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71.
夏峰  王晓莉 《功能材料》1999,30(1):57-59
采用熔盐法得到了PMN-PT陶瓷,研究了在不同烧结温度下PMN-PT陶瓷的介电、压电性能,分析讨论了烧结温度、烧成密度、晶粒大涉以及晶界玻璃相与介电、压电性能的关系。结果表明,适当的晶粒大小以及采用不同烧结温度和退火工艺消除晶界玻璃相有利于压电、介电性能的提高,并对可能的机理进行了分析。  相似文献   
72.
夏峰  姚熹 《功能材料》1999,30(3):293-294
将位于同型相界附近的固溶体系9.91PZN-0.09PT作为一个组元,与同样位于准同上界的另一个组元Pb(Zr0.53Ti0.47)复合形成新的压电陶瓷体系(1-x)(0.91PZN-0.09PT)-xPb(Zr0.53Ti0.47)O3,实验结果表明新体第具有更好的压电,介电性能,对样品退火处理后,发现压电,介电性能有较大提高,Kp最高达到73%,d33最高达到570pc/N。  相似文献   
73.
为探求东亚金融危机发生和传染的内部和外部原因,利用模型、GARCH模型等定量方法对影响危机的主要经济因素、危机的传染效庆和1997年泰国金融危机传染的原因进行了分析。最全,讨论了国家在金融市场开放过程中的宏观经济政策,提出了防止今后危机重现应采取的措施和危机发生后各国之间的“合作对策”。  相似文献   
74.
鉴于全机疲劳试验周期长、一套加载系统完成载荷施加、高频检查等特点,设计了一次安装,可长期使用,集加载、测量、检查等功能于一体的框架系统.对集成框架进行有限元校核和寿命评估,结果显示其刚度、静强度、疲劳寿命均满足试验要求,并且各项功能和性能在试验应用中得到了验证,表明集成框架设计的合理性.本框架设计过程形成的设计原则及经验,对后续的全尺寸静力/疲劳试验提供了借鉴和指导.  相似文献   
75.
Telematics系统研究与车载终端设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
Telematics是基于智能交通系统(ITS)发展起来的新兴产业,它是以全球卫星定位系统(GPS)和无线语音、数据通信为基础,让服务供应商与移动目标(人、车、物)交换信息的技术.Telematics系统通过GPS和无线通信网,向驾驶员和乘客提供实时交通信息、车辆导航、生活信息,车辆远程控制、防盗报警、紧急救援、远程车辆诊断及跟踪、多媒体和互联网(金融交易、新闻、电子邮件等)服务.车载终端是实现Telematies服务的控制平台.  相似文献   
76.
新形势下工程质量监督管理工作的思考与探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
二十多年来,我国工程质量监管工作已走过了临危受命、艰苦创业、完善提高和不断开拓前进的光辉历程,监管制度从无到有,监管队伍从小到大,监管能力从弱到强,逐步走上了一条制度化、规范化、科学化的发展轨道。当前,  相似文献   
77.
夏峰  李建平  李高宏  杨通  秦滢杰  余申卫  郭永春  张康虎  杨忠 《铸造》2005,54(12):1223-1226
利用高剪切液态搅拌专利技术制备了5%Gr/A356、15%SiCp/A356、5%Gr 15%SiCp/A356铝基复合材料,对所制备复合材料的金相组织、力学性能和阻尼特性进行了初步分析.结果表明:利用高剪切液态搅拌专利技术能够成功制备出SiC颗粒和Gr颗粒分布均匀的高阻尼铝基复合材料,颗粒的体积分数可以精确控制.SiC颗粒和Gf颗粒作为增阻剂可以提高复合材料的阻尼特性,当阻尼测试频率为1 Hz时,Gr颗粒界面间粘滞性损耗作用显著.以位错运动内耗为主的情况下,复合材料的阻尼性随震动频率的升高而增加.  相似文献   
78.
79.
为解决传统求解TSP问题(Traveling Salesman Problem)的方法所固有的组合爆炸问题,提出了一种新的基于MHC(Major Histocompatibility Complex,主要组织相容性复合体)的抗体克隆优化算法(Antibody Clone Optimization Algorithm inspired by MHC,COAMHC).该算法应用MHC分子单倍型特性将优秀抗体基因保存为MHC串,并通过疫苗接种遗传至子代以增强其局部搜索能力;应用MHC分子多态性并通过基因突变以及随机引入新抗体基因来提高抗体群多样性,以增强其全局搜索能力.通过TSP问题的仿真实验表明,该算法在收敛速度、和求解精度方面比经典克隆选择算法CLONALG性能更好.  相似文献   
80.
针对传统的两温区气相合成高纯HgI2多晶体方法(工艺1)原料损失多、产量低等缺点,通过工艺优化,采用单温区安瓿旋转高温合成工艺(工艺2)合成了HgI2多晶粉体.对比了两种工艺条件下合成产物的物相和杂质含量,结果表明:相对于工艺1,工艺2中由于安瓿旋转和反应温度高,原料反应充分,HgI2多晶体的产量从占合成产物总量的309/6增大到90%.工艺2中杂质总量在10×10^-6以下,达到HgI2单晶体生长要求.  相似文献   
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