大型风电场单独输电方式研究

针对风电场规划和运行的风电场接入系统问题,通过对大型风电场接入系统方式的深入研究,提出单独输电方式,并对该输电方式的输电能力、无功配置等方面进行较全面地阐述,以某地区大型风电基地接入系统为例,分析了影响大型风电场接入系统的主要因素,对大型风电接入系统研究中可能遇到的问题提出建议.     

成品周转箱结构设计及注塑成形工艺研究

目的解决某成品周转过程中产品严重磕碰的问题。方法利用塑料制品原材料来源丰富、重量小、成本低、生产工序少并可重复使用等优点,设计了一种在一个母箱不同位置插入卡板,装放不同产品的箱体结构,并对周转箱结构进行了测试和验证。结果对周转箱箱体、卡板尺寸、外观质量进行了检验,结果均满足设计要求。进行了产品装箱及堆垛试验,并应用于相关产品生产过程周转,经生产验证装箱的产品无磕碰现象。结论解决了产品磕碰问题,减少了损失。     

吉林省风电通过特高压直流外送的方式方法研究

从吉林省电源结构、系统调峰、无功及安全稳定等方面,分析了制约吉林省风电大规模开发的主要因素,综合考虑风能资源开发规划、结合地区电网风电消纳能力,计算分析东北电网和吉林省风电消纳能力,提出吉林省风电采用特高压外送华北、华东电网消纳的方案,并对外送方式、送端电源组织、送受端落点进行分析,提出需要寻找合适的省外和区域外消纳方式,建议东北实行统一调度.     

21世纪水泥-混凝土一体化产业模式论

自发明硅酸盐水泥以来,站在水泥材料生产角度而言,各种水泥均是作为一种最终产品出现的。然而在现实的建筑工程产业链中,物质产品的产业化过程却是由初级产品水泥、中间产品预拌预制混凝土以及终极产品-建筑物的模式,完成相关的产业化社会服务的。在21世纪高度现代化的建筑工程产业链中,水泥以一种中间产品的形式参与建筑工程的副作用已日见凸现。高性能混凝土和各种外加剂的应用,更要求有更为科学合理的水泥混凝土产业模式。为把水泥及混凝土工业转变为绿色胶凝材料工业,本文依照材料科学原理和可持续发展观念,遵从“转变传统的还原观…     

端子高速成形中减小回弹的方法及数值模拟

在端子高速成形时,根据经验对凹模不同成形处设计不同的回弹角,且把凹模成形处设计成直线形式。通过有限元ANSYS模拟后发现,把凹模成形处设计为直线加一定的圆角,可减小成形时材料的内应力,回弹也得到了降低。为验证模拟的正确性,把冲速提高到800次/min进行了试验,所得的结果与模拟结果一致,提高了生产能力。     

对《混凝土外加剂应用技术规范》GB50119-2003中相关技术问题的讨论

本文对<混凝土外加剂应用技术规范>GB50119-2003中相关问题进行讨论,旨在进一步规范混凝土外加剂的应用.     

AlGaN/GaN HEMT器件的研制

介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为1μm ,获得的最大跨导为12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为0 95A/mm .     

微波MESFETs中金属—GaAs相互作用及接触退化（续）

4 欧姆接触的退化 源和漏欧姆接触电阻直接影响着寄生串联电阻R_s和R_d,并由此而影响器件的特征参数如I_(dss),g_m,P_o,N_F等。 GaAs上的欧姆接触最常采用的是Au-Ge-Ni合金系统,因为它能提供高频、大功率应用所需的低接触电阻(0.1-0.5Ωmm)。 表4总结了对试验样品的Au-Ge-Ni欧姆接触进行研究得出的最新结论。接触电阻的增加归因于四种效应:(1)Au对Ga的过量吸杂作用造成Ga外扩散,在接触下产生一个电阻率较高、成份失配的多缺陷区域。在最上面的Au层和Au-Ge-Ni之间加入合适的扩散阻挡层可以减少这种影响。(2)覆盖层结构会对接触产生不利影响,这可能是由于有互扩散的原因。(3)Au和Ni的内扩散会降低接触区下面半导体的掺杂浓度。(4)热退火会使NiAs(Ge)或Ni_2GeAs晶相和GaAs之间的接触面积减小。     

微波MESFETs中金属—GaAs相互作用及接触退化

本文报道并回顾了中低功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴｓ由于金属－ＧａＡｓ反应和接触退化造成失效的机理，这些结论是通过对不同工艺生产的商用器件进行深化和全面的可靠性评估实验得到的，结果表明：至少对于接触退化现象，这些生产工艺已经相当成熟，即使在最恶劣的使用条件和环境下，器件也达到了相当好的可靠性水平，某些厂家的器件仍然存在着可靠性问题，如：金基棚金属化向有源沟道的“沉陷”，Ａｌ的电徒动，被高接触电流密度加     

n—GaAs Ti／Mo／Ti／Au肖特基势垒接触失效机理的研究

为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏(HRB)。2.高温反偏(HTRB)。3.高温正向大电流(HFGC)。4.高温贮存(HTS)。HRB试验中从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大。HTS试验中Φ_b从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,其次为电徙动及断栅现象。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面发生模糊,有明显的互扩散和反应发生。