“迎客松”

作品介绍：照片由两幅扫描电镜图像拼接而成：＂迎客松＂为氧化锌（ZnO）纳米晶团簇;＂明月＂为钛酸铅（PbTiO3）纳米粉包覆镍（Ni）微粒形成的PbTiO3-Ni复合颗粒（放大倍率：30 000）。ZnO有很好的紫外发光特性,用于光催化、太阳能电池、声波或光信号吸收等领域。PbTiO3-Ni颗粒为电磁屏蔽涂层中的增强相。＂明月＂的外层晕环为非导     

非导电样品荷电效应的吸收电流评价方法

在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流Iα,评价非导电样品的荷电效应。对于非导电样品,Iα的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映。此外,Iα还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理)的效果。     

电子束辐照对氧化锌纳米线I-V特性的影响

在扫描电镜中,采用纳米微操纵仪构成一个2探针电流-电压（I-V）测试装置。测试了单根ZnO纳米线接触钨电极构成的金属-半导体-金属（M-S-M）结的I-V特征曲线。ZnO纳米线的I-V曲线呈现出较弱的肖特基特性。研究了电子束辐照对ZnO纳米线的I-V曲线的影响。30 keV电子束辐照使ZnO纳米线的总电阻减小。计算得到ZnO纳米线的电导率σ=0.24S/cm,载流子浓度n=1.64×10^16cm^-3。为了对比,还测试了单根碳纤维接触钨电极的I-V特征曲线。在30 keV电子束辐照下,碳纤维的总电阻保持不变,电导率σ=22 S/cm。     

纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析

本文采用电子背散射衍射（EBSD）,测量纳米异质外延层的织构,及外延层与衬底的晶体取向匹配。测试的材料包括作为YBCO超导膜的过渡层、生长在强立方织构Ni-5at.%W（Ni-W）衬底上的La2Zr2O7（LZO）外延层,及LED器件中生长在蓝宝石衬底上的GaN过渡层和外延层。EBSD测量出LZO外延层具有旋转立方织构,显示出LZO与Ni-W衬底的面内取向（转动45°）及面外取向（沿[001]方向）的匹配关系。EBSD测量出GaN过渡层与蓝宝石衬底的面内取向（转动30°）的匹配关系,显示出由GaN过渡层的晶格畸变而引入的平行于外延生长方向的弹性应变梯度（约500 nm）。     

Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究

采用二次离子质谱仪（SIMSl测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪（XRD）测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明,双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上,并对Cu具有一定的阻挡效果,而SiON层则有效地阻止了Cu向SiO2中的扩散。与Ta阻挡层相比,双阻挡层具有较好阻挡性能。有Ta阻挡层的Cu膜的（111）织构明显强于无阻挡层的Cu膜。离子注氮后,薄膜样品应力平均值为206MPa;而电镀Cu膜后,样品应力平均值为-661．7MPa。     

半导体器件金属化热电徙动的温度测试

在金属化布线电徙动试验中，采用金属薄膜电阻测温法精确测量了样品的局部温度，在环境温度为150℃，电流密度为3×106A／cm2和5×106A／cm2时，金属薄膜温度分别高于环境温度32．5℃和100℃；提出了扩散电阻测温法，在电徙动试验中精确测量并适时监控样品局部温度，从而实现了电流密度指数因子动态测试．     

环境扫描电镜对亲水高分子材料的原位观察

20世纪80年代发展起来的环境扫描电镜（environmental seanning eleclron microseope,ESEM）,可直接观察各类非导电材料，而不必对样品表面进行喷镀导电膜，ESEM更为重要的特点是可实现对含水、含油、放气等类样品的原位和动态观察，获得样品自然状态下的真实微观特征，或反应过程中的变化。     

ULSI/VLSI中铝互连线热应力的数值模拟

对有钝化层与无钝化层的铝互连线的热应力进行了数值模拟,并建立起互连线的二维有限元模型.对无钝化的铝互连线,只考虑弹性行为,其应力随线宽及衬底刚度的增加而增加.对于钝化的铝互连线,对其弹性行为和弹性/理想塑性行为进行了模拟.结果发现,互连线线宽的减小,钝化层硬度的增加,都会使应力增加.与纯弹性线条相比,弹性/理想塑性互连线条中的应力有所减小,且分布更均匀.     

VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究

电徙动失效是ＶＬＳＩ金属化系统的主要失效形式．本文提出了一种新型ＴｉＷ膜自加热结构，产生沿金属化条长方向的温度梯度．文中采用分别独立的的试验和测温金属条结构，利用电阻与温度间的线性关系精确确定金属条上的温度分布，首次从理论和实验上深入研究了电徙动失效与温度梯度间的动力学关系．实验结果表明，在２０～３５℃的温度梯度作用下，电徙动平均失效时间、空洞失效位置和电徙动电阻变化呈现新的特性     

半导体结构中局域弹性应变场的电子背散射衍射分析

采用扫描电镜中的电子背散射衍射（Electron Backscattering Diffraction,EBSD）技术,对硼掺杂的可动悬空硅薄膜和用于激光二极管（LED）的蓝宝石衬底上异质外延生长GaN层中的弹性应变区进行了测量.将菊池图的图像质量（IQ）和Hough转变强度,以及小角度晶界错配的统计数据作为应力敏感参数,研究了单晶材料系统中,微米～亚微米尺度的晶格畸变状态及局域弹性应变场.EBSD测试获得了硅薄膜窗口区域及LED的GaN外延层中的弹性应变分布.