45#钢高速冲击穿孔的显微组织

借助烧结的W合金圆柱体垂直冲击60mm厚的45^#热轧钢板实验,利用扫描电镜和光学金相显微镜研究了45^#钢高速冲击穿孔的显微组织。冲击波使穿孔周围的晶粒破碎,冲击引起的材料变形功转变为热能,以及侵彻过程中的摩擦作用,使穿孔表面熔化,靠近熔化区的晶粒发生再结晶。从穿孔表面到钢板内部可分为：熔化快凝层、再结晶细晶层、变形细晶层、形变层和正常基体组织。在细晶层和形变层中,铁素体晶粒的变形量要远远大于珠光体,部分珠光体开裂,其周围形成微裂纹和微孔洞。钢中的硫化锰夹杂在变形中被剧烈拉长。由于铁素体的塑性,钢板的破坏方式为延性扩孔。     

单晶Si中(110)面沿[112]方向裂纹的脆韧性转变

利用改进压轮法预制出与以往不同的(110)面[112]方向的平直裂纹。采用三点弯曲法测定裂纹临界应力强度因子Kc,用扫描电镜分析裂纹面断口的形貌。研究了硅单晶中的脆韧性转变（BDT）行为。结果表明,随着加载速率从4um/s增加到16um/s,脆韧性转变温度向高温方向移动。转变区间由35K减至狭小的8K,在这一区间内临界应力强度因子突然上升。在脆韧性转变过程中当裂纹扩展越过塑性饱和区后出现（111)和（111^--）面的交滑移,说明脆韧性转变与滑移系的启动有密切的关系。     

单晶Si中(10)面沿[11]方向裂纹的脆韧性转变

利用改进压轮法预制出与以往不同的（１０）面［１１］方向的平直裂纹．采用三点弯曲法测定裂纹临界应力强度因子 Ｋ＿ｃ,用扫描电镜分析裂纹面断口的形貌,研究了硅单晶中的脆韧性转变（ＢＤＴ）行为 结果表明,随着加载速率从 ４μｍ／ｓ增加到 １６μｍ／ｓ,脆韧性转变温度向高温方向移动,转变区间由３５Ｋ减至狭小的８Ｋ,在这一区间内临界应力强度因子突然上升．在脆韧性转变过程中当裂纹扩展越过塑性饱和区后出现（１）和（１）面的交滑移,说明脆韧性转变与滑移系的启动有密切的关系     

微型拉伸试样的设计及其在高性能管线钢研究中的应用

设计了一种微型拉伸试样,用结构均匀的材料Ｘ６０钢测试了微型拉伸试样的拉伸强度的可靠性,发现试样尺寸对拉伸强度的影响很小,微型试样值与式样的判别不大,可以用微型试样测量Ｇｌｅｅｂｌｅ样品的强度,在高性能管线钢的研究中发现,微型拉式样的强度值和显微硬度值缺少一一对应关系,有必要做微型试样的拉伸试验,提供更为可靠的数据。     

Cu单晶中疲劳早期位错花样演化的观察与模拟

采用离散的位错动力学方法。用计算机模拟循环形变单滑移取向Ｃｕ单晶中疲劳早期位错花样的形成和演化过程,并利用扫描电镜电子通道衬度（ＳＥＭ－ＥＣＣ）技术对其进行了观察。计算机模拟结果与实验观察较好地吻合,提出了在循环形变早其位错脉络的形成和演化是从同号的基体位错墙开始的,基体偶极子位错墙是两个异号基体位错墙合并的结果,在偶极子位错墙破碎并演化为基体脉络的过程中螺型位错段起到了重要作用等观点。     

孪晶铜中孪晶尺寸对疲劳位错组态的影响

对孪晶铜进行塑性应变幅控制下的疲劳实验,研究了不同宽度的孪晶内疲劳位错组态及演化过程．结果表明,孪晶宽度不同时,孪晶内的疲劳位错组态不同．当孪晶宽度大于1μm时,孪晶内疲劳位错组态与单晶中情况类似;孪晶宽度介于1μm到200nm之间时,位错形成类PSBs结构;孪晶宽度介于200nm到20nm之间时,孪晶内只能形成一些位错碎片;孪晶宽度小于20nm时,孪晶内没有稳定的晶格位错存在．     

铜双晶体中晶界及组元晶体的疲劳寿命

本文对具有单,双滑移取向组元晶体的近生趣晶界铜双晶体进行拉－拉循环变形,得出铜双晶体中晶界及组元晶体的Ｓ－Ｎ曲线,比较了铜双晶体晶界及组元晶体疲劳寿命的差别,发现在相同的应力幅下晶界的疲劳寿命明显低于组元晶体的疲劳寿命。     

氢对高强弹簧钢50CrV4超高周疲劳性能的影响

制备了3种不同氢含量的高强弹簧钢50CrV4样品(淬火,回火样品,0.6×10-6;真空退火样品,0.2×10-6;高温高压热充氢样品, 2.5×10-6).SEM观察表明,疲劳断口内部起裂源为小夹杂团簇;疲劳强度测试表明,随氢含量(c)的增加,疲劳强度基本上按σ0-α exp(c)规律降低, Basquin方程中的Basquin指数随氢含量的增加有明显变化.     

低应力／应变幅控制的对称拉压疲劳对Ti—49.6Ni合金相变行为的影响

采用电阻法研究了TiNi形状记忆合金在对称拉压应力或应变疲劳条件下的相变行为,结果表明,经过低应力/应变疲劳,材料发生R相变,试样的相变温度变得稳定,马氏体相变温度Ms和逆相变温度As低于未疲劳试样,随着循环次数的增加,应变疲劳后材料的Ms点、As点与循环次数无明显关系,材料具有良好的相变稳定性。     

疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术,对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察．且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布．结果表明：在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的,位错密集区域(基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域(通道中)平均内应力分布相对集中,PSBs夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱,PSBs与基体边界处存在很大的应力差由观察和计算结果对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制．