Intermediate Gas Phase of CHa/[Si（CH3）2O]5 Plasma and Its Effect on Structure of SiCOH Film

This paper investigated the radical behaviour of the plasma of a mixture of methane （CH4） and decamethylcyclopentasiloxane （DMCPS） by optical emission spectroscopy. The plasma was generated by electron cyclotron resonance （ECR） discharge and was used for depositing porous SiCOH low dielectric-constant film. In the ECR discharge plasma, CH, H, H2, C2, Si, O and SiO radicals were obtained. The CH, H and C2 radicals were from the dissociation of CH4, while the SiO. Si and O radicals from the dissociation of the Si-O chain. CHx radicals absorbed in the film were thermally unstable and could be removed by annealing. The dissociation of the Si-O chain led to an increase in a ratio of the Si-Ocage to Si-Onetwork. The removed of CHx radicals and the increased Si-Ocage to Si-Onetwork ratio were beneficial for reducing the film density and dielectric constant.     

反应磁控溅射法沉积的氟化类金刚石薄膜的结构分析

以高纯石墨作靶、Ar／CHF3作源气体采用射频反应磁控溅射法室温下制备了氟化类金刚石薄膜(F-DLC)。发现随着射频功率的增加,F-DLC薄膜拉曼光谱的D峰与G峰强度之比ID／IG加大,薄膜中芳香环式结构比例上升。红外吸收光谱则显示射频功率增加导致薄膜中的氟含量上升．氟原子与碳原子以及芳香环的耦合加强。控制射频功率可以有效调制薄膜中的氟含量以及芳香环结构的比例,F—DLC可能成为热稳定性较好的碳氟薄膜。     

ECR-CVD制备的SiOx/a-C:F/SiOx多层膜的结构与介电性质

使用80％Ar稀释的SiH4,O2,CHF3和CH4作为前驱气体,利肝微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiOx／a-C：F／SiOx多层膜。傅里叶变换红外测试结果表明了多层膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O键,同时由于器壁的吸附效应,膜中还存在少量的Si-C和Si-F键,这些键的存在从x射线光电子能谱的深层剖析结果得到了证实。热退火的结果表明了薄膜的红外结构没有发生太大的变化,薄膜的介电常数经过400℃的退火后仅上升了8％。实验结果表明了ECR-CVD制备的SiOx／a-C：F／SiOx多层膜可以成为超大规模集成电路中层间绝缘层的候选材料。     

Effect of Low-frequency Power on F, CF2 Relative Density and F/CF2 Ratio in Fluorocarbon Dual-Frequency Plasmas

Effect of low-frequency power on F, CF₂ relative density and F/CF₂ ratio, in C₂F₆, C₄F₈ and CHF₃ dual-frequency capacitively couple discharge driven by the power of 13.56 MHz/2 MHz, was investigated by using optical emission spectroscopy. High F, CF₂ relative density and high F/CF₂ ratio were obtained in a CHF₃ plasma. But for C2F6 and C4F8 plasmas, the F, CF₂ relative density and F/CF₂ ratio all decreased significantly due to the difference in both reactive paths and reactive energy. The increase of LF power caused simultaneous increase of F and CF₂ radical relative densities in C₄F₈ and CHF₃ plasmas, but led to increase of F with the decrease in CF₂ relative densities in C₂F₆ plasma due to the increase of lower energy electrons and the decrease of higher energy electrons in EEDF.     

基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能…

使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜，通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ，ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对透光率和电阻率的影响。结果表明；基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程度。当基片温度为１５０℃附近时所沉积的膜具有较高的载流子浓度和迁移率，因而电阻率最低，而且结晶良好，具有高的透光率。     

GIS-1双潘宁离子源的实验研究

一、引言传统的双潘宁离子源为了获得足够高的平均饱和离子流密度,在中间电极“喉区”处采用了几何压缩和较强的主磁场压缩来提高快电子的能量,因而供给的快电子束是密集的,“点状”的。同时,由于它还采用了强的轴向辅助磁场来约束潘宁放电等离子体,因而这种类型的双潘宁离子源的饱和离子流径向不均匀性>±30％,噪声水平>±10％。     

ECR等离子体沉积系统中等离子体特性的模拟

本文建立了一个物理模型，编写了数值程序，模拟了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体流的特性。假定等离子体中的电子服从玻尔兹曼关系，离子在从共振区流向衬底的过程中与中性气体发生电荷交换和弹性碰撞。根据等离子体区应满足的电荷准中性条件，采用蒙特卡罗方法可计算出自恰的等离子体电位及离子密度分布。从而分析了磁场形态和气压对等离子体密度空间分布，入射到衬底上的离子通量和平均能量的影响，结果表明：磁场形态和气压都可用来独立控制等离子体流的性能，这对于使用该种等离子体源进行薄膜沉积和刻蚀有一定的理论指导意义。     

低温氧等离子体对有机薄膜改性的研究

在氧等离子体中对聚乙烯醇，海藻酸钠，聚乙烯和地苯二甲酸乙二醇脂等有同薄膜有面处理。研究了处理时间，放电电流和气压对膜的亲水性的影响。     

电感耦合放电对双频容性耦合Ar-N_2等离子体物理特性的影响

电感耦合等离子体增强的容性耦合等离子体是一种新的等离子体源,采用这种放电方式可以获得高密度均匀的等离子体。本文主要利用朗缪尔单探针对以下几种放电方式的等离子体性质进行诊断:1双频(60,13.56 MHz)容性耦合等离子体;2电感(13.56 MHz)耦合等离子体;3电感(13.56 MHz)耦合增强的双频(60,13.56 MHz)容性耦合等离子体。通过研究电感耦合放电对容性耦合放电的影响,以及电感耦合功率、混合气体比例等宏观参量对等离子体特性的影响,获得材料处理的最佳条件。实验发现当气压是5Pa时:1双频容性耦合等离子体密度是1010 cm-3左右,极板边缘处等离子体密度较低,中心处较高。随着氩气比例增加,等离子体密度提高,电子温度降低。2电感耦合等离子体放电,随着氩气比例增加,等离子体密度增大。当氩气比例增加到70%,等离子体密度发生数量级改变,高于双频容性耦合等离子体。3电感耦合增强的双频容性耦合等离子体密度较高,当氩气比例是80%,容性电感耦合功率200 W时,组合放电等离子体密度最高,均匀性较好,电子温度升高,径向差别不大。通过实验得出,当氩气比例为80%,容性高低频功率分别为150和50 W,电感耦合功率是200 W时,双频(60,13.56 MHz)与电感(13.56 MHz)组合放电可以获得高密度均匀的等离子体。     

掺杂比和氧分压对脉冲激光沉积ZnO:Al膜性能影响的研究

利用脉冲激光法制备了ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜，通过对膜进行霍尔系数测量及ＳＥＭ、ＸＲＤ测试分析，详细研究了靶材中的化学配比（掺杂比）对膜的透射比和电阻率的影响。结果表明：掺杂比、氧分压强曩响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出。掺杂比从０．７５％增至１．５Ｒ过程中膜的载汉子浓度、透射比（在波长大于５００ｎｍ的范围）和光隙能相应增大，在氧分压强为０Ｐａ、掺杂比为１．５％左右时沉积的膜，其