多时变时滞细胞神经网络的全局渐近稳定性分析

研究了多时变时滞细胞神经网络的全局渐近稳定问题.给出了多时变时滞细胞神经网络平衡点唯一性和全局渐近稳定的新判据.这些新判据考虑了神经元激励和抑制的影响,且易于验证.仿真结果验证了所得结论的有效性.     

基于LMI的一类中立型延迟神经网络的全局渐近稳定判据

针对一类能够由中立型变延迟非线性微分方程描述的神经网络模型,给出了全局渐近稳定的不依赖于时间延迟的充分条件.所得到的稳定判据不仅考虑了神经元的激励和抑制对网络的影响,而且易于验证.仿真示例验证了所得结论的有效性.     

用光学全息方法研制软X射线Bragg-Fresnel光学元件

介绍了软X射线Bragg Fresnel光学元件的特点 ,并以磁控溅射法制备多层膜 ,再采用光学全息方法在涂有光刻胶的多层膜表面上形成波带片图形 ,通过显影、离子束刻蚀完成元件的制作     

带有无穷分布时滞的不确定系统的鲁棒H_∞滤波器设计

针对一类在系统的状态方程与可测输出中都包含有非线性无穷分布时滞的参数不确定系统,提出一种新颖的鲁棒H∞滤波器的设计方法.设计的鲁棒H∞滤波器可以保证对于带有时变且范数有界的参数不确定性的滤波误差系统是渐近稳定的,并且满足所给定的H∞性能指标.鲁棒H∞滤波器可以通过线性矩阵不等式方法获得.通过一个数值的例子验证了该方法的有效性.     

长距离流体输送管道泄漏检测与定位技术的现状与展望

介绍基于软件的泄漏检测和定位方法的发展现状，即基于模型的方法、基于信号处理的方法和基于知识的处理方法等，对上述方法存在的优缺点进行了评述，并对泄漏检测和定位方法的未来发展方向提出了作者的看法。     

真空紫外Al/MgF_2反射镜

采用三步热舟蒸发制作法研制了真空紫外Al/MgF2反射镜,研究了改善制备工艺有效提升反射率的方法。在两层Al/MgF2反射镜制备过程中,第一步在室温石英基板上快速蒸发厚约70nm的铝膜;第二步在铝膜表面迅速蒸发厚约10nm的MgF2;第三步先对基板加热到一定温度后,再在Al+MgF2的表面上蒸发15~20nm厚的MgF2。通过调整基板温度(室温、100℃、200℃和300℃),研究了基板温度对Al/MgF2反射率的影响。真空紫外反射率计测试结果表明:第二步蒸镀MgF2之后增加基板温度有利于提高反射镜的反射率;MgF2薄膜的厚度对反射镜的反射率起到一定的调制作用,MgF2厚为26.7nm的反射镜在122nm处的反射率达85%。在实验室环境下存放1个月和5个月后,反射镜的反射率没有变化。研究结果为真空紫外光学系统需求的高性能光学元件的研制提供了技术基础。     

基于Mezei算法的FeCo-Si中子多层膜极化镜优化设计

多层膜极化镜是构成中子极化装置的核心元件,为了实现中子多层膜极化镜的研制,开展了中子多层膜极化镜的设计方法研究。首先阐述了中子多层膜极化镜的原理,基于不同材料的光学特性,提出了中子多层膜极化镜的材料选择方法;其次,介绍了Mezei设计方法,并针对Mezei设计方法的缺陷,分别通过引入新的膜层结构(亚帽层法)和新的设计参数(乘系数法),对原设计方法进行了改进,实现了上旋中子反射率和极化率较为理想的m=2的中子极化超镜的设计。计算结果表明,两种方法均可以提升上旋中子反射率,但都会增加极化镜的膜层数,其中帽层法增加的膜层数相对较少。     

13.5nm Schwarzschild显微镜系统及成像实验

研制了工作波长为13.5 nm的Schwarzschild成像显微镜.从共轴两镜系统的基本理论出发,通过消除三级球差、彗差和像散设计了Schwarzschild物镜的光学初始结构,计算了物镜的光学传递函数.结果表明,物镜在士0.3 mm视场内像方空间分辨率可达550 lp/mm.根据工作波长和镜面的入射角度设计了Mo/...     

选煤厂用磁铁矿粉的技术要求

论述了重介质选煤厂所用磁铁矿粉的技术参数,分析了如何测定磁铁矿粉的水分、粒度级、磁性物含量、密度、全铁和二价铁含量等指标,提出了磁铁矿粉测定的重要意义。     

Si间隔层对Al(1wt.%Si)/Zr极紫外多层膜热稳定的作用研究

为了提升Al/Zr多层膜的热稳定性,采用直流磁控溅射方法制备了18个带有不同厚度Si间隔层的Al(1 wt.%Si)/Zr多层膜,并将这些样品分别进行了不同温度(100~500 ℃)的真空退火,退火时间为1 h.利用X射线掠入射反射(GIXR)和X射线衍射(XRD)的方法来研究Si间隔层对Al/Zr多层膜热稳定性的作用.GIXR测量结果表明:随着Si间隔层厚度的增大,Al膜层的粗糙度减小,而Zr膜层的粗糙度增大;XRD测量结果表明:Al和Zr膜层粗糙度的变化是由于退火后膜层中晶粒尺寸不同造成的.相比于没有Si间隔层的Al/Zr多层膜,引入厚度为0.6 nm的Si间隔层可以有效提升Al/Zr多层膜的热稳定性.