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61.
以氢直流电弧法制备CeHx纳米粉末, 再采用放电等离子(SPS)反应液相烧结纳米CeHx和微米B的混合粉末, 制备了高性能CeB6多晶块体热阴极材料. 研究了SPS制备CeB6的烧结反应式及反应液相烧结机制, 确定SPS烧结CeB6的最佳工艺为: 压力50MPa, 烧结温度1500℃, 保温时间5min. 实验结果表明, SPS制备得到了高纯单相CeB6多晶块体, 纯度达到99.89%, 相对密度达到99.61%, 维氏硬度达到2051kg/mm2, 抗弯强度达到254.2MPa. 样品在1600℃温度下拐点发射电流密度达到20.38A/cm2, 功函数为2.42eV. 与传统制备法相比, SPS制备显著降低了CeB6的烧结温度, 缩短了烧结时间, 提高了力学和发射性能.  相似文献   
62.
采用放电等离子烧结技术制备了致密纳米晶SmCoCuFeZr烧结磁体,研究了磁体的结构和磁性能.X衍射结果表明,烧结磁体具有TbCu_7结构.TEM观察显示,烧结磁体平均晶粒尺寸为35nm.室温时磁体的剩磁为0.49T,矫顽力高达1.42T,而剩磁比Mr/Ms为0.63,表明在纳米晶之间存在晶间交换耦合作用.  相似文献   
63.
采用高能球磨和放电等离子烧结技术制备了致密纳米晶Sm2Co17烧结磁体,研究了粉末和烧结磁体的结构和磁性能.球磨粉末在低温退火(<1023K)时,主相为TbCu7结构;高温退火(>1023K)时,主相为Th2Zn17结构.退火温度从923K增加到1223K,粉末的矫顽力从0.99T下降到0.12T.烧结磁体也具有TbCu7结构,磁体平均晶粒尺寸约为35nm.室温时磁体的剩磁为0.65T,矫顽力达0.87T.烧结磁体具有较好的高温性能,573K时的剩磁为0.6T,矫顽力为0.32T.  相似文献   
64.
放电等离子烧结制备铁基大块非晶材料   总被引:2,自引:1,他引:1  
以惰性气体雾化的非晶铁基粉末为原料,采用放电等离子烧结技术(SPS)制备大块非晶材料.探索了SPS烧结温度对烧结体的物相、相对密度、微观结构和性能的影响.试验表明,采用优化的SPS烧结工艺,用粉末冶金的方法,可以获得致密的大块非晶材料,部分性能与铸态相当.  相似文献   
65.
铽纳米颗粒掺杂烧结高性能NdFeB永磁的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
分别采用物理气相沉积和快淬-氢爆工艺制备了Tb纳米粉和主相Nd_2Fe_(14)B磁性粉末, 研究了Tb纳米颗粒掺杂对烧结NdFeB永磁磁性能和微观结构的影响. 结果表明, 随着纳米Tb粉含量的增加, 磁体的矫顽力逐渐升高, 剩磁和磁能积则呈下降趋势. 显微组织研究表明, Tb元素富集在主相晶粒的边界层位置, 这种分布方式不仅有效地提高了磁体的矫顽力, 而且降低了Tb的添加量, 从而减小了Tb的添加对磁体剩磁及磁能积的负面影响.  相似文献   
66.
1 INTRODUCTIONIn 1 990 ,interstitialnitrogenatomswereintro ducedintointermetalliccompoundsRFe12 -xTx(R =rareearth ,T =transitionmetalormetalloid)withaThMn12 typestructuretogreatlyimprovetheperma nentmagneticproperties.Thus ,theRE FenitrideshavingtheThMn12 typestruc…  相似文献   
67.
激活后发射良好的Mo La2 O3 阴极表层含有大量镧 ,原子浓度比约为 (稍大于 )10 % ;发射衰减的阴极表层中镧含量减少 ,未激活的原始阴极丝表层中镧更少。对不同状态阴极中氧含量及其变化的比较 ,以及碳、钼峰分析认为 :发射良好阴极中镧的活性程度较大 ,即超额镧的存在是影响阴极工作性能的主要因素 ;衰减后阴极中镧的总量虽不小 ,但镧的活性显著降低是阴极发射不好的主要原因  相似文献   
68.
掺杂复合稀土氧化物的钼的组织与性能   总被引:5,自引:0,他引:5  
对掺杂一种(以下简称:单元)或一种以上(以下简称:复合)稀土氧化物的钼粉、坯条及不同温度退火丝材的性能及组织结构进行了系统研究。结果表明:复合稀土同单元稀土一样,都能提高钼丝的再结晶温度,复合稀土钼丝表现出优异的高温退火强度,并具有比同含量的单元稀土钼丝更高的延伸率,具有更好的成型性和加工性。  相似文献   
69.
研究了在钼中添加稀土氧化物对几种钼丝的组织及性能的影响。结果表明,添加适量稀土能够获得细小均匀的还原钼粉,烧结后的钼坯条的晶粒细小均匀,掺杂提高了钼丝材的室温强度和再结晶温度,这种稀土钼丝材经1700℃高温退火后具有良好的延伸率,有利于热阴极用的定型加工。  相似文献   
70.
氢氧化镍电极材料的层错结构表征   总被引:5,自引:0,他引:5  
根据氢氧化镍电极材料的X射线衍射谱线的各向异性宽化特性 ,提出层错结构表征方法。采用层错宽化效应的Warren法和Langford谱分解法 ,测算了一些镍电极材料的层错率。结果发现层错率与材料的放电容量存在对应关系 ,放电容量较高 (2 70mA·h/g)的材料层错率达 14.9% ,而放电容量较低 (2 0 7mA·h/ g)的材料层错率为 7.6 %。因此可以用层错率表征氢氧化镍电极材料的电化学性能  相似文献   
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