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为了减少传统无味粒子滤波(Unscented particle filter, UPF) 算法的计算负担, 提出了最小斜度单形无味转换(Minimal skew simplex UT, MSSUT) 方法, 这种方法是用最小斜度无味卡尔曼滤波来产生粒子的重要性函数. 它不仅能够扩大重要性分布与系统状态的后验概率密度的重叠性, 而且能够通过减少Sigma 点来减少计算负担. 但是, 随着状态空间维数的增加, Sigma 点集的覆盖半径增大, 导致了Sigma 点集的聚集性变差. 辅助随机变量变尺度无味变换(Auxiliary random variable formulation of the scaled unscented transformation, ASUT) 能够克服Sigma 点集分布扩展的缺点. 所以, 提出了一种高维空间中改进的变尺度最小斜度无味粒子滤波(Scaled minimal skew simplex unscented particle filter, SMSSUPF) 算法. 仿真结果表明: 在高维状态空间中, 与传统的无味粒子滤波(UPF) 相比, 计算复杂度和计算负担显著减少. 与最小斜度无味粒子滤波(Minimal skew simplex unscented particle filter, MSSUPF) 相比, SMSSUPF 减少了系统噪声方差和测量噪声方差所带来的估计误差. 相似文献
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水力学数值模拟计算具有成本低、效率高、计算精度高的优点,是水力学研究的新手段。为研究其在竖井旋流泄洪洞复杂水流特性的适应性,用k-ε紊流模型以及VOF方法,对查日扣水电站旋流泄洪洞进行了水力学数值模拟研究。研究结果表明:水力学数值计算在流量、流速、压强等方面与水工模型试验误差较小,计算精度比较高;在计算水流掺气量、通风流速、水流流线等方面,数值计算更有优势,能简单直观的给出结果;在计算水流脉动压力、河道的冲淤变形等方面还有一定的不足,要参考模型试验成果。更多还原 相似文献
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SOI(绝缘体上硅)器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响。模拟数据和试验数据具有很好的一致性。 相似文献
66.
在西部丘陵地区修建的建构筑物,场地内一般会伴随较为深厚的填土层。由于填土强度低及压缩性高等特性,在自重应力的作用下会产生较大的沉降,导致位于其中的桩会受到较大的负摩阻力,桩身轴力增大。文章通过对填土自重作用下桩的轴力进行量测并结合理论分析对位于填土中的桩的侧摩阻力进行研究,具有重要的实际意义。 相似文献
67.
针对城南水厂水源地表水pH常年偏高导致出厂水余铝含量存在超出内控限值的风险,开展了投加CO2调节原水pH控制余铝含量的试验性研究。结果表明,CO2可有效调节原水pH,随着原水pH的降低,对应沉后水余铝含量最大可降低约71.6%。当调节原水pH值在6.68~7.32,对应沉后水余铝质量浓度可保持在0.055 mg/L以下。相比于HCl调节结果,CO2调节后沉后水的余铝含量和浑浊度更低,更适用于水厂实际应用和安全管控。随着原水水温升高,对应沉后水的余铝含量逐渐升高,聚合氯化铝(PAC)发挥混凝作用的最佳pH范围降低。PAC虽为酸性,但不足以起到有效调节原水pH以降低沉后水余铝含量的作用。水厂实际运行中,可以利用CO2调节原水至PAC发挥混凝作用的最佳pH范围来控制溶解态余铝含量,并兼顾内控指标和经济性的平衡。 相似文献
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建立了环栅结构的CMOS/SOI器件的SPICE模型,可以对抗辐照设计中环栅结构的CMOS/SOI器件计算其等效宽长比,将环栅器件转换为等效宽度和长度的条栅器件;以及对体接触电阻等其他受影响的SPICE模型参数做出调整,使其电学特性模拟达到最准确精度.模拟数据和试验数据具有很好的一致性,证明所建立的模型具有较高的精度. 相似文献
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70.
针对抗辐照设计中特殊非规则条栅栅结构的CMOS/SOI器件,分析其SPICE模型参数,对源漏电阻、电容、体接触电阻等其他模型参数作出调整,建立非标准器件的完整精确模型.设计制作了多种不同非标准栅结构的PD CMOS/SOI 晶体管,并采用新的SPICE模型参数来模拟这些器件.模拟数据和试验数据具有很好的一致性,证明所建立的模型具有较高精度,适合抗辐照电路设计应用. 相似文献