C2F6 /O2 /Ar Plasma Chemistry of 60 MHz/2 MHz Dual-Frequency Discharge and Its Effect on Etching of SiCOH Low-k Film

This work investigated C2F6/O2 /Ar plasma chemistry and its effect on the etching characteristics of SiCOH low-k dielectrics in 60 MHz/2 MHz dual-frequency capacitively coupled discharge. For the C2F6/Ar plasma, the increase in the low-frequency (LF) power led to an increased ion impact, prompting the dissociation of C2F6 with higher reaction energy. As a result, fluorocarbon radicals with a high F/C ratio decreased. The increase in the discharge pressure led to a decrease in the electron temperature, resulting in the decrease of C2F6 dissociation. For the C2F6/O2 /Ar plasma, the increase in the LF power prompted the reaction between O2 and C2F6 , resulting in the elimination of CF3 and CF2 radicals, and the production of an F-rich plasma environment. The F-rich plasma improved the etching characteristics of SiCOH low-k films, leading to a high etching rate and a smooth etched surface.     

304钢/QAl9-4铝青铜复合界面的显微组织及性能

采用真空扩散焊接技术制备304不锈钢与QAl9-4铝青铜双金属复合材料,通过金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)分析了钢/铜复合界面的显微组织、相结构及化学成分,利用硬度测定仪及拉伸试验测试了界面处的力学性能。结果表明:在(1150±50)℃、4.0×10~(-2)Pa真空条件下,界面结合紧密,基体两侧的Fe、Al、Cu等合金原子发生互扩散,形成宽约140μm的过渡层,主要物相为Al Cr Fe_2、Al_4Cu_9、Al Ni3等,显微硬度最大值为420 HV0.02。复合材料的抗拉强度是278 MPa,拉伸断口在复合界面处,呈脆性断裂特征。钢/铜扩散焊接的机理是基体钢中Fe、Cr等元素优先在铜表面铺展润湿,在界面处与其他合金原子(Al、Cu等)发生相互扩散形成过渡层,最终形成良好的冶金结合。     

多向锻造对NiTiNb9合金组织和形状记忆效应的影响

对Ni Ti Nb9合金进行了不同道次的多向锻造,研究了晶粒尺寸大小、第二相分布的变化,以及其对合金硬度和形状记忆效应的影响。结果表明:Ni Ti Nb9合金经过不同道次的多向锻造后,组织和硬度都发生了改变,合金硬度随着多向锻造道次的增加而增大;经3道次多向锻造后,合金晶粒呈纤维状,晶粒度最小,第二相分布最均匀,形状记忆效应最优良。     

ZnO、CeO2对BNCT介电性能的影响

为了获得高温稳定的电容材料,研究了ZnO、CeO2掺杂对Mn改性(Bi0.5Na0.5)0.88Ca0.12TiO3陶瓷材料介电性能的影响,并借助于XRD和SEM进行了微观分析.研究发现:随着ZnO掺杂量的增加,介电常数先增加后减小;容温变化率(△C/C25℃)曲线高温段改善;介质损耗在100℃以上的高温段先减小后又增加.XRD表明ZnO、CeO2的添加都引入了第二相;SEM显示添加质量分数为2%的ZnO能抑制异常晶粒,使晶粒均匀致密.在ZnO掺杂基础上添加CeO2,进一步改善了容温特性.当ω(CeO2)=1.2%～2.4%时,在-55～250℃范围内△C/C25℃≤±8%.     

面向战略巨变的管理体制构建工程:目标、路径与策略

<正>成果简介有色金属华东地勘局(以下简称ECE)面对宏观环境的变化,意识到高速发展的经济与即将到来的经济周期性调整将成为地勘单位难得的发展机遇。由此,ECE开始了其战略巨变工程,ECE战略巨变     

贮藏过程中低铝海蜇产品品质变化及货架期模型预测

以盐渍海蜇皮为研究对象,开发低铝海蜇产品,研究不同贮藏温度(25,37,45℃)对低铝海蜇产品品质的影响.通过Pearson相关系数分析,确定影响低铝海蜇产品品质的关键性因子,建立货架期模型并预测低铝海蜇产品的货架期.结果 表明,在25,37,45℃的贮藏条件下,海蜇产品的质构以及色泽、气味、硬度等感官特性均随着时间的...     

PTFE/SiO2复合材料的DSC分析及其结晶行为研究

采用DSC技术,研究不同热压温度制备的PTFE/SiO2复合材料以及纳米SiO2部分取代微米SiO2的PTFE/SiO2复合材料的非等温结晶行为。DSC分析表明热压温度高于370℃时,PTFE分子聚合度下降,晶态PTFE微观形貌发生改变,其性能恶化。对复合材料非等温结晶DSC曲线应用Avrami方程分析发现,结晶过程包含了均相成核和异相成核两种成核机理。纳米SiO2取代部分微米SiO2量小于0.25%时,对PTFE成核作用有一定提升,当取代量大于0.25%时,由于偶联剂用量一定,造成SiO2颗粒团聚以及与PTFE界面相容性变差,成核效果不明显。     

SiO2含量对PTFE/SiO2复合材料性能的影响

采用类似于粉末冶金工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征。系统研究了(1-x)PTFE-xSiO2(x为质量比)复合介质材料中,不同x值(x=0.35,0.40,0.45,0.50,0.55)对材料结构和性能的影响。结果表明,复合材料的密度随着SiO2含量的增加而减少,吸水率、热膨胀系数、介电常数和介电损耗随着SiO2含量的增加而增加。当SiO2质量分数为50%时,PTFE能很好地在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17μ℃-1)、介电常数(2.74)和低介电损耗(0.002)。     

芯片安全架构平台设计研究

通过CPU选型及架构评估,构建了SoC芯片安全架构研究平台,实现了软硬件设计、FPGA原型验证及ASIC物理设计.在该平台上,可灵活实现和验证各种SoC的功能,对SoC产品的攻击与防护技术的安全性进行研究和分析.     

TiO_2掺杂量对PTFE/SiO_2复合材料性能的影响

采用新型化学工艺,制备了SiO2与TiO2共同填充的PTFE复合材料,系统研究了TiO2掺杂量对所制复合材料显微结构、微波介电性能和热膨胀系数的影响。结果表明,复合材料的密度、介电常数和热膨胀系数都随着掺杂量的增大而增加,吸水率随着掺杂量的增大而减小,介电损耗随着掺杂量的增大先减小后增大。当TiO2掺杂量为质量分数7%时,PTFE很好地包覆在SiO2表面,复合材料结构致密,具有与铜箔较为匹配的线膨胀系数(17.76×10–6/℃),且介电性能优良(εr=2.94,tanδ=0.000 82)。