二次加碳中有机碳源对LiFePO4/C性能的影响

采用高温固相合成法制备了碳包覆磷酸铁锂正极材料,使用不同有机碳源对LiFePO4进行碳包覆。通过热分析(TG-DSC)、X-射线衍射光谱法(XRD)、热场发射透射电子显微镜(HRTEM)、显微激光拉曼光谱等分析方法对其相组成、化学结构和碳结构等进行分析,并对LiFePO4/C为正极材料的电池进行了测试。结果表明:酚醛树脂、蔗糖、聚乙二醇和柠檬酸为有机碳源所制备的LiFePO4材料,都为纯相的LiFePO4;碳包覆LiFePO4材料,具有较完整的碳包覆层,且都有石墨结构的有序碳生成,能改善材料的电导率;酚醛树脂为有机碳源得到的LiFePO4/C材料性能最好,在0.1C倍率下充放电,首次放电比容量达到148.6 mAh/g,1C倍率下充放电的比容量达到125.1 mAh/g。     

难分解铌钽矿高浓氢氧化钾浸出机理研究

实验研究了难分解铌钽矿在高浓度氢氧化钾溶液中浸出过程的机理。考察了搅拌转速、反应温度、碱矿比、初始氢氧化钾浓度和矿粒度对铌钽矿中铌的浸出速率的影响。结果表明铌的浸出速率与铌钽矿粒径的平方成反比,浸出过程受克-金-布产物层固膜扩散控制,即1 2(1-X)-3(1-X）^2/3=kt,并由阿累尼乌斯方程得到铌的表观活化能为72．21kJ．mol^-1。结合动力学实验结果和电子扫描电镜(SEM)及X-射线能谱(EDAX)分析,进一步证明了在浸出过程中铌钽矿的表面形成了固相产物层,其主要组成元素为铁、锰等,并指出六铌(钽)酸根离子([(Ta,Nb)6O19]^3.)通过固相产物层的内扩散为浸出过程的控制步骤。研究结果为浸出过程的强化提供了依据。     

可靠性约束下的包装生产线运行参数优化

针对包装生产线运行参数的选择与优化问题进行了研究,根据包装生产线的结构特点,构建了各耦合单元的可靠性与运行参数之间的映射关系,建立了可靠性约束下的包装生产线运行参数优化模型。以订单周期内包装生产线的有效运行速度为优化目标,采用自适应遗传算法求解最佳运行速度。实验结果表明,所提出的可靠性建模方法对研究可靠性约束下包装生产线的运行参数优化问题是有效和实用的。     

TiB2掺杂对316L不锈钢厚膜电阻抗氧化性能的影响

目的厚膜电阻在电热膜方面的应用越来越广,而对于多孔陶瓷基体表面的厚膜电阻抗氧化性能的研究尚不多见。方法通过恒温氧化实验研究了TiB_2掺杂对不锈钢厚膜电阻在400、500、600、700℃下抗氧化性能的影响,采用XRD、SEM和EDS等方法分析了未掺杂及TiB_2掺杂两种厚膜电阻的相组成和显微组织。结果两种厚膜电阻的氧化动力学曲线均符合类抛物线模型,即(Δw)n=kt。在400℃下,两种厚膜电阻的指数n均为4,掺杂TiB_2电阻膜的氧化速率常数K1为1955.8 g4/(m8·h),而未掺杂TiB_2电阻膜的氧化速率常数K2为4694.9 g4/(m8·h),这是由于掺杂TiB_2厚膜电阻的致密度较高,使得厚膜电阻的抗氧化性能得以提高。高于500℃时,两种厚膜电阻的指数n均为2,掺杂TiB_2厚膜电阻的氧化速率常数大于未掺杂厚膜电阻。这是由于TiB_2氧化致使膜层内部出现间隙,膜层内部氧化严重(氧化产物主要为TiO_2、B_2O_3、Fe_2O_3以及(Fe_(0.6)Cr_(0.4))_2O_3),厚膜电阻抗氧化性能降低。结论不锈钢厚膜电阻中掺杂TiB_2可在400℃下提高膜层的抗氧化性能,而在500℃以上的高温环境下却有损于膜层的抗氧化性能。     

