SEU加固存储单元中的多节点翻转

使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转(multiple node upset,MNU)问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MBU(multiple bit upset),发现它们之间的特点存在较大差异.最后讨论了避免MNU的方法.     

Snapback应力对90nm nMOSFET栅氧化层完整性的影响

基于测试对snapback应力引起的栅氧化层损伤特性和损伤位置进行了研究.研究发现应力期间产生的损伤引起器件特性随应力时间以近似幂指数的关系退化.应力产生的氧化层陷阱将会引起应力引起的泄漏电流增加,击穿电荷减少,也会造成关态漏泄漏电流的退化.栅氧化层损伤不仅在漏区一侧产生,而且也会在源区一侧产生.热空穴产生的三代电子在指向衬底的电场作用下向Si-SiO2界面移动,这解释了源区一侧栅氧化层损伤的产生原因.     

集成电路参数中心值和容差的耦合设计方法

基于对集成电路参数成品率中心值设计和容差分配的研究,该文提出了一种参数成品率中心值设计和容差分配耦合求解最优设计值的算法。该算法不需要设计者对电路或工艺的物理结构非常熟悉,从任意初始设计值和任意大小的容差,算法均可收敛到可接受域中的最优设计值。另外,根据工艺线的容差,算法可确定集成电路的最优参数成品率,也可根据实际要求选择适当容差的工艺线,以降低生产成本、提高效益。最后用实例证明了该算法的可行性和实用性,得到了满意的结果。     

低电场应力下闪速存储器的退化特性

基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起.     

fmax为30.8GHz的超薄Al2O3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.     

pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应

研究了在热载流子注入HCI(hotcarrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性．测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移，并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比．在这两种应力偏置条件下，pMOS器件退化特性的测量结果显示高温NBT应力使得热载流子退化效应增强．由于栅氧化层中的固定正电荷引起正反馈的热载流子退化增强了漏端电场，使得器件特性严重退化．给出了NBT效应不断增强的HCI耦合效应的详细解释．     

DESIGN AND ANALYSIS OF INTEGRATED OPERATIONAL AMPLIFIER XD1531 WITH LOW NOISE AT LOW FREQUENCIES

Principles of design are described for the low frequency integrated operationalamplifler XD1531 with low noise. The procedures of design of both the circuit structure and the tran-sistor shape are considered. The first stage of the circuit is designed with the methods of low noise atlow frequencies. The measures which decrease noises, especially, the 1/f noise originating .from thesemiconductor surface state and defects, are used for the transistor structure design. With analysisand comparison to products here and abroad in characteristics, it is shown that XD1531 has a lowernoise index at low frequencies than others, and the effectiveness of design methods for bringing lownoises have been demonstrated.     

NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响

随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展，负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重．研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题．首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响，这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应；然后给出了这种混合效应的解释．最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法．     

集成电路多目标优化设计的一般性问题及其求解方法

本文分析了集成电路设计和制造方面的特点及参数最优化的一般性问题.分析了集成电路设计初级阶段多目标优化的必要性和必然性.从这些特点出发综合了目前在这一领域已有的工作和方法,并就多目标优化的数学方法,集成电路设计和制造的统计性规律以及多目标优化的特殊对策作了较详细的描述.同时,给出了作者在此方面的一些工作.本文的目的是通过分析和讨论,给出集成电路优化设计的特殊性以及目前存在的问题,同时看到这一研究的必要性,以明确其研究目标和方向.     

集成双极晶体管模型参数的总体优化提取——非线性函数与梯度来解

本文论述了采用最优化计算方法提取集成双极晶体管模型参数的原理及其过程。重点在求解非线性目标函数和梯度的方法。求解非线性目标函数采用了改进的N-R方法和终值传递方法,不仅使目标函数求解的收敛性得到了保证,而且使迭代次数大为减少。对梯度的求解采用了伴随网络法,可以一次性将目标函数对每个参数的梯度求出。文章比较了改进的方法和原始N-R方法,说明了改进方法的优点。最后给出了晶体管实测结果与理论计算结果,说明本文使用方法的可行性。