胜利油田常规井网矿场扩大试验采出液处理技术

胜利油田于1997年5月开始常规井网矿场试验,试验效果为注入井油压上升,注入剖面得到改善,生产井日产油量大幅度增长,含水大幅度下降,已累积增油25.55×104 t.但同时油井采出液黏度增大,原油乳化严重,油水处理越来越困难,注采系统结垢越来越严重.针对此问题,研制了DT型破乳剂、FH絮凝剂和FC净化剂.试验证明,用DT破乳剂对胜利油田的三元复合驱处理液进行处理,其使用效果优于常规破乳剂TA1031;而FH絮凝剂和FC净化剂复合使用时,对于三元复合驱采出水净化作用明显.     

单片集成压力传感器及弱信号处理电路的设计

通过分析硅压敏电阻与晶向的关系,找到力敏电阻在硅膜片上的最佳位置。经测量,在10～400kPa范围内,压阻电桥的灵敏度约为0.36mV/kPa。提出一种由惠斯登电桥双端输出和双级放大器组成的电路结构,以对称的输入结构和全摆幅输出,解决了传感器输出小、易产生零点漂移的问题。用Cadence软件对电路进行模拟,在5V电源电压下,该放大电路的输出范围为0.036～4.953V,开环增益为110dB,CMRR为105.8dB,相位裕度为63.68°,可满足压力传感器的要求。     

模糊聚类分析和排序在研究生招生中的应用

模糊聚类分析按一定要求和规律对模糊性问题加以处理,通常先建立模糊相似关系而后按实际要求进行分类。文中针对研究生招生工作,组建模糊数学模型,在用传递闭包法求得聚类顺序的基础上,根据"物以类聚"的思想,提出了基于模糊聚类的两种多指标综合排序方法,为以后解决同类问题提供了新思路。     

制备氟化铝溶液的影响因素分析

氟化铝溶液是磷肥副产氟硅酸直接合成法制冰晶石的重要中间产物.为制得稳定的氟化铝溶液,研究了制备氟化铝溶液的适宜氟硅酸溶液和氟化铝溶液浓度及适宜工艺条件,以期获得不易析出结晶的稳定氟化铝溶液和较高的氟化铝收率.     

镍-镓-铁系铁磁性形状记忆合金的阻尼性能

在分析相变温度和显微组织的基础上,采用低频扭摆仪研究了镍-镓-铁系铁磁性形状记忆合金的阻尼性能与应变振幅、频率及温度的关系.结果表明:Ni52Ga27Fe21合金的马氏体相变为热弹性马氏体相变,特征温度Ms、Mf、As、Af分别为69.3℃,60.2℃,93.6℃,102.6℃,室温下组织为板条状马氏体;镍-镓-铁系合...     

浅谈项目劳务管理

随着建筑市场的不断扩大,市场竞争日益严峻,如何进一步修炼施工企业自身的内功,对项目进行精细化管理,成为必然。而劳务分包管理直接影响项目的盈亏,关系到企业的经济和社会效益,必须引起施工企业尤其是项目管理层的高度重视。     

潘鲁生 在田间地头寻找诗意

从单纯的喜爱到民间手工文化生态系统的构建,潘鲁生一路走来,执著而坚定。从上世纪80年代开始,潘鲁生即深入乡村田野,探访和研究民间美术,行程几万公里,足迹遍布全国近30个省区。20多年后,潘鲁生在民艺的挖掘、整理、保护、研究、教育上成就斐然,已经成为中国民艺学研究领域的扛鼎之人。他乐于向学生们讲述手艺传承的事情,那情景,有点像长辈给晚辈讲故事,时不时会有一句话或者几个词,触动你的心弦。从他悠然的神情中,你可以很轻易地感受到这位学者对民艺纯粹的情意。这种痴迷和纯粹的状态,让人肃然起敬。     

我们的公民馆在哪里

公民馆是一个载体,可以将手工艺从"自我赏玩"的少数人引向大众,并成为大众精神文化生活不可或缺的部分。机缘巧合,星海在日本参加了一个公民馆组织的"中日友好交流会"。活动结束后,星海被要求唱首中国歌,他不会唱歌,赶忙请辞。"那就表演点有中国特色的东西。"盛情难却,星海打了一套24式太极拳。收功后,大家给予非常热烈的掌声。邀请他的朋友说想找一些学员,请星海当老师,他随口答应了。     

椰壳纤维制备活性炭纤维的研究

本文以椰壳纤维为原料,采用正交试验方法研究了(NHe)2HPO4作为活化剂,经预处理、炭化和活化过程制备活性炭纤维,其比表面积达到1268.1 m2.g-1,含有一定量的中孔孔结构,主要集中在2～4nm.通过对比分析,得出了各反应条件对反应产物性能的影响,并对活化机理进行了分析.     

Study of hybrid orientation structure wafer

Two types of 5μm thick hybrid orientation structure wafers,which were integrated by（110）or（100） orientation silicon wafers as the substrate,have been investigated for 15-40 V voltage ICs and MEMS sensor applications.They have been obtained mainly by SOI wafer bonding and a non-selective epitaxy technique,and have been presented in China for the first time.The thickness of BOX SiO₂ buried in wafer is 220 nm.It has been found that the quality of hybrid orientation structure with（100）wafer substrate is better than that with（110）wafer substrate by"Sirtl defect etching of HOSW".