DESIGN AND ANALYSIS OF INTEGRATED OPERATIONAL AMPLIFIER XD1531 WITH LOW NOISE AT LOW FREQUENCIES

Principles of design are described for the low frequency integrated operationalamplifler XD1531 with low noise. The procedures of design of both the circuit structure and the tran-sistor shape are considered. The first stage of the circuit is designed with the methods of low noise atlow frequencies. The measures which decrease noises, especially, the 1/f noise originating .from thesemiconductor surface state and defects, are used for the transistor structure design. With analysisand comparison to products here and abroad in characteristics, it is shown that XD1531 has a lowernoise index at low frequencies than others, and the effectiveness of design methods for bringing lownoises have been demonstrated.     

集成双极晶体管模型参数的总体优化提取——非线性函数与梯度来解

本文论述了采用最优化计算方法提取集成双极晶体管模型参数的原理及其过程。重点在求解非线性目标函数和梯度的方法。求解非线性目标函数采用了改进的N-R方法和终值传递方法,不仅使目标函数求解的收敛性得到了保证,而且使迭代次数大为减少。对梯度的求解采用了伴随网络法,可以一次性将目标函数对每个参数的梯度求出。文章比较了改进的方法和原始N-R方法,说明了改进方法的优点。最后给出了晶体管实测结果与理论计算结果,说明本文使用方法的可行性。     

集成电路多目标优化设计的一般性问题及其求解方法

本文分析了集成电路设计和制造方面的特点及参数最优化的一般性问题.分析了集成电路设计初级阶段多目标优化的必要性和必然性.从这些特点出发综合了目前在这一领域已有的工作和方法,并就多目标优化的数学方法,集成电路设计和制造的统计性规律以及多目标优化的特殊对策作了较详细的描述.同时,给出了作者在此方面的一些工作.本文的目的是通过分析和讨论,给出集成电路优化设计的特殊性以及目前存在的问题,同时看到这一研究的必要性,以明确其研究目标和方向.     

NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响

随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展，负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重．研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题．首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响，这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应；然后给出了这种混合效应的解释．最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法．     

衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1

该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。     

基于刻蚀工艺的IC关键面积计算模型与实现方法

在 IC的制造过程中 ,由于工艺的随机扰动 ,过刻蚀和欠刻蚀造成了导线条的宽度和线间距的变化 .论文在分析过刻蚀和欠刻蚀对 IC版图影响的基础上 ,提出了基于工艺偏差影响的 IC关键面积计算新模型和实现方法 .模拟实验表明模拟结果与理论分析是一致的     

IC制造中真实缺陷轮廓的分形特征

为了进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的．然而，真实的缺陷的形貌是多种多样的．本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征．该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益的探索     

超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究

本文深入研究了P⁺栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-SiO₂界面处的电化学反应.最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法.     

等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤

在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理 ,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法。     

亚微米、深亚微米LDD MOSFET的衬底电流模型中特征长度改进的描述

建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述,该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的LDD MOSFET.在以双曲正切函数描述的I-V特性基础上,该解析模型的运算量远低于基于数值分析的物理模型,其中提取参数的运用也大大提高了模型的精度,模拟结果与实验数据有很好的一致性.