基于SOPC的SPWM脉冲发生器的实现

针对逆变控制领域的需求,采用自然采样法设计一个基于SOPC的SPWM脉冲发生器.在系统中,结合DDS数字频率合成技术产生正弦调制波.使用Verilog语言编程实现可逆计数器,利用可逆计数器形成一个完整的三角波.然后将同一时刻的正弦函数值与三角函数值相比较,形成一路脉冲调制波.最后为防止同相桥臂功率器件的同时导通,经过死区延时部分,形成最终的SPWM脉宽调制波.基于SOPC系统的SPWM脉冲发生器既简化电路设计,又提高系统的可靠性、精确性,并通过实验验证实该系统设计的有效性、稳定性.     

基于AT89C2051单片机的照明控制系统的设计与实现

无论是在我们的生活中还是在日常生产中,节约用电都是必不可少的一个话题,本文针对节约用电问题,设计了一种单片机的照明控制系统,该照明系统属于智能控制型,对该系统的结构和功能进行研究,分析该系统的硬件和软件的组成。     

多孔硅(PS)及其光电器件研究进展

综述了近几年来人们对多孔硅材料的研究及其其于硅基光电器件制造方面的进展。 ‘     

Mass—1000集散控制系统组态软件的设计与实现

本文介绍了Ｍａｓ—１０００集散控制系统组态软件的主要功能，并且介绍了软件设计的一些关键方法。     

Si/Si_(1-x)Ge_x应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真研究

本文报道了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层异质结双极晶体管（ＨＢＴ）交直流特性的仿真结果．通过用叠代法求漂移－扩散方程的数值解，确定器件的直流特性．再利用瞬态激励法，求解器件的交流特性参数．将基区Ｇｅ摩尔含量ｘ为０．２、０．３１的ＨＢＴ的模拟结果分别与有关文献报道的实验结果进行了比较，两者的结果符合良好     

热电子晶体管及其研究进展

热电子晶体管是依靠热电子携带输入信息,并使之在器件中放大的。这种器件具有工作速度高,使用一个元件就可以完成某种复杂的逻辑功能等优点。本文首先介绍热电子晶体管的基本原理,然后介绍几种重要的热电子晶体管,包括隧道热电子输运放大(THETA)器件,共振隧道热电子晶体管(RHET)和电荷注入晶体管(CHINT)等。     

几种改进的分子束外延（MBE）技术

本文介绍了最近几年来发展的几种改进的分子束外延(MBE)生长技术,包括间隔生长技术、温度开关技术、迁移增强外延(MEE)、气源分子束外延(GSMBE)等。比较详细地介绍了它们的原理,并给出了主要实验结果。     

超晶格和量子阱红外探测器研究进展

本文综述了超晶格和量子阱红外探测器的发展。文章简要地阐明了超晶格和量子阱的原理,详细地介绍了业已发展的各种超晶格和量子阱红外探测器的原理、结构和性能等。还介绍了几种最有希望用于探测器制造的超晶格材料。     

Differential negative resistance effect of output characteristics in deep sub-micrometer wurtzite AlGaN/GaN MODFETs

We obtained the output characteristics in wurtzite Al0.15Ga0.85N/GaN MODFETs with the full band Monte Carlo method. The gate length Lg and the channel length Los in the device are 0.2 μm and 0.4 urn, respectively. In the output characteristics we found a differential negative resistance effect. That is, as VDS is a constant, initially, VDS increases with increasing VDS. When VDS exceeds a certain critical value, IDS decreases with increasing VDS. The analysis for velocity-field characteristics in wurtzite CaN, the distributions of the electric field and the electron velocity in the two dimensional electron gas channel indicates that the differential negative resistance effect of the electron average velocity results in the differential negative resistance effect of the output characteristics. The transient transport also is related to the differential negative resistance effect of the output characteristics. This effect only can be observed in the devices with very short channel.