SiO2掺杂对PMS-PZT陶瓷结构和电性能的影响

对Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.1Zr0.47Ti0.43O3(简称PMS-PZT)+w(SiO2)(0≤w≤0.6%)三元系压电陶瓷材料的微观结构和电性能进行了研究。XRD图谱表明室温下该材料为钙钛矿结构,并随SiO2掺杂物的加入材料由四方相向三方相转变。实验结果表明:当w(SiO2)为0.1%时,在1300℃,1h条件下烧结,能获得较好的综合性能:εr为1642,tgδ为0.0043,kp为0.57,Qm为1553,d33为325pC·N–1,可以满足压电电动机和压电变压器等高功率应用方面的要求。     

水基流延片式ZnO压敏电阻器低温共烧工艺及其性能

用环境扫描电子显微镜（ESEM）、X射线衍射（XRD）和X射线能谱（EDXS）等研究了水基流延片式ZnO压敏电阻器的低温共烧工艺及其对微观结构和电学性能的影响规律。ESEM分析结果表明：当等静压压力为60 MPa时,Ag电极与流延膜生坯界面结合紧密,Ag电极分布连续,900℃共烧时,未出现开裂、分层,两者收缩率接近。EDXS和XRD分析结果表明：900℃共烧时,Ag在片式压敏电阻器中以单质形式存在,流延膜与Ag电极化学兼容性良好,且在共烧界面处未发现有明显的Ag离子扩散。该流延膜可以与Ag电极在900℃时实现低温共烧,用此制备的片式ZnO压敏电阻器具有良好的压敏性能：压敏电压V1mA=6.1 V,非线性系数α=28.1,漏电流IL=0.15μA。     

ZnO压敏陶瓷的PVA系水基流延成型工艺及其性能

采用聚乙烯醇(PVA)系水基流延成型工艺制备了ZnO压敏陶瓷的水基流延膜。用粒度分析、粘度测量和动态机械热分析等方法研究了各组分对水基流延浆料性能的影响,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了水基流延膜的微观结构和物相组成。结果表明:在浆料质量比(陶瓷粉体:去离子水:分散剂:粘结剂:增塑剂:表面活性剂)=100:84.6:1:6:5.4:3时,所制水基流延膜无缺陷且微观结构均匀;另外,该流延膜经900℃烧结后具有良好的电性能:电压梯度E1mA=112.4 V/mm,非线性系数=34.6,漏电流密度JL=0.5×10–6A/cm2。     

ZnO颗粒度对ZNR中添加剂分布的影响

研究了ZnO主体料颗粒度对氧化锌压敏电阻(ZNR)中添加剂分布的影响及由此带来的性能的变化。随ZnO颗粒度的增加,ZNR中添加剂Bi、Sb在晶界中分布更加不均匀,ZnO晶粒中元素Co的含量也增加,因而造成ZNR的大电流特性变差。     

PbTiO3+Bi2Ti2O7掺杂的Ba4.5Nd9Ti18O54微波介质陶瓷

研究了PbTiO3 Bi2Ti2O7掺杂的Ba4.5Nd9Ti18O54微波介质陶瓷材料的结构和介电性能.结果表明,随着掺杂量的增加,陶瓷材料的密度呈现出轻微下降的趋势,介电常数则保持较高的数值,Q值及τf随掺杂量的增加而下降.当PbTiO3 Bi2Ti2O7掺杂量为20%时,材料的εr≈93,Q.f≈5800 GHz,τf≈3×10-5/℃.XRD分析表明,当PbTiO3 Bi2Ti2O7掺杂量小于24%时,Ba4.5Nd9Ti18O54材料仍呈现出单相结构.利用电介质极化理论初步解释了材料介电性能变化的原因.     

基于C 语言的串口通讯程序设计

本文着重介绍三线多环回型结构电缆结构的构成 ,设计了新的发送 /接收收程序来防止信息丢失 ,用 Turbo C语言实现了个人计算机同智能仪表的通讯程序设计     

低介微波介质陶瓷基板材料研究进展

低介电常数能减小基板与电极之间的交互耦合损耗并提高电信号的传输速率,高品质因数有利于提高器件工作频率的可选择性和简化散热结构设计,近零的谐振频率温度系数有助于提高器件的频率温度稳定特性。特别在工作频率逐渐提高的情况下,介电损耗不断增大,器件发热量迅速增加,材料的热导率成为一个需要重点考虑的因素。由于陶瓷材料的热导率是有机材料的20倍左右,因此,低介电常数微波介质陶瓷成为制备高性能基板的理想材料。此外,基板材料还需具备高强度和优越的表面/界面特性等综合性能。鉴于此,首先评述了介电常数小于15的低介微波介质陶瓷材料体系的研究进展情况,在此基础上,介绍了降低基板材料介电常数的方法和表面致密化措施,最后指出了在高性能低介微波介质陶瓷基板材料研制过程中面临的问题及今后的发展方向。     

低温烧结CoFe2O4-(PZN-PZT)多铁复合材料磁电性能研究

采用传统陶瓷工艺和低温烧结制备了CoFe₂O₄-(PZN-PZT)多铁复合陶瓷, 研究了混合方式、PZT包覆和成分变化对其结构、磁性能、磁电耦合性能的影响。XRD图谱和TEM照片显示, 采用溶胶-凝胶和包覆搅拌混合的方法获得了CoFe₂O₄/PZT核壳结构粉末, 在CoFe₂O₄表面形成了10~20 nm的钙钛矿PZT壳层。EDS结果显示, 低温烧结和阻挡层可以有效抑制两相间的元素扩散。SEM照片和磁电性能结果显示, 相对未包覆研磨混合工艺, 包覆搅拌混合可以提高磁性颗粒复合含量, 获得较好烧结匹配性, 有效提高材料的磁电耦合性能。研究结果表明, 包覆搅拌混合制备体积比为4:6的CoFe₂O₄-(PZN-PZT)样品, 经1000℃烧结, 在10 kHz下获得最大磁电耦合系数(18.3 mV/(cm·Oe))。     

基于非对称共地λ/4谐振器对的三频带滤波器设计

提出了一种全新的谐振器结构——非对称共地λ/4谐振器对.此谐振器对由一个4 UIR谐振器和λ/4 SIR谐振器通过共用一个接地通孔组合而成.其中SIR谐振器工作于2.4 GHz与5.2 GHz频段,UIR谐振器工作于3.6 GHz频段,据此设计制作了一个四级三频带切比雪夫型滤波器并进行了测试和仿真.结果表明,该滤波器的测试结果与仿真符合良好.利用此谐振器对设计的滤波器不仅体积大大减小,而且每个通带的位置及其耦合特性都能够独立调谐.     

低损耗高耐压Al2O3基低温共烧陶瓷

为获得低介电损耗、高耐压强度的Al₂O₃基低温共烧陶瓷(LTCC)材料,采用固相法制备了x(6La₂O₃·24CaO·50B₂O₃·20SiO₂)(LCBS)+(1–x)Al₂O₃玻璃/陶瓷。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、矢量网络分析仪、高压击穿试验仪、高温介电温谱仪对烧结样品的结构和性能进行了表征。结果表明：添加适量的LCBS玻璃粉有助于提升材料的致密性、降低介电损耗、提高击穿场强。同时,复阻抗谱分析表明,LCBS玻璃的加入可以显著提高玻璃/陶瓷的电阻率和活化能。当玻璃含量(摩尔分数)为44%时,850℃烧结0.5 h,可获得性能优异的LTCC陶瓷材料G44:ε_r=7.14,Q×f=5 769 GHz(f=13 GHz),E_b=57.44 kV/mm。