冷却工艺对低合金耐磨钢 NM400的组织性能影响

对低合金高强度耐磨钢 NM400进行两种不同的轧制冷却工艺研究：前端集中冷却和稀疏冷却。采用光学显微镜（OM）、扫描电子显微镜（SEM）、SANSCMT5105电子万能试验机和 HV9250仪器化落锤式冲击试验机，研究了两种不同轧制工艺下 NM400的组织和析出物的演变规律以及对应的力学性能的变化。试验结果显示：两种冷却工艺条件下 NM400的组织基本相同，均以粒状贝氏体为主。第一种冷却条件的冷速较大，组织有由粒状贝氏体向板条贝氏体转变的趋势，且析出物尺寸较大；第二种冷却条件的冷速较低，组织中存在先共析铁素体，且析出物尺寸较小。含有板条贝氏体组织的强度较高，达到 637.5MPa，含有先共析铁素体的组织－20℃低温冲击功较高，达到了167J。     

高校实验室门禁系统信息化建设与应用

本文提出了根据实验室不同类型人员性质,构建“信息采集+人脸识别+无感测温”和“定制OA流程+身份识别+无感测温”通行模式的信息化门禁管理系统,以此代替复杂化的人工审核验程序。实践表明,该系统有效解决了实验室门禁管理的困境,有力提升了门禁通行效率,逐步完善了实验室疫情防控长效机制。     

有色冶金高含盐废水处理技术研究进展

高含盐废水作为有色冶金行业一种难处理的特种废水,一直是制约企业"零排放"的重要瓶颈问题。本文分析了传统技术处理高含盐废水存在的缺陷,重点论述了电吸附、膜分离、热浓缩等新技术在高含盐废水处理中应用的优缺点,提出了一种高效简便、低运行成本的低温热法短流程技术。同时指出低能耗、高效率、较低运行成本、无二次污染、资源化合理利用的综合性技术是未来有色冶金高含盐废水处理的研究方向。     

回火温度对颗粒增强型低合金耐磨钢组织和性能的影响

研究了不同回火温度下颗粒强化型低合金耐磨钢的微观组织、力学性能和耐磨性能,确定了最佳的回火工艺。结果表明,轧制态颗粒强化型低合金耐磨钢中均匀弥散分布着大量微米级和纳米级TiC析出。回火温度升高,基体中ε-碳化物增多,试验钢的屈服强度整体上先升高后降低,抗拉强度、硬度和冲击吸收能量逐渐降低,伸长率逐渐升高,在200 ℃低温回火时,试验钢表现出最优的综合力学性能,同时表现出最佳的三体磨料磨损性能。     

真空离子镀替代电镀技木研究进展

电镀在工业中应用已久,但由于在电镀过程中有三废排放,对环境污染严重,且需大量投资治理而又难以根治,同时电镀过程产生的六价铬及电镀层中的镍、镉是对人体有害的致癌物质.     

1R1T远程运动中心机构的型综合

多自由度远程运动中心机构是微创手术机器人的关键部分之一。现有的远程运动中心机构通常采用直线运动单元实现器械沿轴线的移动,这种方式占用末端空间大,容易发生干涉。基于仿图仪机构提出一种末端紧凑型1R1T远程运动中心机构的型综合的新方法,这类1R1T远程运动中心机构可用于构造更高自由度的远程运动中心机构。依据仿图仪机构所属几何变换对其进行分类,并定义仿图仪机构之间的等价关系。通过结合两个相互等价的仿图仪机构,提出刚体运动跟踪机构的概念。在此基础上提出一种1R1T远程运动中心机构的型综合方法:通过刚体运动跟踪机构将1R1T机构中输出连杆的运动模式复制到远端,从而构成1R1T远程运动中心机构。通过该方法得到若干适合微创手术机器人的新构型。     

能源与动力工程专业新疆民族学生培养模式探索

针对能源与动力工程专业新疆民族学生在专业教育中出现的问题,初步研究了新疆民族学生的教育特点,结合能动专业的培养规格,调整专业课程设置、改革教学内容和教学方法,探索能动专业新疆民族学生的培养模式,以适应新疆能源大发展对能动专业人才的需求。     

基于交互与应用的移动终端信息产品设计类型研究

目的研究移动终端平台中的信息产品设计类型。方法以"交互"和"应用"这两个信息设计要素为切入点,对京东网3款移动终端信息产品案例进行研究。结论在移动终端平台上,交互与应用既是信息产品服务于用户的关键,也是不同设计类型产品的研究依据和衡量标准。移动终端页面应用(Web App)平台与第三方本地应用程序(Native APP)平台,代表了移动终端上信息产品的两大类型,Web App平台为用户提供高效简洁的交互与应用功能;Native APP平台则是为用户提供更加丰富多样的交互和应用体验。     

LDMOS器件软失效分析及优化设计

横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在高压静电放电(ESD)防护过程中易因软失效而降低ESD鲁棒性。基于0.25μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺分析了LDMOS器件发生软失效的物理机理,并提出了增强ESD鲁棒性的版图优化方法。首先制备了含N型轻掺杂漏版图的LDMOS器件,传输线脉冲(TLP)测试表明,器件在ESD应力下触发后一旦回滞即发生软失效,漏电流从2.19×10-9 A缓慢增至7.70×10-8 A。接着,对LDMOS器件内部电流密度、空间电荷及电场的分布进行了仿真,通过对比发现电场诱导的体穿通是引起软失效及漏电流增大的主要原因。最后,用深注入的N阱替代N型轻掺杂漏版图制备了LDMOS器件,TLP测试和仿真结果均表明,抑制的体穿通能有效削弱软失效,使其适用于高压功率集成电路的ESD防护。