基于FDTD的薄膜体声波谐振器的数值分析

提出了基于时域有限差分方法对薄膜体声波谐振器进行数值分析的新方法.利用时域有限差分法理论对压电材料的控制方程和牛顿方程在空间和时间上进行了离散化,通过得到的差分方程直接得出了声场传播的时域数值解.使用该数值方法对薄膜体声波谐振器的电学特性阻抗进行了分析,并将结果与一维Mason模型的解析解进行了比较验证.     

磁共振电阻抗成像与乳腺癌早期检测

乳腺癌的早期检测与诊断是目前国际研究的难点与热点.癌组织与正常组织与良性肿瘤组织之间的电特性的差异为乳腺癌的早期检测提供了有效的辅助诊断信息.本文在此前提下介绍了一种高分辨率的医学电阻抗成像技术-磁共振电阻抗成像技术的成像原理与成像算法,然后介绍了MREIT技术在早期乳腺癌检测方向的应用,最后分析了该研究方向的发展前景以及目前存在的问题.     

用Auto CAD确定冲模压力中心快速定位的开发

详细说明了基于VB6.0的冲模压力中心的开发过程；实现了冲模压力中心的快速、准确定位；介绍了AutoCAD的ActiveX Automation开发技术。     

一种有监督的LPP算法及其在人脸识别中的应用

为了提高局部保持投影算法（Locality Preserving Projections,LPP）对光照、姿态等外部因素的鲁棒性,该文对传统的LPP算法进行改进,提出了一种有监督的LPP（SLPP）方法。首先对LPP子空间进行判别分析,然后选择主要反应类内差异的基向量来构造子空间,最后在子空间上进行识别。通过Havard人脸库和Umist人脸库上的实验,结果表明该方法能够对光照和姿态的变化具有一定的鲁棒性和较高的识别率,比传统的LPP方法和其它子空间分析法识别率提高了10％以上。     

热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响

在950℃和1120℃温度下,对非掺杂（ND）半绝缘（SI）液封直拉（LEC）GaAs单晶进行了不同砷气压条件的热处理,研究了热处理对本征缺陷和电特性的影响。在950℃和低砷压条件下进行14h热处理,可在样品中引入本征受主缺陷并导致体霍尔迁移率大幅度下降和体电阻率明显增加。这些受主缺陷的产生是由于高温和低砷压条件下GaAs晶体中发生砷间隙原子的外扩散,提高热处理过程中的砷气压。可以抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化,真空条件下,在1120℃热处理2-8h并快速冷却后,可使样品中的主要施主缺陷EL2浓度下降近一个数量级,提高热处理过程中的砷气压,可以抑制EL2浓度下降,这种抑制作用是由于高温,高砷压条件下GaAs晶体发生了砷间隙原子的内扩散。     

非掺杂半绝缘LECGaAs中深施主缺陷对注入硅激活率的影响

通过测量GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)的饱和漏-源电流分布研究了深施主缺陷EL     

氟钛酸钾添加对铝镁复合板微弧氧化涂层结构及耐蚀性的影响

为研究氟钛酸钾(K₂TiF₆)添加对Al-Mg复合板微弧氧化涂层结构和耐腐蚀性能的影响,在硅酸盐-氢氧化钠电解液体系中加入不同浓度的氟钛酸钾(0、1、2和3 g·L^-1),利用微弧氧化技术(MAO)在Al-Mg复合板表面制备陶瓷氧化物涂层。通过SEM、XRD、EDS和电化学工作站等对制备陶瓷氧化物涂层显微组织、相组成、形貌及耐蚀性能进行表征。添加K₂TiF₆后,Al-Mg复合板Al侧的涂层厚度、表面孔隙率和表面粗糙度随K₂TiF₆浓度的增加呈下降的趋势(24.2～18.4μm、6.8%～5.3%、3.55～2.23),Mg侧涂层呈上升趋势(21.0～26.6μm、3.6%～5.3%,3.35～4.33),此外涂层中的Ti和F元素含量增加,各样品的耐蚀性均有所提高。添加K₂TiF₆为2 g·L^-1时,两侧涂层的耐蚀性最好,其中R_t均比未添加的样品增加...     

用Te,Sn双掺杂改善GaAs液相外延层载流子浓度纵向分布均匀性

探索用Ｔｅ，Ｓｎ双掺杂实现掺杂剂分布正负梯度互补改善杂质纵向分布均匀性的外延工艺，讨论了有关问题，报道了主要结果。     

热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性机理的研究

根据ＥＬ２分布的热处理行为和Ａｓ沉淀分布特征的实验结果，讨论了Ａｓ沉淀对ＥＬ２分布的影响和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理。     

LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响

用碳的局域振动模(LVM)红外吸收的方法测量了未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs中碳的纵向和横向分布,对碳的掺入机理、影响碳分布的因素进行了讨论,并对碳含量与材料热稳定性的关系进行了分析研究。