低损耗高耐压Al2O3基低温共烧陶瓷

为获得低介电损耗、高耐压强度的Al₂O₃基低温共烧陶瓷(LTCC)材料,采用固相法制备了x(6La₂O₃·24CaO·50B₂O₃·20SiO₂)(LCBS)+(1–x)Al₂O₃玻璃/陶瓷。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、矢量网络分析仪、高压击穿试验仪、高温介电温谱仪对烧结样品的结构和性能进行了表征。结果表明：添加适量的LCBS玻璃粉有助于提升材料的致密性、降低介电损耗、提高击穿场强。同时,复阻抗谱分析表明,LCBS玻璃的加入可以显著提高玻璃/陶瓷的电阻率和活化能。当玻璃含量(摩尔分数)为44%时,850℃烧结0.5 h,可获得性能优异的LTCC陶瓷材料G44:ε_r=7.14,Q×f=5 769 GHz(f=13 GHz),E_b=57.44 kV/mm。     

高储能密度铁酸铋基无铅铁电陶瓷研究进展

电介质电容器因其充放电快、功率密度高的独特优势而在脉冲电源系统和各类电子设备中得到了广泛应用。目前商用高功率固态电容器主要使用陶瓷介质作为储能材料,其中铁电陶瓷因其高储能密度而在近年来受到了学者的关注。然而普通铁电体高的剩余极化强度阻碍了其储能密度的提升。铁酸铋基铁电体拥有高自发极化强度和高剩余极化强度,通过诱导弛豫态可有效降低其剩余极化强度而保持较大的自发极化强度,并解决击穿场强与极化强度之间的制约关系,从而实现优异的储能性能。首先概述了介质储能材料的主要性能参数以及铁酸铋无铅铁电陶瓷作为铁电储能材料的特性与优势,其次对不同形态的铁酸铋基铁电材料储能性能的调控思路及研究进展进行了综述,最后总结了该体系提升储能性能的方法和未来的发展趋势。     

ZnO压敏陶瓷液相低温烧结技术的研究进展

阐述了ZnO压敏陶瓷烧结过程中的液相传质机构，重点论述了传统铋系ZnO压敏材料的液相低温烧结研究方向，以及钒系和玻璃系两种新型ZnO压敏材料的低温液相烧结及其存在的问题。     

一种新型结构微波介质滤波器的设计及仿真

详细论述了一种新型结构微波介质滤波器的设计方法,分析了滤波器结构中耦合结构与谐振结构的相互影响关系,根据微波网络理论计算出的微波介质滤波器结构参数值,并采用高频结构模拟软件(HFSS)对滤波器结构进行仿真优化,得到了性能满足要求的仿真结果,根据仿真优化的结果制备出的微波介质滤波器其性能与设计要求相吻合。     

热敏电阻阻温特性曲线测试系统的研制

通过标准ＲＳ－２３２串行接口把计算机同智能仪表结合起来,组成热敏电阻阻温特性曲线测试系统,通过外围接口电路通道转换和控温,计算机通过串口由智能万用表进行数据采集,由软件实现参数计算和曲线显示。     

基于串口通信的热释电系数测试系统设计

阐述了一种基于PC机的热释电系数自动测试系统,介绍了利用Delphi7开发的串口通信和数据处理程序,并给出了主要源代码,利用该测量系统可以获得热释电系数与温度的关系曲线.     

气体放电管直流击穿电压自动测试系统的研制

采用译码器构成单总线控制，设计了智能电压源组成气体放电管直流击穿电压自动测试系统。它由计算机采样确定击穿电压，根据相关标准判别元件的好坏，并可进行数据查询和统计处理。由于采用阵列结构、同时加压机制、自动转换测量电压，提高了测试效率和测试数据重复性。系统人机界面友好，操作简单方便，可靠性高。     

（K0.5Na0.5）1-2xSrx（Nb0.94Sb0.06）O3无铅压电陶瓷结构及性能研究

以传统电子陶瓷工艺制备了(K0.5Na0.5)1-2xSrx(Nb0.94 Sb0.06)O3无铅压电陶瓷,研究了适量锶、锑取代对陶瓷结构及电性能的影响. 结果表明,少量的锶、锑取代没有改变(K0.5Na0.5) NbO3陶瓷的相结构,仍为单相正交结构的钙钛矿型铁电体;适量的锶取代使得晶粒大小均匀一致,提高了陶瓷的致密度;锶、锑取代降低了陶瓷的居里温度,但对正交四方相变温度的影响不大,且在0～200℃的温度范围,介电常数几乎不依赖频率的变化而变化;在x=0.008处,得到较好综合性能的陶瓷材料:d33=155pC/N,kp=0.361,Qm=120,Np=2862,Pr=23μC/cm2,Ec=1.4kV/mm,ρ=4.411g/cm3.     

CaTiO3 对(1-x)ZnAl2O4-xMg2TiO4(x=0.21)微波介质陶瓷结构和性能的影响

利用常规固相法制备了ZnAl2O4-Mg2TiO4-CaTiO3陶瓷,研究了CaTiO3对其相成分、微观组织结构和微波介电性能的影响规律. 结果表明,CaTiO3能有效地改善(1-x)ZnAl2O4-xMg2TiO4(x=0.21)材料的烧结性能,使其致密化温度降低150℃. ZnAl2O4-Mg2TiO4-CaTiO3陶瓷体系中包括ZnAl2O4基尖晶石相、CaTiO3、MgTi2O5和Zn2Ti3O8相,当烧结温度高于1400℃时,Zn2Ti3O8相消失. 随着CaTiO3含量的增加,体系中CaTiO3相含量增加而MgTi2O5相含量减少,且CaTiO3具有显著地调节谐振频率温度系数的作用. 当在(1-x)ZnAl2O4-xMg2TiO4(x=0.21)体系中掺入6mol%的CaTiO3添加剂时,经1400℃烧结后能获得温度稳定性好的微波介质陶瓷材料,其微波介电性能为:εr=11.8,Q*f=88080GHz,τf=-7.8×10-6/℃.     

钙掺杂对BaTiO3PTCR陶瓷性能的影响

钙参杂对ＢａＴｉＯ３ＰＴＣＲ陶瓷的微观结构和电性能具有显著的影响,钙掺杂有助于晶粒的均匀生长。少量钙掺杂对材料阻值及电性能影响不大。当钙掺杂达到一定时,材料的晶粒迅速减小,其电阻温度系数达到最大,室温电阻值增大。