全文获取类型
收费全文 | 734篇 |
免费 | 52篇 |
国内免费 | 38篇 |
专业分类
电工技术 | 5篇 |
综合类 | 60篇 |
化学工业 | 333篇 |
金属工艺 | 9篇 |
机械仪表 | 34篇 |
建筑科学 | 13篇 |
矿业工程 | 6篇 |
能源动力 | 3篇 |
轻工业 | 122篇 |
水利工程 | 4篇 |
石油天然气 | 31篇 |
武器工业 | 4篇 |
无线电 | 88篇 |
一般工业技术 | 51篇 |
冶金工业 | 33篇 |
原子能技术 | 17篇 |
自动化技术 | 11篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 16篇 |
2022年 | 16篇 |
2021年 | 20篇 |
2020年 | 16篇 |
2019年 | 15篇 |
2018年 | 16篇 |
2017年 | 16篇 |
2016年 | 15篇 |
2015年 | 23篇 |
2014年 | 29篇 |
2013年 | 32篇 |
2012年 | 33篇 |
2011年 | 44篇 |
2010年 | 27篇 |
2009年 | 30篇 |
2008年 | 38篇 |
2007年 | 41篇 |
2006年 | 27篇 |
2005年 | 32篇 |
2004年 | 24篇 |
2003年 | 35篇 |
2002年 | 22篇 |
2001年 | 35篇 |
2000年 | 22篇 |
1999年 | 29篇 |
1998年 | 21篇 |
1997年 | 16篇 |
1996年 | 17篇 |
1995年 | 26篇 |
1994年 | 9篇 |
1993年 | 20篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 14篇 |
1990年 | 11篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有824条查询结果,搜索用时 727 毫秒
771.
Eu~(3+)在SBN晶体中荧光的偏振和时间分辨特性 总被引:2,自引:0,他引:2
通过偏振荧光谱和位选择时间分辨荧光谱的方法研究Eu~(3+)在SBN晶体中的能级和Eu~(3+)离子在格点中的分布. 相似文献
772.
为提高传统硫杂蒽酮光引发剂的引发活性,通过环氧基团的开环反应合成了含胺硫杂蒽酮光引发剂2-[2-羟基-3-(2-羟乙基-2-甲基)氨基]丙氧基硫杂蒽酮(APTX)。傅立叶变换红外光谱和核磁共振氢谱证实了APTX的结构。紫外光谱表明取代基的存在使硫杂蒽酮单元的最大紫外吸收波长发生红移。以硫杂蒽酮(TX)为参照,用光致差示扫描量热计(Photo-DSC)研究了三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)的光聚合反应,结果表明,APTX可更有效地引发TMPTA的光聚合。 相似文献
773.
微痕量爆炸物的有效检测由于爆炸物种类繁多、检测背景复杂而显得十分困难。开发微痕量爆炸物检测新方法备受关注,其中荧光传感薄膜用于检测微痕量硝基芳烃类炸药近年来研究广泛[1]。采用对二溴蒽和苯乙炔为原料,通过Sonogashira钯催化偶联反应,合成了9,10双三甲基硅乙炔基蒽,该物质有很高的荧光量子效应,可作为荧光传感器的支撑骨架用于微痕量爆炸物的检测。该合成路线比文献报道的简单,产物收率更高[2]。并通过紫外光谱和荧光光谱对其在不同溶剂中的光谱性能及与溴苯、硝基苯之间的相互作用进行了研究。 相似文献
774.
采用自制的立式HVPE设备,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了GaN厚外延膜,利用AFM,SEM,XRD,RBS/Channeling,CL,PL以及XPS等技术分析了厚膜的结构和光学性能.结果表明,外延层表面具有台阶结构,接近以层流生长方式二维生长,一些六角形的坑出现在膜表面,坑区具有很强的发光.腐蚀试验显示EPD仅8×106 cm-2;XRD和RBS/channeling表明GaN膜具有较好的晶体质量;PL结果也证明外延层具有高的质量,出现了尖锐的带边峰,半高宽仅67meV,同时出现了黄带和红外带,这些带的出现可能是由本征缺陷和C,O等杂质引起的. 相似文献
775.
