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温度场对白宝石晶体生长质量的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
熔体提拉法生长晶体时温度场的分布对晶体的质量有着重要影响.采用电阻加热提拉法生长白宝石晶体时,由于腔体内的温度梯度较小,使得晶体的外形难以控制.当液面上坩锅中心附近处的轴、径温度梯度过小时,生长初期放肩就难以控制;且生长晶体的等径度易成螺旋状.当轴、径向温度梯度较大时,虽然晶体外形容易控制,但晶体容易开裂,因而其成品率较低.与此同时晶体的转速决定着固液界面的形状,微凸界面是生长高质量晶体的必要条件.当白宝石晶体外形不好时,其内部容易产生散射颗粒、气泡等缺陷.研究通过调整生长装置和转速,找到了生长优质晶体的温度场.实验获得了Φ60×120mm的优质白宝石晶体. 相似文献
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以碳热还原法生产的AlN粉体为原料,用国产六面顶压机,在5.0GPa,1 300~1 800℃,在无烧结助剂的情况下,高压烧结制备了AlN陶瓷.用X射线衍射、扫描电镜对高压烧结AlN陶瓷微观结构进行了表征.结果表明:经1 300℃烧结50 min制备的AlN陶瓷的相对密度达94.8%.经1 400℃烧结50min制备的AlN陶瓷的断裂模式为穿晶断裂.经1 800℃烧结50min制备的AlN陶瓷由单相多晶等轴晶粒组成,该样品的热导率达115.0W/(m·K).高压烧结制备的AlN陶瓷的晶格常数比AlN粉体的略有减小.高压烧结温度的提高和烧结时间的延长有助于提高AlN陶瓷的热导率. 相似文献
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在5.0 GPa、1300-1800℃条件下不使用烧结助剂高压烧结制备了AlN陶瓷,
研究了烧结温度和烧结时间对AlN高压烧结体微观结构和残余应力的影响. 结果表明:
高压烧结制备AlN陶瓷能有效地降低烧结温度和缩短烧结时间,
在5.0 GPa /1400℃/50 min条件下AlN烧结体表现出穿晶断裂模式;
将烧结温度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了单相多晶等轴晶粒组织;
在5.0 GPa/1700℃/125 min条件下AlN陶瓷内部存在2.0GPa的残余压应力,
其原因是在高压烧结AlN陶瓷出现了晶格畸变 相似文献
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高温高压温度梯度法是一种有效的合成宝石级金刚石单晶的方法。金刚石生长速度的控制非常关键。金刚石生长速度过快,得不到优质单晶;生长速度太慢又不利于商业化生产。在本文中我们在国产六面顶液压机上合成Ib型宝石级金刚石。对短时间(3小时)合成的晶体生长速度与金刚石品质之间的关系进行了研究。对于生长时间小于3小时的金刚石:当生长速度超过2mg/h时,晶体的品质较差;当生长速度小于2mg/h时,可以获得优质晶体。我们分析了实验中包裹体、熔坑、自发核和连晶的形成原因。并认为过快的生长速度是导致这些现象出现的主要因素。所以为获得优质晶体,在金刚石生长的初期(3小时内)生长速度应控制在2mg/h以下。 相似文献
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Ca3Co4O9是一种具有广泛应用前景的热电功能材料,为了提高其热电性能,利用高压成型方法及常规二次固相反应技术,制备了稀土ce掺杂的氧化物热电陶瓷材料ca3-xcexCo4O9(z=0,0.1,0.3,0.5),在室温条件下对其微观结构和热电性能进行了测试分析.经扫描电镜测试发现,高压方法制备样品的致密度较高.热电性质测试表明,Ca3CO4O9的电阻率及See—beck系数随Ce掺杂量(z)的增加而增大,x=0.1时得到最大的功率因子;与常规二次固相反应制备的样品相比,高压制备的样品具有更高的热电性能. 相似文献