带有切线多边形的一类有理样条的扩展曲线

利用一个对称的调配函数,结合NURBS曲线中权的思想,在曲线控制顶点处引进调配参数,将一类有理样条曲线进行扩展,得到的新曲线比原来的曲线有更强的描述能力,并且包含了原曲线形式.描述了一种与给定多边形相切的一类有理样条扩展曲线的算法.在算法中,所有的有理样条扩展曲线的控制点可以通过对多边形的顶点简单计算产生.所构造的曲线对多边形具有保形性,曲线可以局部修改,最后给出了2个算例.调配参数可以用来控制曲线的局部形状,特别适用于自由曲线曲面的设计,在CAD/CAM中具有很好的应用前景.     

矩形网格上两类二元有理插值的存在性问题

利用矩形网格上二元多项式Lagrange插值公式,得到了矩形网格上2类二元有理插值函数存在的判别准则及有理插值函数的具体表示形式,并给出了数值算例.     

带有给定切线多边形的三次B样条曲线的扩展

描述了一种与给定多边形相切的三次均匀B样条曲线的扩展算法.在算法中,所有的三次均匀B样条曲线的扩展曲线的控制点可以通过对多边形的顶点进行简单计算产生.所构造的曲线对多边形具有保形性,而且曲线可以局部修改.最后给出了2个算例.     

TD-SCDMA无线固话及家庭信息产品

1 引言 TD—SCDMA是中国电信业百年来第一个自主创新的完整的通信技术标准，对于实现国家的自主创新战略具有重要的意义。2009年是中国3G元年，随着3G的发牌，在全业务竞争趋势下面对中国庞大的固话市场，作为全球最大的移动运营商的中国移动已经开始了行动：推出了TD无线固话业务。中国移动主推的TD终端“3＋1方案”，其中，“3”分别是3G数据卡、上网本和无线固话（包括家庭手机、家庭网关和家庭信息机），“1”指TD手机。     

关于预应力混凝土空心板单板受力的分析

通过设计安新加宽项目时对沿线原有桥梁的调查，发现预应力混凝土空心板在设计、施工方面的一些问题，分析其间的各种原因。     

用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽

提出了一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和电介质填充方法来制造具有高深宽比的深电学隔离槽的新型技术.还详细讨论了DRIE刻蚀参数与深槽侧壁形状之间的关系,并作了理论上的阐述.采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽,并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正,制造了具有理想侧壁形状的深槽,利于介质的完全填充,避免产生空洞.电隔离槽宽5μm,深92μm,侧壁上有0.5μm厚的氧化层作为电隔离材料.I-V测试结果表明该隔离结构具有很好的电绝缘特性:0～100V偏压范围内,电阻大于1011Ω,击穿电压大于100V.电隔离深槽被首次应用于体硅集成微机械陀螺仪上的微机械结构与电路之间的电气隔离与机械连接,该陀螺的性能得到了显著提高.     

一类积分中值定理及其中间点的渐近性

给出了一类积分中值定理,并且得到了该定理中间点的渐近性的主要结果lim x→a+0 ξ-a/χ-a=k√k+1.     

与给定多边相切的C^1连续广义Ball闭曲线

讨论了与给定多边形相切的分段三次广义Ball闭曲线，所构造的曲线是C^1连续，且对给定的多边形是保形的。曲线上的所有广义Ball曲线段的控制点由给定的多边形的顶点直接产生。最后给出了一个算例。     

基于SCTE-HMS网管标准的有线电视网络管理系统

首先研讨了SCTE HMS网络管理标准,然后详细描述了有线电视网络管理系统的设计思路.     

ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究

在高密度反应离子刻蚀技术中，存在明显的线宽损失，对小尺寸MEMS结构影响很大，将使MEMS器件灵敏度下降，稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术，在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4F8，同时适当减小循环周期的刻蚀时间，使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的155nm减少到55nm。此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中，取得了很好的结果。