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52.
半绝缘GaAs中Mg~++P~+双注入研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对Mg~+和P~+双离子注入半绝缘GaAs的行为进行了研究.发现不论是常规热退火还是快速热退火,共P~+注入都能有效地提高注入Mg杂质的电激活率,其效果优于共As~+注入,共P~+注入的最佳条件是其剂量与Mg~+离子剂量相同,电化学C—V测量表明,双注入样品中空穴分布与理论计算值接近,而单注入样品中则发生严重偏离,快速热退火较常规热退火更有利于消除注入损伤. 相似文献
53.
固态碳源温度对CVD法生长石墨烯薄膜影响的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以聚苯乙烯为固态碳源,抛光铜箔为衬底,通过改变固态碳源的温度探索了固态碳源温度对双温区化学气相沉积法生长石墨烯的影响。样品采用拉曼散射光谱、紫外-可见分光光度计和扫描电子显微镜进行了表征。结果表明,固态碳源温度的变化直接影响了气相碳源浓度,通过控制固态碳源温度,可以控制所得石墨烯的层数。固态碳源动态变温生长能够在生长的起始阶段降低石墨烯形核密度,同时打破晶粒长大时氢气刻蚀速率与石墨烯生长速率的动态平衡,可以有效地提升石墨烯的覆盖率。最终在衬底温度为1000℃条件下使用固态碳源动态变温制备了I2D/IG达到2.91,透过率为97.6%的高质量单层石墨烯薄膜。 相似文献
54.
工作气压对室温溅射柔性AZO薄膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射法在PEN衬底上室温制备了AZO薄膜,并对不同工作气压下(0.05~0.4Pa)沉积薄膜的结构及光电性能进行了研究。结果表明,薄膜具有良好的c轴择优取向,随工作气压增大,薄膜(002)峰强度减弱,晶粒减小,表面粗糙度增大,电学性能下降,薄膜可见光透过率变化不大,但禁带宽度变窄。与玻璃衬底相比,PEN衬底上沉积的AZO薄膜拥有更高的品质因数,获得的最佳电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为1.11×10-3Ω.cm、4.14×1020cm-3和13.60cm2/(V.s),该薄膜可见光的绝对透射率达到95.7%。 相似文献
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近年来化合物薄膜太阳电池得到迅猛的发展。SnS光电薄膜的禁带宽度与太阳光谱非常匹配,并且具有较高的吸收系数,所以它是一种理想的太阳电池材料。制备SnS光电薄膜的方法有电沉积法、热蒸发法、化学浴法、连续离子吸附沉积法、喷雾热解法和两步法等。不仅概述了不同掺杂元素以及掺杂浓度对SnS薄膜性能的影响,同时还讨论了目前国内外SnS薄膜太阳电池的研究状况,分析了当前SnS薄膜太阳电池效率偏低的原因。最后对SnS薄膜太阳电池的发展趋势与前景作了一些探讨。 相似文献
56.
采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜。借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响。结果表明:Al2O3过渡层的添加对AZO薄膜的表面形貌有一定影响;AZO薄膜的结晶质量随着过渡层厚度的增加先上升后下降;AZO薄膜的电阻率因过渡层的添加而明显降低,特别是在AZO薄膜较薄时;在添加了1~3 nm厚的过渡层后,160 nm厚的AZO薄膜的电阻率下降了44%左右;AZO薄膜的可见光透射率和光学带隙基本不受过渡层影响。 相似文献
57.
用蒙特卡罗方法模拟Si^+注入Si3N4/GaAs的力学运动,以考察沉积在GaAs材料表面的无定形Si3N4阻挡层对Si^+射程分布的影响。模拟计算和实验结果都表明,Si3N4阻挡层能够有效地削减Si^+在GaAs衬底中的射程,避免沟道效应,得到浅结。但是阻挡层中也有相当数量的Si、N原子由于与入射的Si^+相互碰撞反冲进入GaAs衬底。 相似文献
58.
电子束蒸发法制备Co/Cu多层膜中巨磁电阻效应的研究 总被引:5,自引:2,他引:3
沈鸿烈 《功能材料与器件学报》1997,3(4):229-235
研究了超高真空电子束蒸发法制备的Co/Cu多层膜中过渡层Cr、磁性金属Co怪和非磁性金属Cu层厚度等对巨磁电阻效应的影响。 相似文献
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