高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化

本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术，建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层，２．５微米本征外延层，双阱，基区，多晶硅发射区，深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉＣＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。     

提高转炉煤气回收率的综合措施

结合实际生产情况，对影响转炉煤气回收的主要因素进行了必要的分析，从工艺、技术及管理等方面提出了提高转炉煤气回收率的具体措施，取得了较好的效果。     

铝电解电容器损耗研究

研究了铝电解电容器在直流电压和交流电压下的损耗及其计算方法．并提出了降低铝电解电容器损耗的措施．     

高强高模聚乙烯纤维产业化的现状及思考

介绍了高强高模聚乙烯纤维产业化的国内外发展现状、产品性能和应用技术,特别研究了有关国外公司产业化的发展战略,指出了国内高强高模聚乙烯纤维产业与国外的差距。对进一步做大做强我国高强高模聚乙烯纤维产业提出了看法:关键在于真正重视技术进步和研发创新,敢于交流和借鉴国内外先进技术,以企业为主体实行产、学、研三结合,推进技术进步和创新,整合行业资源,组建有实力的大企业进行应用技术研究和市场拓展开发。     

基于硬件控制器的乱序执行抗差分功耗攻击AES芯片

本文描述了一款通过硬件控制器实现乱序执行以抵抗差分功耗攻击（DPA）的AES 芯片。 该芯片实现了高级加密标准（AES）中规定的加密和解密算法。芯片采用细粒度数据流结构, 动态发掘了算法中的字节粒度操作的并发性。文章提出了一个新颖的电路,暂存-匹配-转发 单元（HMF）,作为乱序执行的基本控制结构,将并行的操作以乱序的方式执行。该芯片已 在中芯国际（SMIC）180 纳米工艺下流片。功能测试的结果表明,128 位密钥长度下加密一 组明文的平均功耗为19nJ,裸片面积为0.43mm2。芯片抗功耗攻击的能力通过一个实际攻击 平台进行了评估。实际测试结果表明,在乱序执行情况下,在64000 条样本功耗曲线下无法 识别正确密钥。和确定操作顺序的情况相比,本文提出的通过硬件控制器实现乱序执行的方 法将破解成本至少提高21 倍。     

一种新型的高压直流输电技术——MMC-HVDC

介绍了模块化多电平换流器型高压直流输电(MMC-HVDC)的基本结构、工作原理和技术特点,比较了MMC-HVDC相对于电压源换流器型高压直流输电(VSC-HVDC)的优势;对MMC-HVDC目前在国内外的研究进展和工程应用情况进行了回顾,分析了MMC-HVDC技术的不足之处和未来发展中可能的重点方向,包括主电路拓扑的相关问题研究、系统设计、故障保护、接地、谐波和损耗等,指出目前研究所采用的MMC-HVDC分析模型精度较低;因自身拓扑限制,目前成熟的VSC-HVDC控制方法无法直接用于MMC-HVDC;MMC-HVDC拥有较强的故障保护能力,当前研究着重于故障仿真分析,亟待探讨适合工程应用的保护策略;由于直流侧无需安装高压电容器组,MMC-HVDC接地实现困难;由于MMC-HVDC子模块数较多,采用较低的开关频率可得到较好的输出电压波形,使得系统损耗大幅降低;最后探讨了适合我国国情的MMC-HVDC工程实践。     

聚乙烯醇凝胶纺丝研究 Ⅰ.萃取条件对纤维结构性能的影响

讨论了萃取工艺条件对纤维结构性能的影响，主要影响因素有溶剂含量、萃取时间和温度、萃取浴比、萃取次数。根据测试结果选择了最佳工艺条件。     

面板坝坝面溢流试验研究

根据保尔德面板坝坝面溢流的模型试验，阐述了钢筋砼砌护面的特点及稳定条件， 工程提出了较合理的护面体型布置、陆槽边墙分段的连接形式及其稳定性试验成果。     

冻胶纺PVA纤维的拉伸及热处理

用ＤＳＣ、ＤＭＡ和声速仪等研究了热拉伸对冻胶纺ＰＶＡ纤维结构和性能的影响，观察到热拉伸过程中存在着不同结晶相结构之间的转变，且高强高模纤维的形成与这种转变有关；本文还研究了热处理条件对冻胶纺ＰＶＡ纤维结构和性能的影响，观察到加张力热处理不但能提高纤维的断裂强度和初始模量，同时还可能提高其断裂伸长率。     

V2G充放电站系统CAN总线通信协议的制定与实现

在发展智能电网的大背景下,汽车到电网(vehicle to grid,V2G)技术备受关注。电动汽车可以通过V2G充放电系统进行充放电。充放电过程中,汽车与充放电站系统需要通信协议进行实时数据交互。以CAN(controller area network)2.0B为标准,对CAN总线应用层进行开发,制定出符合我国国情的V2G充放电通信协议。通过实验测试,提出的通信协议能够保证电动汽车充放电过程中信息可靠交互。