全文获取类型
收费全文 | 9333篇 |
免费 | 601篇 |
国内免费 | 582篇 |
专业分类
电工技术 | 909篇 |
综合类 | 685篇 |
化学工业 | 834篇 |
金属工艺 | 175篇 |
机械仪表 | 457篇 |
建筑科学 | 354篇 |
矿业工程 | 161篇 |
能源动力 | 856篇 |
轻工业 | 138篇 |
水利工程 | 59篇 |
石油天然气 | 1059篇 |
武器工业 | 721篇 |
无线电 | 1598篇 |
一般工业技术 | 445篇 |
冶金工业 | 287篇 |
原子能技术 | 77篇 |
自动化技术 | 1701篇 |
出版年
2024年 | 34篇 |
2023年 | 150篇 |
2022年 | 164篇 |
2021年 | 206篇 |
2020年 | 221篇 |
2019年 | 241篇 |
2018年 | 120篇 |
2017年 | 232篇 |
2016年 | 278篇 |
2015年 | 314篇 |
2014年 | 667篇 |
2013年 | 490篇 |
2012年 | 576篇 |
2011年 | 599篇 |
2010年 | 612篇 |
2009年 | 663篇 |
2008年 | 650篇 |
2007年 | 595篇 |
2006年 | 482篇 |
2005年 | 464篇 |
2004年 | 453篇 |
2003年 | 356篇 |
2002年 | 292篇 |
2001年 | 251篇 |
2000年 | 205篇 |
1999年 | 168篇 |
1998年 | 170篇 |
1997年 | 186篇 |
1996年 | 129篇 |
1995年 | 102篇 |
1994年 | 122篇 |
1993年 | 67篇 |
1992年 | 62篇 |
1991年 | 62篇 |
1990年 | 47篇 |
1989年 | 65篇 |
1988年 | 10篇 |
1987年 | 3篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
为了研究爆轰波在分叉管内的传播特性,对以H_2/O_2为燃料的分叉式脉冲爆轰发动机进行了实验研究。分别测试了不同工况条件下管内不同采样点爆轰波压力,并对其变化过程进行了深入分析。实验结果表明:爆轰波在分叉管内传播过程中,分叉口下游主管道内爆轰波在经过6倍管径长度的过渡区后恢复稳定,爆轰强度不变。爆轰波绕射进入分叉支管2,并且在管壁发生多次碰撞和反射,形成过驱爆轰,在燃料充分填充的条件下可以恢复稳定爆轰,爆轰强度与主管道内爆轰波强度相同。在分叉支管2内加装扰流片对加快形成爆轰的影响甚小,分叉支管2内燃料填充率是形成稳定爆轰的关键。 相似文献
62.
斯蒂芬酸铅的半导体桥点火试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)装药条件下发火电压、发火电容及积分能量对点火时间影响的对比,结合不同点火条件下,桥体两端电压曲线、电流曲线和电流二次峰出现时间的比较,研究了斯蒂芬酸铅(LTNR)的半导体桥点火机理。试验发现特定的点火电路下,SCB点火时间存在一个临界值,且SCB等离子体形成的快慢直接影响点火时间。在充电电压从大到小的点火过程中,在桥与药剂之间存在2种不同的点火机理,在较高点火电压下为等离子体点火机理,在低电压为热点火机理。 相似文献
63.
64.
叠氮化铅半导体桥点火研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)作为发火元件点燃叠氮化铅(Lead Azide,LA),获得了其电压电流曲线,通过分析其电压电流曲线和烧蚀后的桥面,发现两种不同的点火机理:当LA的颗粒较大时(45μm),利用SCB产生的等离子体将药剂点燃;当LA的颗粒较小时(1μm),SCB不产生等离子体就可以将药剂点燃。非等离子体点火时,其发火电压约为等离子体点火时的20%,降低了SCB的点火能量。此外,压药压力对非等离子体点火的最低发火电压有一定影响,80MPa时其发火电压最低。 相似文献
65.
66.
67.
68.
纳米多孔硅含能材料性能研究 总被引:3,自引:3,他引:0
结合微机电系统(micro-electromechanical systems)加工技术采用电化学腐蚀法制备多孔硅,通过扫描电镜、比表面积测试仪、差热和红外对多孔硅结构参数以及多孔硅含能材料性能进行了分析,同时对其发火性能进行了测试,结果显示多孔硅具有均匀的纳米尺度孔径,孔径为20 nm左右,较大的比表面积以及良好的海绵体结构特性;纳米多孔硅含能材料在热能刺激下515℃时可发生热分解反应;在热烘烤2 min或者1.6 A直流条件下多孔硅含能材料可靠发火。表明了纳米多孔硅含能材料在没有金属壳体条件限制时,可以在热能和电能刺激下发生点火作用。 相似文献
69.
LCL型并网变流器常采用同步旋转坐标系下基于变流器侧电感电流的并网控制,但LCL型滤波器和数字延迟的dq轴模型均存在轴间耦合,制约了并网性能,且随着开关频率降低,性能恶化更为明显。针对该问题,文中在建立LCL型并网变流器复矢量模型的基础上,对并网变流器耦合特性和传统解耦方案进行分析。针对现有方案的不足,提出了一种基于相位补偿和虚拟阻抗优化的LCL型并网变流器改进控制策略,通过零极点图详细分析了虚拟阻抗对系统耦合程度及系统阻尼特性的影响,进而给出了确定3个参数优化值的方法。最后,仿真和实验结果表明,与现有方案相比,所提策略能够实现对系统耦合程度及阻尼特性的独立控制,有效实现解耦并改善系统动态性能。 相似文献
70.
开放式通信环境不可避免地会导致通信延迟现象的产生,针对多区域负荷频率控制系统提出了基于事件触发的模型预测输出反馈控制方案。模型预测控制器通过延迟通信网络交换预测输入序列,构造Luenberger型观测器以提供传输到本地控制器的状态估计。此外,通过比较实际状态观测值与模型输出反馈控制器中使用的估计值之间的偏差来设计事件触发条件,扩展最大允许的时间间隔,从而减少通信资源的利用。最后,对四区域负荷频率控制系统进行仿真研究,结果表明在具有时变延迟和随机分组丢失的非理想通信网络中,所提出的方法能够提高系统的控制性能,并减少网络信息传输量。 相似文献