低压等离子喷涂NiCoCrAlYTa涂层的高温氧化行为

采用低压等离子喷涂技术在钴基高温合金K640表面制备了NiCoCrAlYTa合金涂层,利用XRD、SEM和EDS等研究了涂层的高温氧化行为.结果表明:该涂层在900℃的恒温氧化动力学曲线符合抛物线规律,氧化速率常数Kp为0.33×10-6mg2·cm-4·s-1;温度为1 050℃时,氧化初期的Kp值约为1.95×10-6mg2·cm-4·s-1,随着氧化时间的延长,氧化速率迅速降低;涂层在氧化过程中,表面先形成θ-Al2O3,随着氧化时间的延长,θ-Al2O3向α-Al2O3转变,且氧化温度越高转变速率越快,900℃氧化120 h后涂层表面仍存在θ-Al2O3,而1 050℃氧化10 h后θ-Al2O3就已基本完全转变;氧化过程中,基体与涂层之间发生互扩散;氧化后涂层中析出白色的颗粒状富钽相.     

基于Autolisp开发的图形参数化系统

本文利用AutoCAD的二次开发工具AutoLisp语言对机械零件的每一特征参数化,建立参数化图库,利用参数化图库,用户可以方便进行绘制图形。     

CuO掺杂对钇钡铜氧陶瓷电性能的影响

采用传统固相烧结法制备的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)陶瓷为功能相、玻璃粉为烧结助剂、CuO为掺杂剂,制备了CuO掺杂的钇钡铜氧陶瓷。通过X射线衍射仪、扫描电镜、能谱分析仪、微欧仪和高低温交变湿热试验箱对其相组成、微观结构及电性能进行研究。研究结果表明:CuO掺杂有利于减少YBCO晶体结构中存在的氧缺陷;随CuO掺杂量从0%增加到3%,陶瓷致密度逐渐增加,电阻率明显降低; CuO掺杂量大于3%后,陶瓷致密度逐渐下降,电阻率也明显升高;随CuO掺杂量增加,陶瓷的电阻温度系数逐渐由负向正偏移,电阻温度系数值逐渐减小。当CuO掺杂量为3%时,样品的综合电性能最佳:电阻率为1. 55×10~(-4)Ω·m,电阻温度系数为-1 470×10~(-6)/℃。     

Nb2O5在KOH亚熔盐体系中的溶解行为

对Nb2O5在KOH亚熔盐体系中的溶解行为进行了研究,通过正交实验和因素实验分析了KOH浓度、反应温度、反应时间、搅拌速率和碱矿比等因素对Nb2O5在KOH亚熔盐体系中溶解行为的影响.结果表明:反应温度和KOH浓度是最重要的影响因素; 在一定温度下,KOH浓度越高越有利于得到可溶性的六铌酸钾; 而在一定KOH浓度下,温度越高越容易得到不溶性的铌酸盐沉淀.不溶性沉淀经ICP-AES和XRD分析证明为偏铌酸钾(KNbO3).     

Si3N4颗粒及SiC晶须强韧化MoSi2复合材料的低温氧化行为

对Si₃N₄颗粒及SiC晶须强韧化MoSi₂复合材料在773K下的氧化行为进行了研究.通过热重量分析法（TG）分析了MoSi2及其复合材料MoSi₂-Si₃N_4(p)和MoSi₂-Si₃N_4(P)SiC_(w)在773K下的氧化性能, 采用SEM和X射线衍射测定其表面形貌和氧化物相组成.结果发现：在773K下, 纯MoSi₂和MoSi₂+20vol%Si₃N₄均发生了“Pesting”氧化, 氧化过程服从直线规律, 氧化产物层疏松, 氧化产物主要为MoO₃; MoSi₂+40vol%Si₃N₄氧化服从抛物线规律, 速率常数K_p为0.04mg²/(cm⁴·h), 氧化层致密, 成分主要为SiO₂、Si₂N₂O, 增加Si₃N₄的含量可显著提高MoSi₂的抗“Pesting”氧化能力; MoSi₂+20vol%Si₃N₄+20vol%SiC发生了严重的粉化现象, 氧化产物主要为短针状MoO₃.     

基于累积成本限制的k-out-of-n:F系统维护决策

为了在提高系统可靠性的同时有效控制修复成本,以k-out-of-n:F系统为研究对象,提出基于累积修复成本限制策略的维护模型,模型中考虑系统部件之间的失效相关性,根据系统中失效部件的数量m将系统故障分为两类.其中,Ⅰ类故障:系统失效部件数0相似文献