以甲基化β-环糊精为手性选择试剂,对外消旋的2-(9-蒽基)-2-羟基乙酸和2-(9-蒽基)-2-甲氧基乙酸的毛细管电泳分离进行了研究。实验结果表明,分别采用部分甲基化-β-环糊精和2,6二甲基-β-环糊精为手性选择剂,在20mmol/L的三羟甲基氨基甲烷(Tris)-磷酸缓冲体系中,2-(9-蒽基)-2——羟基乙酸对映体具有良好的分离效果;2-(9-蒽基)-2-甲氧基乙酸对映体达到了部分分离。 相似文献
776.
[目的]为蒽等多环芳烃(PAHs)污染的生物修复提供理论依据.[方法]采用富集培养的方法从污水处理厂的活性污泥中筛选得到蒽降解菌株E12,测定该菌株的生长曲线及其对蒽的降解曲线,并研究不同蒽浓度、初始pH值等对其降解蒽效率的影响.[结果]经初步鉴定,菌株E12属于气微菌属,该菌株可在以蒽为唯一碳源的培养基中生长.蒽初始浓度小于900 mg/L时,菌体浓度随蒽浓度的增加而增加,当蒽浓度超过900 mg/L后,菌体浓度显著下降;菌株在弱酸性和弱碱性环境中均能生长,但最适生长pH值为6.5;菌悬液接入量对菌体生长也有明显影响,最适接种量为2.0%.[结论] E12菌株降解蒽的最佳条件为:蒽浓度900 mg/L,pH值6.5,此条件下培养148 h后蒽的降解率可达70.5%. 相似文献
777.
研究了蒽、菲的浓度及其不同时段产生的中间转化产物对蒽、菲生物降解特征的影响。结果表明,芽孢杆菌FCN4对蒽、菲均有良好的降解能力,且菲的降解速度大于对蒽的降解速度,蒽、菲浓度分别小于150mg/L,175mg/L时,随浓度增加,生物降解速率增加,反应均表现为一级反应。大于该相应浓度值时,降解速度随浓度增加而减小。在反应早期,外加中间产物明显地对蒽、菲生物降解产生抑制作用。24h内降解转化出的中间产物,对24h内,FCN4降解蒽、菲的抑制作用能明显地通过实验证明。 相似文献
778.
环境因素(如光照、水蒸气、氧气等)会引发二维钙钛矿材料的降解,其稳定性极大地限制该材料的进一步发展及市场化进程。利用氟化物的强稳定性与疏水性,将其以含氟苯乙胺的形式引入二维钙钛矿的有机层,可以有效地改善二维钙钛矿稳定性,但是荧光效率有所降低。针对这一问题,本文采用聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环烯烃聚合体(COP)三种高分子聚合物对二维钙钛矿薄膜进行包覆,使其荧光强度分别得到2.2、1.3和1.4倍的改善,光照稳定性分别得到3.3、3.1和3.9倍的提升,并进一步验证湿度稳定性。该研究为二维钙钛矿薄膜在光电器件上的开发提供了新思路。 相似文献
779.
建立了蒽酮比色法快速测定复合硅铝酸盐霉菌吸附剂中酵母多糖含量的方法。根据复合硅铝酸盐的组成特点,确定的微波消解条件为:先在碱性条件下,温度60℃、时间20 min;后在酸性条件下,温度80℃、时间5 min,温度100℃、时间5 min,温度120℃、时间90 min。蒽酮比色法的显色条件为:加入蒽酮试剂7 ml,沸水浴时间9 min,最大吸收波长为630 nm。结果表明:在甘露糖溶液质量浓度为0.04~0.24 mg/ml时,线性关系良好(R2=0.9981),相对标准偏差为0.15%,加标回收率为102%。 相似文献
780.
氧杂蒽酮结构由于它极好的生物和药理活性在像芒果苷和普梭草素这样的天然产物中有重要的意义。因此,在合成上这种结构的构造一直都很有吸引力。文章对氧杂蒽酮类化合物进行了综述,对其获取方法及各合成方法的优缺点做了简要的介绍,并对该领域的研究前景作了展望。 相似文献