超精密平面飞切机床关键技术研究

研制了一种用于KDP晶体加工的平面飞切机床,该机床直线轴基于直线电动机驱动、液体静压导轨支承;刀具旋转轴采用高刚度气浮主轴+高刚度主轴旋转机构。基于高精度分辨率位置反馈+线性驱动器+PID控制算法,直线轴获得了1 mm/min速度下,0.018 mm/min的低速波动以及±0.01μm的位置精度;刀具微进给装置采用差动螺纹进给来实现,最终获得了进给分辨率1μm、锁紧后位置移动量小于1μm高精度进给。在优化工艺参数后,金刚石飞切机床加工100 mm×100 mm×10mm的KDP晶体后获得表面粗糙度Rq优于2 nm高精度指标;加工400 mm×400 mm×30 mm的铝镜后获得面形PV值优于3μm的高精度指标。     

杂质离子对锰电解电流效率的影响

以自制电解液为研究体系,考察了几种杂质,如福美钠、硫化钠、铈离子、磷酸根离子和氟离子等对电解锰电流效率的影响。结果表明:铈离子(Ⅳ)在一定浓度范围内对锰电解电流效率影响较小;硫化剂SDD和硫化钠的存在不仅会造成电流效率下降,还会造成电解锰质量下降,引起产品出现起壳、发黑、含硫量增加等问题;氟离子和磷离子的存在也会造成电流效率急剧下降,而且会严重腐蚀阳极板,造成阳极板工作效率下降、使用年限缩短,致使生产成本升高,严重时使电解过程不能正常进行。     

飞行时间二次离子质谱对矿物表面性质的研究

随着易选矿石的逐步枯竭,低品位、嵌布粒度细等难选矿石的开发利用已成必然趋势。目前,矿物加工已经从实践生产阶段发展到了理论研究指导实践生产的阶段,因此具有分辨率高、信息量大、灵敏快速以及样品用量少等特点的矿物表层研究方法来支撑理论研究是必不可少的。飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS)是近年来在矿物加工中使用较多的一种矿物表面化学分析方法,具有表面质谱、化学成像、深度剖析、快速灵敏及数据精准的优点,因此总结归纳了近年来TOF-SIMS在矿物加工中应用取得的成果,以期为学者提供可靠的理论依据及技术支持。     

瓷塑复合型填料在脱硫塔内的运行效果

简述了焦炉煤气净化过程中,脱硫塔填料的使用情况及填料堵塞对脱硫系统的影响,阐述了瓷塑复合型填料的优点以及在生产运行中的效果。     

氧化铈-二氧化硅介孔材料制备及对铜离子的吸附性能

采用共沉淀法和沉淀浸渍法制备了纳米氧化铈-二氧化硅（CeO₂-SiO₂）介孔材料吸附剂,主要考察了其对水中铜离子（Cu²⁺）的吸附行为。通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和氮吸附（BET）等手段对合成的介孔材料进行了性能表征,并通过静态吸附实验分析了溶液pH、溶液初始金属离子质量浓度、吸附剂用量、吸附时间等条件对介孔材料吸附Cu²⁺性能的影响。结果表明：共沉淀法制备的纳米CeO₂-SiO₂介孔材料对Cu²⁺的去除效果较沉淀浸渍法要好;当溶液pH=7.0时CeO₂-SiO₂介孔材料对Cu²⁺的吸附效果最好,20 min时基本达到吸附平衡;溶液初始Cu²⁺浓度增大Cu²⁺去除率降低,Cu²⁺累计吸附量增大;随着吸附剂用量增加Cu²⁺去除率增大,当CeO₂-SiO₂吸附剂用量为0.15 g/L时对Cu²⁺的去除率趋于稳定;CeO₂-SiO₂吸附剂对不同金属离子吸附性能由大到小的顺序为Cu²⁺、Fe²⁺、Mn²⁺,该吸附过程均符合准二级动力学模型。