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利用高压方法制备了二元方钴矿结构热电材料CoSb3,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)研究了CoSb3的物相组成及微观结构,并对其室温下的电学性质进行了研究.通过XRD测试发现高压方法能够快速(约20 min)制备出单相的CoSb3.SEM测试显示高压方法制备的样品晶粒细小且致密较高.室温下电学测试表明:随合成压力的升高,CoSb3的Seebeck系数增大,电导率减小.
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用合金触媒利用温度梯度法合成优质Ⅱa型宝石级金刚石。研究发现,在约5.4GPa和约1300℃的条件下,除氮剂的加入使合成金刚石的温度区间变窄及金刚石晶体生长过程中更易俘获包裹体而出现熔坑,从而影响晶体的生长速度。实验解决了组装的稳定性问题;并通过调整组装,在除氮剂合适的掺入量下,使合成优质金刚石的最大生长速度达到2.16mg/h。结果实验获得了4.3mm的优质Ⅱa型金刚石大单晶。红外测试分析表明该金刚石含氮量小于10^-7。
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