HCP金属Mg,Ti,Zr的嵌入原子势

采用嵌入原子法，通过拟合Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ六方晶体的晶格常数，内聚能，弹性模量，空位形成能和双原子分子的键长、键能等物理参数，分别得到Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ等ｈｃｐ金属的嵌入原子势。用拟合所得的嵌入原子势计算具有相同原子体积的ｆｃｃ，ｂｃｃ结构的能量表明：ｈｃｐ结构的能量低于ｆｃｃ，ｂｃｃ结构的能量，这说明ｈｃｐ结构的势函数是稳定的。     

Mg的晶界偏聚效应及其对Ni_3Al(0.1B)抗腐蚀性能的影响

在金属间化合物Ni_3Al(0.1B)中注入能量为120keV,剂量为1×10~(16)ion/cm~2的Mg~+离子用多次扫描循环极化曲线测量和光学显微镜观察研究其腐蚀行为.发现经Mg~(+)离子注入后的样品在0.5mol/L H_2SO_4溶液中的抗蚀性能有很大的改善对Mg原子的偏聚现象进行实验测试和计算机模拟,增进了对Mg~(+)离子注入提高金属间化合物抗蚀性能机制的了解     

HCP金属Mg，Ti，Zr的嵌入原子势

采用嵌入原子法，通过拟合Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ六方晶体的晶格常数，内聚能，弹性模量，空位形成能和双原子分子的键长、键能等物理参数，分别得到Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ等ｈｃｐ金属的嵌入原子势。用拟合所得的嵌入原子势计算具有相同原子体积的ｆｃｃ，ｂｃｃ结构的能量表明：ｈｃｐ结构的能量低于ｆｃｃ，ｂｃｃ结构的能量，这说明ｈｃｐ结构的势函数是稳定的。     

离子束辅助沉积铂碳混合膜及其抑制栅电子发射性能

采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜.XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向.Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态.模拟二极管的实验表明,在纯钼阳极上镀覆铂碳混合膜,其抑制热电子发射的性能明显优于纯钼阳极.     

低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向。     

蒙特卡洛模拟Mg在Ni3Al晶界的偏聚

本文采用蒙特卡洛方法模拟Ｍｇ原子向Ｎｉ３Ａｌ［００１］／∑５（２１０）／３６８７０晶界的偏聚。计算了Ｍｇ原子处在自由表面、晶粒内和晶界中的能量。模拟和计算结果表明，Ｍｇ原子向晶界偏聚降低了晶界能，Ｍｇ原子优先地替代Ａｌ原子，造成晶界中Ｎｉ／Ａｌ原子配比的明显减小。Ｍｇ原子以晶界面为中心，集中分布在晶界层的两侧。     

直接法-多次矩法联合计算高能离子注入化合物靶损伤分布

高能注入离子在固体中的损伤分布一般采用直接法计算.但是在化合物靶的情况下,各类靶反冲原子所淀积的损伤能及其分布矩难以正确估算,直接影响直接法的运用.本文引入多次矩法予以解决,取得了良好的效果.     

离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向

采用离子束辅助沉积方法(IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜. 实验发现 在铪膜生长时, 轰击铪膜的Ar+离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响. 当Ar+离子的能量为500 eV、入射角为75°、束流密度为0.9 A/m2时, 铪膜为(110)择优取向. 当束流密度大于1.2 A/m2时, 铪膜以(002)、 (100)混合晶向为主, 而与Ar+离子的入射角度无关. 讨论了铪膜晶粒取向的转变机制, 认为铪膜晶粒的择优取向, 不是单纯地取决于基于沟道效应的溅射机制, 或取决于基于能量极小原理的表面能最小或表面应力最小的面生长较快的机制, 而是影响薄膜生长的各种因素互相竞争、共同作用, 在非平衡态条件下表面能极小化的结果.     

低能Ar+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜

采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析.     

有限差分法解拉普拉斯方程的一种变步长格式

本文用有限差分法解拉普拉斯方程。为了提高计算的精确度采用变步长方案。本文提出的变步长差分格式,形式比较简单,不过多地增加计算量及程序设计的复杂性。同时采用不等距差分格式改善边界附近数值解的精确度。计算结果表明这些措施是行之有效的。