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61.
本文介绍一种简单、高灵敏度的空气中总氚量的监测方法。空气先通过一个乙二醇鼓泡吸收器以除去HTO,再通过加热的催化剂,使HT气体氧化为HTO,然后被第二个乙二醇鼓泡吸收器捕集。捕集的氚用液闪法测量。研究了取样流速、相对湿度、采样时间(吸收体积)以及氚的浓度对吸收效率和回收率的影响,并测定了在催化氧化剂上HT的转化效率。本法可用于氚实验室监测,含氚试验设备的氚泄漏率测量及环境监测等。 相似文献
62.
根据青钢第二炼钢厂LF精炼造渣工艺的特点,利用炉渣组元CaO、SiO2、Al2O3、CaF2进行分析探讨,制定出合理的渣系配比和快速造白泡沫渣工艺.实践证明,此工艺可减少化渣、造渣时间各约7 min,钢材中全氧含量可降低10×10-4,脱硫率可提高15%以上,成分和温度控制的精度得到提高,充分发挥了LF的精炼效果. 相似文献
63.
64.
开展了In As/Ga Sb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究。通过对不同处理工艺形成台面器件的暗电流分析,发现N2O等离子处理结合快速热退火(RTA)的优化工艺能够显著改善长波器件电学性能。对于50%截止波长12.3μm的长波器件,在液氮温度,-0.05 V偏置下,表面处理后暗电流密度从5.88×10-1 A/cm2降低至4.09×10-2 A/cm2,零偏下表面电阻率从17.7Ωcm提高至284.4Ωcm,有效降低侧壁漏电流。但是该表面处理后的器件在大反偏压下仍有较大的侧壁漏电,这可能是由于高浓度的表面电荷使得大反偏下侧壁存在较高的隧穿电流。通过栅控结构器件的变栅压实验,验证了长波器件存在纯并联电阻及表面隧穿两种主要漏电机制。最后,对表面处理前后的暗电流进行拟合,处理后器件表面电荷浓度为3.72×1011 cm-2。 相似文献
65.
本文基于长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列(Focal Plane Array,FPA)设计和生长了由ZnS和Ge组成的多层薄膜结构。与没有多层薄膜的FPA相比,多层薄膜使其响应峰位置从8.7μm和10.3μm分别移动到9.8μm和11.7μm,50%响应截止波长从11.6μm移动至12.3μm,并且在波长为12μm处的响应强度增加了69%。总之,优化的多层薄膜可以调控FPA的响应波长,这为实现更高灵敏度和更高成像能力的长波红外探测提供了更好的平台。 相似文献
66.
用助熔剂法生长出掺Bi复合稀土铁石榴石晶体((TbYbBi)3Fe5O12),用(TbYbBi)3Fe5O12替代传统的无磁性Gd3Ga5O12晶体作基底液相外延掺Bi稀土铁鎵石榴石薄膜((TbBi)3GaXFe5-XO12).测量了Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体和Tb2.43Bi0.57Ga0.12Fe4.88O12薄膜/Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体复合结构材料在光通信波段(波长λ=1500-1620nm)处的光透射谱(T)、饱和磁化强度(Ms,0.5×106A/m)、法拉第旋转温度系数(FTC,5×10-5/K)和法拉第旋转波长系数(FWC,0.05%/nm).所得结果表明:Tb2.43Bi0.57Ga0.1Fe4.9O12薄膜/Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体复合结构材料的综合性能适用于宽带和温度稳定的光隔离器及其他光通讯器件. 相似文献
67.
本文根据苏联海洋考察和深海钻探的最新资料,探讨了太平洋西北部一组不同类型的构造,其中包括有标准地壳剖面的海盆,地壳异常厚的沙茨基隆起和海斯隆起,皇帝火山隆起,一些大型的海底断裂,边缘长垣和海沟。对这些构造的相互关系,它们与东亚大陆边缘构造的关系也作了研究。 相似文献
68.
针对灌区用水计量模糊问题,开发了一种新型明渠流量仪。该系统先对现场测量获得所需要的流量,然后结合GPRS通讯技术、J2EE技术和数据库技术,开发了基于B/S结构的明渠流量仪测量系统。论文分别从硬件和软件两方面介绍了系统的总体结构和具体的实现。该产品已应用在节水灌溉系统中,效果良好。 相似文献
69.
徐志成 《浙江大学学报(工学版)》1996,30(4):468-470
通过对{Bi0.4Ca0.6}[Fe2-yIny](Fe1.7V1.3)O12(u<0.3)的室温穆斯堡尔谱分析确定非磁性离子In3+进入八面体(a)晶位置换部分Fe3+.按单离子模型对BiCalnVIG单晶温磁晶各向异性常数与掺铟量的关系进行叠代得出Fe3+离子在单晶BiCaVIG和BiCaInVIG四面体和八面体晶位上对磁晶各向异性有大体相同的贡献. 相似文献
70.
本文阐述以助溶剂缓慢降温法生长纯锂铁氧体单晶的试验结果。文中还对单晶生长条件和磁性能测试结果进行丁讨论。测试结果表明,该材料具有,居里温度T_c=643±5℃,在室温上下各波动100°K时,磁矩变化值≤±7%,各向异性场强=-287Oe,铁磁共振线宽△H=5.8Oe。这类单晶材料的研制成功,将为微波高频段单晶器件的制造创造条件。 相似文献