全文获取类型
收费全文 | 487篇 |
免费 | 20篇 |
国内免费 | 50篇 |
专业分类
电工技术 | 25篇 |
综合类 | 37篇 |
化学工业 | 44篇 |
金属工艺 | 16篇 |
机械仪表 | 15篇 |
建筑科学 | 96篇 |
矿业工程 | 35篇 |
能源动力 | 3篇 |
轻工业 | 31篇 |
水利工程 | 12篇 |
石油天然气 | 21篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 146篇 |
一般工业技术 | 35篇 |
冶金工业 | 14篇 |
自动化技术 | 26篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 9篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 9篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 21篇 |
2018年 | 23篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 9篇 |
2014年 | 27篇 |
2013年 | 34篇 |
2012年 | 22篇 |
2011年 | 39篇 |
2010年 | 29篇 |
2009年 | 30篇 |
2008年 | 30篇 |
2007年 | 28篇 |
2006年 | 28篇 |
2005年 | 34篇 |
2004年 | 31篇 |
2003年 | 18篇 |
2002年 | 14篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 12篇 |
1999年 | 11篇 |
1998年 | 14篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 15篇 |
1995年 | 11篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有557条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
本文尝试提出传统中小型火力发电厂生产过程信息化的解决方案.目的在于为当前电力竞价上网中遇到的实时动态成本提供准确可靠的数据。方案充分发挥现有设备的性能,力求性能费用比最低。 相似文献
52.
53.
半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层 总被引:6,自引:0,他引:6
为提高半导体器件欧姆接触的可靠性,一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。本文介绍了扩散阻挡层的种类及其特性,并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。 相似文献
54.
GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退经的GaAsMESPET的失效分析,结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。 相似文献
55.
为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏(HRB)。2.高温反偏(HTRB)。3.高温正向大电流(HFGC)。4.高温贮存(HTS)。HRB试验中从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大。HTS试验中Φ_b从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,其次为电徙动及断栅现象。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面发生模糊,有明显的互扩散和反应发生。 相似文献
56.
李志国 《电子产品可靠性与环境试验》1995,(5):35-45
本文报道并回顾了中低功率GaAs MESFETs由于金属-GaAs反应和接触退化造成失效的机理,这些结论是通过对不同工艺生产的商用器件进行深化和全面的可靠性评估实验得到的,结果表明:至少对于接触退化现象,这些生产工艺已经相当成熟,即使在最恶劣的使用条件和环境下,器件也达到了相当好的可靠性水平,某些厂家的器件仍然存在着可靠性问题,如:金基棚金属化向有源沟道的“沉陷”,Al的电徒动,被高接触电流密度加 相似文献
57.
论述了影响双极晶体管电流增益hFE低温下降的重掺杂效应,结合具体器件测试计算出了hFE的低温下降值,并对实测值与计算值的差异进行了分析,最后指出了改进hFE温度特性的具体途径。 相似文献
58.
59.
对Au/AuGeNi/n-GaAs欧姆接触进行了三种不同的应力试验:(1)高温存储(HTS),(2)常温大电流(HC)。(3)高温适当电流。试验结果表明,三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大,最后导致欧姆接触失效,AES分析表明,试验后的样品发生了Ni,Au和GaAs的互扩散。 相似文献
60.
本文对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了四种不同的应力试验:1.高温反偏(HTRB);2.高压反偏(HRB);3.高温正向大电流(HFGC);4.高温存贮(HTS).通过HRB,ΦB从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大.HTS试验中ΦB从0.67eV增加到0.69eV.分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,SEM观察中有电徙动及断栅现象发生.AES分析表明。应力试验后的样品,肖特基势垒接触界面模糊 相似文献