Ge4+取代对BaSnSi3O9陶瓷烧结行为和微波介电性能的优化

微波介质陶瓷是制造5G通信元件的关键材料,采用传统的固相反应法制备Ba Sn(Si_1–xGe_x)₃O₉(0≤x≤1.0)微波介质陶瓷,研究Ge⁴⁺取代Si⁴⁺对BaSnSi₃O₉陶瓷烧结行为、晶体结构和微波介电性能的影响。结果表明：BaSnSi₃O₉陶瓷在最佳的1 450℃烧结温度下表现出多孔的微观结构,并呈现较差的微波介电性能(介电常数ε_r=6.61,品质因数Q×f=7 977 GHz (谐振频率为15.03 GHz),τ_f=?37.8×10^–6/℃)。通过Ge⁴⁺对Si⁴⁺的取代能形成Ba Sn(Si_1–xGe_x)₃O₉固溶体,其晶体结构为六方结构和P-6c2空间群。采用...     

新型低介微波介质陶瓷的结构及性能

介绍了相对介电常数低于15的四种低介微波介质陶瓷材料系列(R2BaCuO5(R=Y,Sm,和Yb等)系、Al2O3系、AWO4(A=Ca,Sr和Ba)系和Zn2SiO4系等)的结构和微波介电性能,并指出其目前普遍存在的问题和发展趋势。     

汽车尾气检测用Mg_Co_Ni_O 氧传感器材料的研制 氧传感器材料的研制

本文介绍了汽车检浏用一一一氧敏材料发现的掺入可提高材料的 稳定性及电导激活能, 扩宽材料检测的氧压范围等且当。时, 材 料具有最好的氧敏特性米用高温多次预烧的工艺可获得晶粒尺寸均匀、气孔率适当的 瓷休     

ZnO粉料颗粒度对ZNR性能的影响

观测了三种不同ZnO粉料的颗粒形貌及分布,并研究了ZnO粉料颗粒度对ZNR的微观结构及电性能的影响。     

MOA阀片中有害杂质微掺杂研究

研究了掺杂Cu、Cd和Na杂质对MOA阀片的大电流残压比的影响,指出Cu对MOA阀片极为有害。     

复合氧化物电子功能陶瓷的现状与展望

本文阐述了复会氧化物电子功能陶瓷的概念、分类、设计原则、复会机理以及典型应用，并对复合氧化物电子功能陶瓷的发展方向作一简单的介绍。复合氧化物电子功能陶瓷主要分为固溶型、机械混合型、晶界偏析型、包覆型、两相反应型等。其复合机制主要有加和性、乘积性、多色渗滤等，未来复合氧化物电子功能陶瓷的发展方向主要有：１．纳米级复合氧化物电子功能陶瓷材料的设计与制造；２．多功能复合氧化物电子功能陶瓷材料的设计与制造；３．无污染、可再生的复合氧化物电子功能陶瓷材料的开发与研究。     

相变扩张对低阻值PTC材料阻温特性的影响

本文研究了载流子迁移率和相变扩张对低阻值ＰＴＣ材料阻温特性的影响，指出常温电阻率很低（２５Ω，ｃｍ左右）的ＢａＴｉＯ＿３ＰＴＣ材料的阻温关系中产生反常规象的原因，是施主电离能较低以及材料的相变扩张。同时，常温电阻率很低的ＰＴＣ材料，其升阻比也难以做得较高。     

施主掺杂对TiO2氧敏材料缺陷化学的影响

对施主V2O5掺杂TIO2材料的高温电导进行了详细的测试：XRD分析表明少量施主掺杂并未改变材料的金红石结构；施主掺杂样品在较高温度测试时，在高氧分压一侧，发生电导类型转变，从而使测氧范围变窄。运用缺陷化学分析法，解释了不同氧分压下的电导机制。     

基于双模谐振器的双通带可调谐滤波器设计

从理论上分析了开路支节加载双频谐振器的谐振模式,通过在谐振器末端加载变容二极管的方式,设计了一款双通带独立可调谐滤波器。通过调节谐振器末端变容二极管电容值大小来改变通带的中心频率,通过调节支节末端的变容二极管来调节通带的带宽。该滤波器的两个通带之间相互独立,调谐其中一个通带对另一个通带几乎没有影响。通过引入源与负载的耦合,使得双通带两侧各产生一个传输零点,提高了滤波器的选择性和带外抑制能力。最终设计出的滤波器第一通带的中心频率在1.08~1.19 GHz之间连续可调,绝对带宽在112~152 MHz之间连续可调;第二通带中心频率在2.07~2.22 GHz 之间连续可调,其绝对带宽在132~189 MHz 之间连续可调。在调谐过程中,通过调节中心开路支节末端变容二极管加载直流电压大小,实现调谐过程两通带带宽基本维持不变。     

滤波器耦合槽直径对其性能的影响仿真

采用高频结构模拟软件模拟1／4λ同轴型带通微波陶瓷滤波器结构,讨论了耦合槽直径对滤波器的性能如带宽、插损、带内波动、阻带抑制等的影响。结果表明,随着耦合槽直径的增大,滤波器中心频率、插入损耗和阻带抑制减小,3dB带宽增大。讨论结果表明,可通过调整滤波器耦合槽直径的大小,得到理想性能的介质滤波器。