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52.
采用对象时间常数构成目标变量滤波器实现二自由度功能,可减少按调节参数设置虑皮器的功能块,PID三作用分离算法可方便地加入改变调节参数的功能,直接PID关分方程算法是适用于没有现成PID的计算机。 相似文献
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环境友好阻燃环氧树脂覆铜板研究进展 总被引:15,自引:0,他引:15
论述了环境友好阻燃环氧树脂覆铜板研究开发的意义。提出通过开发并使用含氮、磷或硅的非卤阻燃型环氧树脂,含磷、氮或磷-氮的功能性阻燃固化剂和在体系中添加有机磷阻燃剂、氢氧化铝等无机阻燃剂等途径来开发环境友好阻燃环氧树脂覆铜板。并对我国在今后该领域的研究作了展望。 相似文献
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55.
针对未知但有界扰动作用下的约束线性系统,提出一种性能维持的增广可行域Tube经济模型预测控制(tube economic model predictive control,TEMPC)策略.首先考虑经济性能优化目标和鲁棒稳定控制目标,构造TEMPC优化问题的隐式收缩约束,并对系统状态和控制约束进行紧缩Tube设计,给出增广可行域优化问题的数学描述;然后,引入线性分解增广名义终端状态和终端罚函数,扩大优化问题的初始可行域,在此基础上应用终端“三要素”和收缩原理,建立TEMPC策略的递推可行性和闭环系统关于最优经济平衡点有界稳定性的充分性条件,进而证明闭环性能在原初始可行域上的不变性;最后,通过对比仿真结果验证所提出策略的有效性和优越性. 相似文献
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利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量.XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高.生长温度、反应气源中C/si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AIN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270℃,比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200~300℃;较为合适的C/Si比值为1.3. 相似文献
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结合工程实践,就如何加强工程管理中的质量和安全工作进行了探讨,提出了一些具体的经验和建议,以达到建立健全质量和安全管理制度的目的,从而提高施工企业的项目管理水平和竞争力. 相似文献
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移动TD传输网络本地网组网方案探讨 总被引:1,自引:1,他引:0
对于中国而言,基于GSM技术的2G网络已经相当完善,无论是无线网络的覆盖、核心网络的建设还是传输网络的配套,经历这么多年的发展,已经基本上能满足用户对网络资源的需求.国家基于战略考虑,选择中国移动建设我国拥有自主知识产权的3G网络,对中国移动而言是一个挑战,也是一个考验.以下仅从本地网角度简要探讨一下TD传输网络的建设问题. 相似文献
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