的形貌和分布特征进行分析,并通过能谱分析和红外光谱开展焊接气孔形成原因的分析,确定气瓶接头气密试验过程中的残留润滑脂多余物是导致焊接气孔缺陷的主要原因,并且通过气密试验和全位置焊接试验对焊接气孔进行复现,验证了焊接气孔形成原因的判断的准确性。根据焊接气孔的形成原因,通过绸布蘸取酒精溶剂进行反复擦洗,并增加一道内窥检查工序进行确认,可以有效防止焊接气孔的形成。     

电沉积制备PdxCoy/rGO纳米复合催化剂及其对甲酸电催化性能研究

摘 要: 利用电沉积法在石墨烯（rGO）表面制备了具有不同钯（Pd）钴（Co）比的PdCo纳米复合催化剂。采用场发射扫描电镜、X-射线能谱和傅里叶红外等方法对所制备的不同比例催化剂进行了表征。结果表明,所制备电催化剂中金属元素的比例接近于前驱体溶液中金属离子浓度之比;二元复合催化剂的粒径较小,且颗粒粒径分布均匀;在0.5 M硫酸电解液中研究了催化剂对甲酸的电催化性能,发现在所有催化剂中,Pd1Co3/rGO具有最大的电化学活性面积,对甲酸氧化具有最高的活性和最好的稳定性。证明采用电沉积法制备的Pd1Co3/rGO纳米复合催化剂在直接甲酸燃料电池中具有潜在的应用价值。     

特低渗透储层压裂液微观伤害评价

正确评价压裂液性能,分析其对特低渗透储层的潜在损害原因及程度,对于压裂液的优选和提高压裂增产效果具有重要意义.选用两种压裂液体系(植物胶、聚合物),3类不同渗透率(0.5×10-3 μm2左右、1.0×10-3 μm2左右、5.0×10-3 μm2左右)岩心,借助扫描电镜、X衍射、恒速压汞、核磁共振等先进实验技术手段,结合常规流动样比对实验,从总体伤害、黏土吸水膨胀与分散运移伤害、水锁伤害以及高分子物质吸附与固相颗粒堵塞伤害等几个方面,对特低渗透储层岩心压裂液伤害机理进行了定量分析评价实验,并对不同压裂液体系不同渗透率岩心进行了对比分析;给出了每种压裂液体系、每类渗透率岩心压裂液伤害的主要机理及其伤害差异;对伤害机理、引起伤害差异的主要原因进行了分析.最后对两种压裂液体系进行了总体评价,从而为压裂液配方优选与改进提供了参考和指导.     

碳/环氧复合材料管失效分析

碳/环氧复合材料管在弯曲疲劳试验时发生开裂,疲劳次数远低于设计要求。管子的成型工艺为碳布缠绕成型。对碳/环氧复合材料管裂纹部位进行了宏观、微观观察,对环氧树脂基体采用红外光谱分析。观察和分析结果表明:碳/环氧复合材料管的失效性质为低周疲劳;复合材料管发生早期疲劳失效的主要原因是由于安装孔附近存在分层缺陷,导致该区域层间结合强度及抗疲劳性能降低,分层缺陷产生的原因是由于该区域富集较多的环氧树脂用粉末状固化剂。     

CNG汽车减压调节器技术改造

介绍了CNG汽车的供气系统组成及其功能,分析了改装后的CNG汽车发生怠速不稳,耗气量过大,动力不足的原因。通过多次试验调试,确定了CNG汽车减压调节器的技术改造措施,运行效果良好。     

MOSFET击穿特性的二维数值模拟

0引言 MOSET中产生击穿的机构有漏源击穿和栅绝缘层击穿。其中漏源击穿电压是由漏一衬底的PN结雪崩击穿电压与穿通电压两者中的较小者决定的。本文对漏源击穿运用MEDICI二维器件模拟软件进行分析。