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61.
(Ni、Li)掺杂ZnO薄膜的制备及其性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶-凝胶技术和旋涂的方法,在Si(100)衬底上制备了Ni掺杂和(Ni、Li)共掺的3种ZnO薄膜(Ni0.10Zn0.90O、Ni0.10Li0.05Zn0.85O和Ni0.10Li0.10Zn0.80O)。X射线衍射分析表明,所有薄膜样品均为纤锌矿结构,未发现其他杂相。光致发光研究表明,(Ni、Li)共掺后出现了410nm左右的紫外发光峰,并随Li浓度的增加发光峰变强,该峰与Li杂质能级有关,同时观察到O2-空位引起的610nm和740nm的两个红色发光峰。薄膜中Ni离子为+2价,取代Zn离子的位置。掺杂的ZnO薄膜呈现室温铁磁性,单个Ni原子的饱和磁矩可达到0.210μB,掺入Li或在N2气氛中退火后,都导致单个Ni原子的饱和磁矩降低。铁磁性来源于电子调制的机制。  相似文献   
62.
简要地介绍了磁性材料的进展,同时对磁性材料的分类提出了除按磁滞回线分类外还可以按交叉效应进行分类的观点。调控自旋将成为新世纪重要的研究领域。  相似文献   
63.
64.
磁性液体的磁光效应及其应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
都有为 《功能材料》1991,22(3):129-134
本文综述了磁性液体及其与非磁性颗粒复合体的一些磁光效应,如法拉第效应,双折射效应以及二向色性的研究情况。并简述了可能的应用前景.  相似文献   
65.
永磁铁氧体的离子置换一直是生产、基础研究上颇为引人注目的课题。迄今,人们对铁离子置换进行了较广泛的研究,但对钡(锶)离子的置换的研究工作较少。为了开展这方面的研究,我们将对稀土离子的置换进行一系列的工作。本文重点报道La_xZn_xBa_(1-x)Fe_(12-x)O_(19)的草酸盐共沉淀制备工艺、烧结过程中的相交与磁性。 1.草酸盐共沉淀粉料的制备草酸盐共沉淀的化学反应式为: (Fe~(++),Zn~(++),La~(+++),Ba~(++))+C_2O_4~-→(Fe~(++),Zn~(++),La~(+++),Ba~(++)(C_2O_4~-)↓实验中采用分析纯的金属离子的氯化物为原料,按分子式(La_2O_3)x/2(ZnO)_x(BaO)_(1-x)  相似文献   
66.
对铬离子置换的钡铁氧体BaF12-2xCr2xO19(x=0,1,2,3,3.5,4)进行了穆斯堡尔港学研究。结果表明,Cr离子始终不进人4f1晶位;对于2a、4f2、12k品位呈随机置换,没有明显的优先占据趋势,从x=4时的穆斯堡尔诺看到,Cr离子也进人2b位,但置换量很小;随着Cr离子含量的增加,材料的居里温度降低,下降速率约为50K/Cr原子。  相似文献   
67.
用Al部分替代Nb制备了Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xAlx非晶条带,通过4种不同的退火方式得到其纳米晶样品,采用阻抗分析仪测量各样品的复数磁导率,并分析了退火方式对初始磁导率的影响.研究发现,经退火后,样品(除x=3.0)的磁导率有明显改善,明显高于经同样退火处理的Finemet配方的样品;对于不同退火方式,性能最好的样品Al含量不尽相同;对于不同Al含量的样品,有各自不同的最佳退火方式;对于x=3.0、完全不含Nb的样品,经随炉升温或降温退火后,仍然有较高的磁导率.研究结果表明,在Finemet配方中,用适量Al替代Nb,经适当退火后,样品的磁导率得到明显改善,从而提供了一条研制低成本高磁导率纳米晶合金的可能的途径.  相似文献   
68.
69.
利用溶胶凝胶和氢气还原的方法合成出Fe/SnO2纳米颗粒。通过催化裂解乙炔的方法,可在该纳米颗粒表面合成出高产率、高选择性的碳纳米纤维。研究表明温度对所合成碳纳米纤维的产率、尺寸和微结构有着很大的影响。获得了超高的碳纳米纤维的产率(278和445),并且所合成的碳纳米纤维材料表现出较好的微波吸收性能。在15.29 GHz处,样品的反射损耗达到最小,其数值约为-7.28 dB,且可在3.90~18 GHz内获得低于-5 dB的反射损耗值。因此,提出了一个简单、环境友好的碳纳米纤维超高产合成路径,该路径有利于该材料的广泛使用。  相似文献   
70.
在由磁性金属颗粒镶嵌在非磁金属或绝缘基体中而形成的两相非均匀颗粒系统中, 当磁性金属的体积百分含量处于临界值时, 体系的输运行为有许多奇异的现象. 相继在在磁性金属/非磁金属和磁性金属/绝缘体系统中发现了巨磁电阻效应和隧道磁电阻效应; 特别的在磁性金属/绝缘体系统中发现了反常霍耳效应的极大增强, 称为巨霍耳效应. 为了探讨颗粒体系的巨霍耳效应的机制, 本文用离子束共溅射的方法制备了大约1.5×10-7 m 厚度的Cux(Al2O3)1-x颗粒薄膜, 研究了非磁金属/绝缘体体系Cu/Al2O3颗粒系统的巨霍耳效应, 发现在量子渗流阈值时, 霍耳电阻比正常金属高2个数量级.  相似文献   
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